Швец, В. Т. Электронные явления переноса в металлическом водороде и динамика протонной подсистемы [Текст] / В. Т. Швец // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1172-1176. - Библиогр.: с. 1176 (33 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): водород -- водород в металлическом состоянии -- кулоновское электрон-протонное взаимодействие -- металлический водород -- теплопроводность -- электрическая проводимость -- электронные явления переноса -- электрон-протонное взаимодействие Аннотация: Рассчитаны электрическая проводимость и электронный вклад в теплопроводность металлического водорода в широком диапазоне температур и плотностей, включающем их значения в ядре Юпитера. Водород рассматривается как в жидком, так и в твердом состояниях. Для этих условий проанализирована выполнимость закона Видемана-Франца. При этом для электронной подсистемы использована модель почти свободных электронов, а для обратных времен релаксации для электропроводности и электронного вклада в теплопроводность - второй порядок теории возмущений по электрон-протонному взаимодействию. Кулоновское электрон-протонное взаимодействие учтено в приближении случайных фаз. Обменное взаимодействие и корреляции электронов проводимости учтены в приближении локального поля. Для протонной подсистемы использована модель твердых сфер. Выяснено, что динамика протонной подсистемы для электронных явлений переноса существенна уже при значениях температур и плотностей, характерных для металлического водорода в лабораторных условиях. Ее роль возрастает с возрастанием плотности водорода. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кузнецова, И. А. Высокочастотная проводимость тонкой полупроводниковой цилиндрической проволоки при произвольной температуре [Текст] / И. А. Кузнецова, А. А. Юшканов, Р. Р. Хадчукаев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 645-650
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кинетическая теория -- полупроводниковая проволока -- примесный полупроводник -- зонная структура -- электрическая проводимость Аннотация: В рамках классической кинетической теории исследуется высокочастотная проводимость тонкой прямой полупроводниковой проволоки круглого сечения. Расчет проводится для случая примесного полупроводника с простой зонной структурой при произвольном вырождении. Соотношение между радиусом проволоки и длиной свободного пробега носителей заряда считается произвольным. Рассматривается диффузный механизм отражения носителей заряда от границы проволоки. Доп.точки доступа: Юшканов, А. А.; Хадчукаев, Р. Р. |
Электропроводность основных минералов верхней мантии [Текст] / Т. Кацура [и др. ] // Геология и геофизика. - 2009. - Т. 50, N 12. - С. 1470-1477 : 11 рис. - Библиогр.: с. 1477. - Библиогр. в примеч. . - ISSN 0016-7886
Рубрики: Геофизика Электричество и магнетизм Земли--Новосибирск--Япония--Россия Кл.слова (ненормированные): электрическая проводимость -- верхняя мантия -- переходные слои -- оливин -- вадслеит -- рингвудит -- прыжковая проводимость -- ионная проводимость -- протонная проводимость -- проводимости Аннотация: Сделан обзор последних данных по электропроводности основных минералов верхней мантии: оливина, вадслеита и рингвудита. Существуют три главных механизма электропроводности мантийных минералов: прыжковая, ионная и протонная проводимости. Носителями заряда являются электронная дырка в ионе железа, вакансия в структурной позиции магния и протон соответственно. Прыжковая проводимость - наиболее важный механизм для основных мантийных минералов. Ионная - становится основным механизмом при высоких температурах, так как обладает высокой энергией активации. Протонная проводимость, напротив, имеет большое значение при относительно низких температурах, но может стать основным механизмом электропроводности и при высокой температуре, когда номинально безводные мантийные минералы содержат большое количество воды (0. 1 мас. %). Доп.точки доступа: Кацура, Т.; Йошино, Т.; Мантилаке, Г.; Мацузаки, Т. |
Горшенев, Институт биохимической физики РАН. Токопроводящие лакокрасочные композиции пониженной горючести на основе вибромолотых графитов [Текст] / В. Н. Горшенев // Наукоемкие технологии. - 2009. - Т. 10, N 6. - С. 14-22 : ил. - Библиогр.: с. 21-22 (29 назв. ) . - ISSN 1999-8465
Рубрики: Механика Гидромеханика и аэромеханика Кл.слова (ненормированные): токопроводящие лакокрасочные композиции -- вибромолотовые графиты -- графиты -- электропроводящие пенополиуретановые материалы -- пенополиуретаны -- электрическая проводимость -- коэффициенты ослабления -- электромагнитные излучения -- огнезащитные свойства покрытий -- коллоидно-графитовые суспензии -- электропроводящие покрытия -- токопроводящий пенополиуретан Аннотация: Приведены результаты исследований по применению лакокрасочных токопроводящих композиций для получения электропроводящих пенополиуретановых материалов. Определены величины электрической проводимости образцов, коэффициенты ослабления электромагнитного излучения в СВЧ-диапазоне и приведены результаты измерений огнезащитных свойств образцов материалов. |
