Солнышкин, А. В. Моделирование распределения электрических полей в сегнетоэлектрических катодах для тепловизоров на основе электронной эмиссии [Текст] / А. В. Солнышкин, И. Л. Кислова, Г. Суханек // Вестник Тверского государственного университета. - 2007. - N 6 (Физика). - С. 99-104. - Библиогр.: с. 104-105 (22 назв. )
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): тепловизоры -- электронная эмиссия -- электрические поля -- сегнетоэлектрические материалы Аннотация: Физические принципы работы датчиков теплового излучения, основанные на электронной эмиссии из сегнетоэлектрических тонких пленок. Доп.точки доступа: Кислова, И. Л.; Суханек, Г. |
Жбанов, Ю. К. Влияние подвижности центра резонатора на работу волнового твердотельного гироскопа [Текст] / Ю. К. Жбанов, В. Ф. Журавлев // Известия РАН. Механика твердого тела. - 2007. - N 6. - С. 14-24. - Библиогр.: с. 25 (5 назв. )
Рубрики: Механика Механика твердых тел Кл.слова (ненормированные): волновые твердотелные гироскопы -- гироскопы -- резонаторы -- полусферические оболочки -- линейная вибрация -- электрические поля -- фазовые состояния -- электроды -- балочные колебания Аннотация: В работе установлено, что деформация резонатора на второй форме колебаний полусферической оболочки вызывает смещение центра масс, если резонатор разбалансирован, т. е. если распределение масс по поверхности полусферы отклоняется от осевой симметрии. Доп.точки доступа: Журавлев, В. Ф. |
Данилина, Тамара Ивановна. Моделирование микрорельефа и распределения электрического поля в МДМ-структурах [Текст] / Т. И. Данилина, П. Е. Троян // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 1 (75). - С. . 22-26 : рис. . - ISSN 1561-5405
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): моделирование -- микрорельефы -- травление -- электрические поля Аннотация: При моделировании процессов травления микроострийного нижнего электрода и процессов осаждения диэлектрической пленки установлен факт сильного утончения пленки на боковых поверхностях и у основания микроостриев. Доп.точки доступа: Троян, Павел Ефимович |
Волков, Ю. В. Ядерная электродинамика [Текст] / Волков Ю. В. // Актуальные проблемы современной науки. - 2008. - N 6. - С. 93 . - ISSN 1680-2721
Рубрики: Физика Классическая электродинамика. Теория относительности Кл.слова (ненормированные): Максвелла уравнения -- уравнения Максвелла -- атомные ядра -- электрические поля -- вихревые поля -- квантовая теория Аннотация: Уравнения электродинамики. |
Байбурин, В. Б. (д-р физ.-мат. наук, проф.). Вейвлетный анализ движения заряда в переменном электрическом и магнитном полях [Текст] / В. Б. Байбурин, М. П. Беляев // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2008. - N 35. - С. 81-87 : ил. - Библиогр.: с. 87 (8 назв. ) . - ISSN 1999-8341
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): магнитные поля -- электрические поля -- заряженные частицы -- движение заряженных частиц -- вейвлетные спектры -- колебания (физика) -- хаотические колебания -- режимы колебаний Аннотация: Рассмотрено движение заряда в скрещенных электрическом и магнитном полях. Проведено исследование карт динамических режимов. Приведена типичная траектория, соответствующая хаотическим колебаниям. Проанализирован вейвлетный спектр временной реализации пространственной координаты при хаотическом режиме колебаний. Доп.точки доступа: Беляев, М. П. (аспирант) |
Курилюк, В. В. Влияние пьезоэлектрических полей ультразвуковых колебаний на комбинационное рассеяние света в гетероструктурах GaAs/AlGaAs [Текст] / В. В. Курилюк, О. А. Коротченков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 449-455
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые гетероструктуры -- квантовые ямы -- инфракрасное излучение -- солнечные элементы -- фотодетекторы -- электрические поля Аннотация: Представлен теоретический анализ резонансных электроупругих колебаний гибридной структуры GaAs/AlGaAs-LiNbO[3] с границей раздела скользящего типа, а также эффекта перераспределения концентрации двумерного электронного газа в гетероструктуре генерируемыми пьезоэлектрическими полями. Расчеты проведены методом конечных элементов. Экспериментально зарегистрированные спектры комбинационного рассеяния света с временным разрешением обнаруживают особенности поведения LO-фонон-плазмонной моды, соответствующие теоретически рассчитанному перераспределению концентрации. Доп.точки доступа: Коротченков, О. А. |
Дрейфовая скорость электронов в квантовой яме в сильных электрических полях [Текст] / В. Г. Мокеров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 478-482
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- псевдоморфные гетероструктуры -- двумерные электроны -- полевые транзисторы -- электрические поля -- СВЧ транзисторы Аннотация: Экспериментально обнаружено повышение, по сравнению с максимальной дрейфовой скоростью электронов в объемных материалах, максимальной дрейфовой скорости в квантовых ямах гетероструктуры AlGaAs/GaAs различной конфигурации и псевдоморфной гетероструктуры Al[0. 36]Ga[0. 64]As/In[0. 15]Ga[0. 85]As. Установлено, что полевая зависимость дрейфовой скорости двумерных электронов в GaAs и In[0. 15]Ga[0. 85]As не имеет области отрицательной дифференциальной проводимости. Насыщение дрейфовой скорости в квантовой яме GaAs имеет место в полях, в несколько раз превышающих поле, соответствующее перебросу электронов Gamma-долины в L-долину в объемном GaAs. Доп.точки доступа: Мокеров, В. Г.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Пожела, Ю.; Пожела, К.; Сужеделис, А.; Юцене, В.; Пашкевич, Ч. |
Исследования импульсных диффузных разрядов атмосферного давления в электродных системах с резконеоднородным распределением электрических полей [Текст] / С. П. Масленников [и др. ] // Инженерная физика. - 2009. - N 3. - С. 14-18
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): диффузный разряд -- атмосферное давление -- электрические поля -- термочувствительные материалы -- диффузный газовый разряд -- газоразрядные методы стерилизации Аннотация: Газоразрядные методы стерилизации обладают рядом принципиальных преимуществ перед традиционно используемыми методами. Здесь можно отметить низкие температуры стерилизации, высокую эффективность, низкое энергопотребление, малую стоимость и простоту обслуживания установок. Возможностями широкого практического применения обладает диффузный газовый разряд атмосферного давления, возбуждаемый в резконеоднородных полях. Система импульсного электропитания газоразрядной установки построена на основе импульсного наносекундного генератора. Длительность импульсов напряжения может изменять от 30 нс до 1 мкс, длительность фронта составляет 5 нс, максимальная частота следования импульсов - 100 Гц, амплитуда импульсов варьируется от 30 кВ до 150 кВ. Доп.точки доступа: Масленников, С. П.; Морозов, А. В.; Чеботарев, А. В.; Школьников, Э. Я. |
Особенности теплофизических свойств релаксорной керамики на основе цирконата-титаната свинца [Текст] / С. Н. Каллаев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 7. - С. 1436-1438. - Библиогр.: с. 1438 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): керамика -- теплофизические свойства керамики -- релаксорная керамика -- теплоемкость сегнеторелаксоров -- сегнеторелаксоры -- спонтанные фазовые переходы -- фазовые переходы -- наноразмерные области -- полярные области -- воздействия электрических полей -- электрические поля Аннотация: Проведены исследования теплоемкости и теплового расширения сегнеторелаксоров на основе цирконата-титана свинца в области размытого фазового перехода. Показано, что в ансамбле наноразмерных полярных областей спонтанного фазового перехода из параэлектрической в сегнетоэлектрическую фазу и из релаксорного в "нормальное" сегнетоэлектрическое состояние не происходит. Отмечено, что для того, чтобы эти фазовые переходы произошли, необходимы внешние электрические поля или достаточно большие времена. Доп.точки доступа: Каллаев, С. Н.; Омаров З. М.; Билалов А. Р.; Рабаданов М. Х.; Садыков С. А.; Борманис К. |