Упорядоченные массивы нанокристаллов кремния в SiO[2]: структурные, оптические, электронные свойства [Текст] / И. В. Антонова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 501-506 : ил. - Библиогр.: с. 505-506 (27 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы кремния -- нк-Si -- облучение -- ионы -- тяжелые ионы -- квантовые точки -- КТ -- электрическая проводимость -- вольт-фарадные характеристики -- структурные свойства -- оптические свойства -- электронные свойства -- фотолюминесценция -- ФЛ -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- отжиг -- температура отжига Аннотация: Обнаружено, что облучение слоев SiO[2], содержащих нанокристаллы кремния (нк-Si), тяжелыми ионами высоких энергий приводит к существенным структурным изменениям - формированию вертикально упорядоченных массивов нанокристаллов вдоль треков ионов. Следствием подобного воздействия является значительное изменение электрических (проводимости, вольт-фарадных характеристик) и оптических свойств (фотолюминесценции) слоев с нанокристаллами. Доп.точки доступа: Антонова, И. В.; Скуратов, В. А.; Jedrzejewski, J.; Balberg, I. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Локальная проводимость кипящего слоя, состоящего из электропроводных частиц [Текст] / А. И. Малиновский [и др.] // Инженерно-физический журнал. - 2012. - Т. 85, № 2. - С. 239-245 : 7 рис. - Библиогр.: с. 245 (12 назв. ) . - ISSN 0021-0285
Рубрики: Химическая технология Общие вопросы химической технологии Физика Электрический ток Кл.слова (ненормированные): кипящий слой -- электрическая проводимость -- псевдоожижение -- проводящие частицы Аннотация: Экспериментально исследовано распределение электрической проводимости по высоте кипящего слоя (кокс, фракция 0. 25-0. 4 мм) при различных режимах ожижения. Проведен анализ флуктуаций проводимости кипящего слоя и предложен ее механизм, учитывающий взаимодействие фаз слоя. Доп.точки доступа: Малиновский, А. И.; Рабинович, О. С.; Бородуля, В. А.; Гребеньков, А. Ж.; Сидорович, А. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Kerbikov, В. O. Dense quark matter conductivity in ultra-intense magnetic field [Text] / В. O. Kerbikov, M. A. Andreichikov // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 6. - С. 397-399
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): столкновения тяжелых ионов -- тяжелые ионы -- кварковая материя -- магнитное поле -- электрическая проводимость Доп.точки доступа: Andreichikov, M. A. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Байкин, А. Н. Стационарный цилиндрический вихрь в вязкой электропроводной жидкости [Текст] / А. Н. Байкин, С. В. Головин // Прикладная механика и техническая физика. - 2013. - Т. 54, № 4. - С. 33-44. - Библиогр.: с. 44 (7 назв. ) . - ISSN 0869-5032
Рубрики: Механика Гидромеханика и аэромеханика Кл.слова (ненормированные): цилиндрические вихри -- электропроводная жидкость -- магнитная гидродинамика -- электрическая проводимость -- азимутальный компонент -- магнитное поле -- сила Лоренца -- Лоренца сила Аннотация: В предположении, что жидкость является вязкой с конечной электрической проводимостью, магнитное поле имеет только осевую и азимутальную компоненты в цилиндрической системе координат, построено точное решение уравнений магнитогидродинамики, описывающее стационарное вихревое течение внутри покоящегося цилиндра, на оси которого находится проводник с текущим по нему заданным током. Установлено, что действие силы Лоренца компенсируется изменением давления. Течение жидкости происходит от периферии к оси цилиндра под действием разности давлений, при этом поток разворачивается и завихряется. Течение жидкости вызывает сгущение магнитных линий вблизи оси цилиндра, обеспечивая экспоненциальное убывание напряженности магнитного поля по мере удаления от оси. Данное течение может рассматриваться как модель локального увеличения напряженности магнитного поля за счет переноса его силовых линий течением электропроводной жидкости. Доп.точки доступа: Головин, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Klyamkin, S. S. (кандидат технических наук; научный сотрудник). Keller-Dykhne method of inversion to define integral parametres of multi-electrode two-dimensional systems [Text] = Использование метода инверсии Келлера-Дихне для определения интегральных параметров мультиэлектродных двухмерных систем / Klyamkin S. S. // Электричество. - 2016. - № 1. - С. 35-43 : 13 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 42 (7 назв. ) . - ISSN 0013-5380