Воронков, Э. Н. Электропроводность аморфных пленок халькогенидных соединений в сильных электрических полях [Текст] / Э. Н. Воронков, С. А. Козюхин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 953-956 : ил. - Библиогр.: с. 956 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): аморфные пленки -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- электрические поля -- сильные электрические поля -- электропроводность -- напряженность поля Аннотация: Исследовано влияние напряженности электрического поля и температуры на электропроводность аморфных тонких пленок халькогенидных соединений. Показано, что при напряженности электрического поля, превышающей 10{4} В/см, ток растет экспоненциально с увеличением напряжения. При этом энергия активации температурной зависимости проводимости уменьшается с ростом напряженности электрического поля. На основе допущения о доминирующем влиянии на проводимость роста концентрации носителей заряда с увеличением напряженности поля предложена модель, которая удовлетворительно объясняет экспериментальные результаты. В качестве характеристических параметров модели использована эффективная подвижность носителей заряда ~10{-2} см{2}/ (Вхс) и характеризующая влияние электрического поля длина активации ~ (10-30) нм. Доп.точки доступа: Козюхин, С. А. |
Жданов, Э. Р. Особенности электронной структуры и свойств мономерных звеньев нанополимерных пленок [Текст] / Э. Р. Жданов // Нанотехнологии. - 2009. - N 1. - С. 9-14
Рубрики: Химическая технология Высокомолекулярные соединения в целом Кл.слова (ненормированные): нанополимерные пленки -- мономерные звенья -- электронная структура -- органические материалы -- электролюминисцентные дисплеи -- электрические поля -- квантово-химический анализ Аннотация: Представлены особенности электронной структуры и свойств мономерных звеньев нанополимерных пленок. |
Зубко, С. П. Модель зависимости фактора диэлектрических потерь сегнетоэлектрика от амплитуды СВЧ-сигнала [Текст] / С. П. Зубко, А. Н. Васильев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 8. - С. 1457-1459. - Библиогр.: с. 1459 (4 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): СВЧ-колебания -- колебания СВЧ -- сегнетоэлектрики -- нелинейные явления -- диэлектрическая проницаемость -- электрические поля -- напряженность -- теорема Пойнтинга -- Пойнтинга теорема Аннотация: На основе модели зависимости сегнетоэлектрической поляризации от амплитуды приложенного поля исследованы нелинейные явления в сегнетоэлектриках. Учет влияния постоянного встроенного поля дефектов позволил найти зависимость комплексной диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от напряженности постоянного электрического поля. На основании теоремы Пойнтинга для гармонических СВЧ-колебаний получены зависимости комплексной диэлектрической проницаемости и фактора диэлектрических потерь от амплитуды СВЧ-колебаний. Доп.точки доступа: Васильев, А. Н. |
Семенов, Андрей Андреевич. Индуктивность, перестраиваемая электрическим полем [Текст] / А. А. Семенов, Д. А. Усанов // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 78. - С. 34-40. - Библиогр.: с. 40 (10 назв. ) . - ISSN 1561-5405
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): индуктивность -- электрические поля -- индуктивные элементы -- фильтры -- модуляторы -- генераторы -- перестраиваемые генераторы Аннотация: Показана возможность создания миниатюрного пассивного индуктивного элемента, перестраиваемого под воздействием электрического поля. Приведены экспериментальные зависимости характеристик такой катушки от величины управляющего напряжения. Даны рекомендации по практическому применению индуктивных элементов предлагаемой конструкции. Доп.точки доступа: Усанов, Дмитрий Александрович |
Распределение электрических полей в монокристаллах ZnS : Mn при электролюминесценции [Текст] / М. Ф. Буланый [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 745-749 : ил. - Библиогр.: с. 749 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрические поля -- кристаллы -- монокристаллы -- вольт-яркостные характеристики -- ВЯХ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- электролюминесценция -- ЭЛ -- ZnS : Mn Аннотация: Исследованы вольт-яркостные характеристики монокристаллов ZnS : Mn и их зависимость от частоты и напряженности электрического поля. Предложена модель механизма возбуждения электролюминесценции в данных кристаллах на основе возбуждения центров свечения электролюминесценции электронами, ускоренными в электрических полях барьеров типа Шоттки. Такие барьеры образованы дислокациями в местах прерывания ими дефектов упаковки. Получено хорошее согласие между экспериментальными и расчетными данными. Доп.точки доступа: Буланый, М. Ф.; Коваленко, А. В.; Полежаев, Б. А.; Прокофьев, Т. А. |
Нифтиев, Н. Н. Влияние сильного электрического поля на электропроводность монокристаллов MnGa[2]S[2], MnIn[2]S[4] и MnGaInS[4] [Текст] / Н. Н. Нифтиев, О. Б. Тагиев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1172-1174 : ил. - Библиогр.: с. 1174 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- монокристаллы -- MnGa[2]S[2] -- MnIn[2]S[4] -- MnGaInS[4] -- электропроводность -- электрические поля -- сильные электрические поля -- потенциальные ямы -- энергия активации Аннотация: Приводятся результаты исследования влияния сильного электрического поля на электропроводность монокристаллов MnGa[2]S[4], MnIn[2]S[4] и MnGaInS[4]. Определены энергии активации в сильном и слабом электрических полях. Установлено, что уменьшение энергии активации с ростом внешнего напряжения связано с уменьшением высоты потенциальной ямы, в которой электрон находится. Доп.точки доступа: Тагиев, О. Б. |
Транспорт электронов в квантовой яме GaAs в сильных электрических полях [Текст] / Ю. Пожела [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1217-1221 : ил. - Библиогр.: с. 1220-1221 (32 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- GaAs -- электроны -- рассеяние -- рассеяние электронов -- электрические поля -- сильные электрические поля -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- дрейфовая скорость -- фононы -- оптические фононы Аннотация: Определены скорости внутри- и межподзонного рассеяния электронов на полярных оптических и междолинных фононах в зависимости от энергии электрона и ширины глубокой прямоугольной квантовой мы GaAs. Методом Монте-Карло вычислены полевые зависимости дрейфовой скорости электронов в квантовых ямах шириной 10, 20 и 30 нм. Показано, что дрейфовая скорость в сильных электрических полях в квантовой яме значительно превышает максимальную дрейфовую скорость насыщения в объемном материале. Доп.точки доступа: Пожела, Ю.; Пожела, К.; Рагуотис, Р.; Юцене, В. |
Процессы переключения сегнетоэлектрической и сегнетоэластической доменной структуры ниобийсодержащих кристаллов титаната бария [Текст] / Н. Н. Большакова [и др. ] // Вестник Тверского государственного университета. - 2009. - N 24 (Физика). - С. 46-51. - Библиогр.: с. 51 (4 назв. )
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): титанат бария -- кристаллы титаната бария -- кристаллы -- метод коммутации -- электрические поля Аннотация: Результаты исследований процессов переполяризации ниобийсодержащих кристаллов титаната бария в изменяющихся методом коммутаций электрических полях. Доп.точки доступа: Большакова, Н. Н.; Большакова, О. В.; Иванов, В. В.; Иванова, Т. И. |
Гаджиев, Э. Ш. Структура и кинетика кристаллизации тонких аморфных пленок Yb[1-x]Sm[x]As[4]S[7] [Текст] / Э. Ш. Гаджиев, А. И. Мададзаде, Д. И. Исмаилов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1534-1537 : ил. - Библиогр.: с. 1537 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- тонкие аморфные пленки -- Yb[1-x]Sm[x]As[4]S[7] -- кристаллизация -- структура -- кинетика -- кривая интенсивности рассеяния электронов -- кривая радиального распределения атомов -- КРРА -- координационные сферы -- радиусы -- парциальные координационные числа -- фазовые превращения -- электрические поля -- внешние электрические поля Аннотация: Получена кривая интенсивности рассеяния электронов в зависимости от угла рассеяния для аморфных пленок Yb[1-x]Sm[x]As[4]S[7] (x=0. 02 ат%). Построена кривая радиального распределения атомов, определены радиусы координационных сфер и парциальные координационные числа. Установлены кинетические параметры фазовых превращений при кристаллизации аморфных пленок Yb[1-x]Sm[x]As[4]S[7] (x=0. 02 ат%), полученных как в обычных условиях, так и в условиях воздействия внешнего электрического поля. Доп.точки доступа: Мададзаде, А. И.; Исмаилов, Д. И. |
Влияние электрического поля на интенсивность и спектр излучения квантовых ям InGaN/GaN [Текст] / Н. И. Бочкарева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1541-1548 : ил. - Библиогр.: с. 1547-1548 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- InGaN/GaN -- спектры излучений -- электрические поля -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электролюминесценция -- p-n переходы -- напряжение -- прямое напряжение -- туннелирование -- квантовый выход -- фототоки -- инжекция -- электрическая инжекция -- оптическая инжекция -- квантовая эффективность Аннотация: Проведены сравнительные исследования фотолюминесценции из квантовых ям при приложении прямого напряжения и электролюминесценции в структурах p-GaN/InGaN/n-GaN. Показано, что при приложении прямого напряжения наблюдается характерный красный сдвиг пика спектра, а также уширение линии фотолюминесценции и одновременное возгорание фотолюминесценции, связанные с уменьшением поля в области объемного заряда p-n-перехода и подавлением туннельной утечки носителей заряда из хвостов плотности состояний активного слоя InGaN. Анализ полученных результатов показал существенное влияние туннелирования на квантовый выход и позволил оценить внутреннюю квантовую эффективность структур. Показано, что неравновесное заполнение хвостов плотности состояний квантовых ям InGaN/GaN зависит от способа инжекции и контролируется захватом носителей, инжектированных в квантовую яму, при оптической инжекции и туннелированием носителей "под" квантовой ямой при электрической инжекции. Доп.точки доступа: Бочкарева, Н. И.; Богатов, А. Л.; Горбунов, Р. И.; Латышев, Ф. Е.; Зубрилов, А. С.; Цюк, А. И.; Клочков, А. В.; Леликов, Ю. С.; Ребане, Ю. Т.; Шретер, Ю. Г. |
Взаимодействие электронов с локализованными в квантовой яме оптическими фононами [Текст] / Ю. Пожела [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1634-1640 : ил. - Библиогр.: с. 1639 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- рассеяние электронов -- скорость рассеяния электронов -- СР электронов -- полярные оптические фононы -- ПО фононы -- фононные ямы -- ФЯ -- интерфейсные фононы -- ИФ -- электрон-фононное взаимодействие -- гетероструктуры -- In[x]Al[1-x]As -- In[y]Ga[1-y]As -- электрические поля -- сильные электрические поля -- насыщение электронов -- скорость насыщения Аннотация: Рассматривается скорость рассеяния электронов в квантовой яме на локализованных полярных оптических и интерфейсных фононах. Определена зависимость силы электрон-фононного взаимодействия от частоты оптических фононов в материалах гетероструктуры, образующих электронную и фононные квантовые ямы. Показано, что путем изменения состава полупроводников, образующих квантовую яму и ее барьеры, можно изменять скорости рассеяния электронов на оптических фононах в несколько раз. Вычислены скорости рассеяния электронов на полярных оптических фононах в зависимости от долей In[x] и In[y] в составе полупроводников, образующих квантовые ямы In[x]Al[1-x]As/In[y]Ga[1-y]As. Экспериментально определены зависимости подвижности и дрейфовой скорости насыщения электронов в сильных электрических полях в квантовых ямах In[y]Ga[1-y]As от состава введенных в квантовые ямы In[x]Al[1-x]As-барьеров. Подвижность электронов растет, а дрейфовая скорость насыщения уменьшается с увеличением доли In[x] в составе барьеров. Доп.точки доступа: Пожела, Ю.; Пожела, К.; Юцене, В.; Сужеделис, А.; Школьник, А. С.; Михрин, С. С.; Михрин, В. С. |