Рубрики: Энергетика Теоретические основы электротехники Кл.слова (ненормированные): двухмерные системы -- емкость -- интегральные параметры -- методы расчета -- многоэлектродные устройства -- определение параметров -- теорема Томпсона-Лэмпарда -- Томпсона-Лэмпарда теорема -- физические системы -- электрическая проводимость Аннотация: Предложен новый метод расчета интегральных параметров двухмерных многоэлектродных устройств, имеющих оси или плоскости симметрии (электрической проводимости, емкости и др. ). Метод основан на совместном решении алгебраических уравнений для исходной и инверсной по отношению к ней систем (устройств), связанных между собой по принципу поворотной инвариантности двухмерных потенциальных и соленоидальных полей. Полученные на основе метода неизвестные ранее формулы для расчета погонной электрической емкости устройств сведены в таблицу, приведенную в приложении. Метод позволил расширить область применения теоремы Томпсона-Лэмпарда (Thomson-Lampard) взаимной частичной емкости на единицу длины в системе четырех цилиндрических проводящих пластин, имеющих плоскость симметрии. Полученные на основе теоремы Томпсона-Лэмпарда решения можно использовать для более широкого круга задач электротехники. Найденная связь между точными решениями для симметричных многоэлектродных систем и геометрическими параметрами правильных многоугольников позволяет исследовать свойства подобных систем без выполнения расчетов. Предложенный метод можно применить для расчета не только погонной емкости, но и других интегральных параметров двухмерных физических систем при различных условиях симметрии и распределения характеристик сред.А new method to calculate integral parameters for two-dimensional multi-electrode structures having symmetry ахеs ог planes (conductivity, capacitance etc. ) has bееn proposed. The method is based оn а simultaneous solution оf algebraic equations for original and inverted systems (structures) connected between them according to the principle оf rotatory invariance оf two-dimensional potential and solenoidal fields. Тhen unknown formulas obtained оn the basis оf this method for calculation оf linear capacitance of a series оf systems have bееn compiled in table showed in the Appendix. Тhe method makes it possible to extend the scope оf application оf Thomson- Lampard theorem оn mutual partial capacitance реr unitlength in а system containing four cylindrical conducting plates with symmetry planes. New solutions found оn the basis оf Thomson- Lampard theorem mау be used to solve а wider range оf problems in electric engineering. The connection between ехасt solutions оf symmetric multi-electrode systems and geometric parameters оf regular polygons enables us to study the properties оf similar systems without performing additional calculations. The method mау be used for calculation оf nоt only linear capacitance but other integral parameters оf two-imensional physical systems under different conditions оf symmetry and medium features distribution. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Захаров, Павел Сергеевич. Разрушение канала проводимости в элементах резистивной памяти на основе тонких пленок нестехиометрического оксида кремния [Текст] = Conductive filament rupture in resistive memory devices based on silicon-rich silica thin films / П. С. Захаров // Инженерная физика. - 2016. - № 7. - С. 53-56 : граф., схема. - Библиогр.: с. 56 (10 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): каналы проводимости -- электрическая проводимость -- резистивная память -- тонкие пленки -- нестехиометрический оксид кремния -- оксид кремния Аннотация: Исследуется обратимое переключение электрической проводимости элементов резистивной памяти на основе тонких пленок нестехиометрического оксида кремния. Изготовленные тестовые структуры с субмикронными планарными размерами демонстрируют возможность создания устройств высокоплотной памяти, совместимой с технологическим процессом кремниевой микроэлектроники. На основе анализа температурных зависимостей характеристик переключения выдвинуто предположение о том, что разрушение канала проводимости в нестехиометрическом оксиде кремния - это термоактивационный процесс с нижним пределом энергии активации на уровне примерно 0, 5 эВ. Для подтверждения данной гипотезы изучена устойчивость высокопроводящего состояния к термическому отжигу.Reversible switching of resistive memory devices based on silicon-rich silicon oxide thin film is investigated. Feasibility of CMOS-compatible highly dense storage device manufacturing has been demonstrated by fabricated submicron test structures. Temperature dependences of main switching characteristics point to thermally activated nature of filament breakdown process. The activation energy of such process was estimated to be more than approximately 0. 5 eV. Thermal stability of highly conductive state has been studied to corroborate proposed hypothesis. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Изучение эффекта снижения проводимости перед ударной волной в плазме тлеющего разряда [Текст] / А. С. Барышников [и др.] // Инженерно-физический журнал. - 2016. - Т. 89, № 3. - С. 555-558 : 4 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 558 (12 назв. ) . - ISSN 0021-0285
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): ударная волна -- тлеющий разряд -- плазма -- двойной электрический зонд -- эффект снижения проводимости -- электрическая проводимость Аннотация: Проведены исследования электрической проводимости плазмы тлеющего разряда перед ударной волной, движущейся перпендикулярно оси разряда, с помощью двойного электрического зонда. Полученные результаты показали, что взаимодействие ударной волны с плазмой тлеющего разряда сопровождается изменением ее проводимости одновременно во всем исследуемом объеме. Доп.точки доступа: Барышников, А. С.; Басаргин, И. В.; Бобашев, С. В.; Монахов, Н. А.; Попов, П. А.; Сахаров, В. А.; Чистякова, М. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ахундова, Н. М. Электрическая проводимость и теплопроводность твердого раствора Sn[1-x]Mn[x]Te (0 x 0.04) [Текст] / Н. М. Ахундова // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 9. - С. 114-117 : табл. - Библиогр.: c. 117 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): контактное сопротивление -- концентрация марганца -- омический контакт -- твердые растворы -- тепловое сопротивление -- тепловые свойства монокристаллов -- теплопроводность -- электрическая проводимость -- электрические свойства монокристаллов Аннотация: В интервале температур 77-300 К исследованы электрические и тепловые свойства монокристаллов Sn[1-x]Mn[x]Te (0 > x > 0. 04) с контактами из эвтектического сплава мас. %: 57Bi + 43Sn. Результаты показывают, что этот сплав с указанными монокристаллами образует омический контакт с достаточно низким контактным сопротивлением. Электронная теплопроводность в некоторых образцах достигает ~ 50 % от общей теплопроводности, и структурные дефекты вносят заметный вклад в тепловое сопротивление кристаллов. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Системы обогрева на основе наноструктурных многоэлектродных композиционных электрообогревателей [Текст] / Т. М. Халина [и др.] // Электротехника. - 2018. - № 12. - С. 21-29 . - ISSN 0013-5860
Рубрики: Энергетика Электротехника в целом Кл.слова (ненормированные): обогрев -- энергоэффективные системы обогрева -- водостоки -- вертикальные водостоки -- обогрев водостоков -- электрическая проводимость -- поверхностно-распределенный обогрев -- композиционные электрообогреватели -- многоэлектродные электрообогреватели -- наноструктурные электрообогреватели -- локальный обогрев -- антиобледенительные системы Аннотация: Представлен обзор и анализ существующих систем и технических средств локального обогрева объектов энергетики, агропромышленного и жилищно-коммунального комплексов, в том числе на основе наноструктурных многоэлектродных композиционных электрообогревателей. Получены электрофизические и физико-механические параметры изоляции, которые позволяют использовать электрообогреватели в агрессивных и влажных средах. Приведена методика расчета антиобледенительных систем с использованием наноструктурных многоэлектродных композиционных электрообогревателей на примере обогрева вертикальных водостоков. Установлены весовые коэффициенты ингредиентов электропроводящего композиционного материала для реализации условий саморегулирования электрообогревателя с целью обеспечения его энергоэффективного функционирования. Доп.точки доступа: Халина, Т. М.; Халин, М. В.; Дорош, А. Б.; Востриков, Е. И.; Ведманкин, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Острейко, В. Н. Координатно-структурный метод расчета электрической емкости [Текст] / В. Н. Острейко // Известия Российской академии наук. Энергетика. - 2020. - № 4. - С. 69-80 : ил. - Библиогр.: с. 79-80 (9 назв.) . - ISSN 0002-3310
Рубрики: Энергетика Теоретические основы электротехники Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая проницаемость -- координатно-структурный метод -- координаты аппроксимации -- координаты поля -- магнитная проводимость -- ортогональные координаты -- скалярный потенциал -- эквипотенциальные поверхности -- электрическая напряженность -- электрическая проводимость -- электрические емкости -- электрические заряды Аннотация: Изложена теория координатно-структурного метода, основанная на интерпретации геометрической структуры потенциального электрического поля как ортогональной криволинейной системы координат, названных координатами поля. В таких координатах скалярный потенциал зависит только от одной переменной и, следовательно, вектор электрической напряженности имеет лишь одну составляющую. Это позволяет получить три различных по виду, но эквивалентных по сути, буквенных формул для электрической емкости. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |