Теплоемкость биоморфного карбида кремния при низких температурах [Текст] / И. А. Смирнов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1750-1753. - Библиогр.: с. 1753 (21 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): биоморфный карбид кремния -- карбид кремния -- импульсный квазидиабатический метод -- поверхностные колебания -- теплоемкость -- широкозонные полупроводники Аннотация: В интервале температур 3. 5-60 K измерена теплоемкость биоморфного карбида кремния - высокопористого материала с особым видом канальных пор, полученного из биоморфного композита SiC/Si, приготовленного на основе дерева эвкалипта, путем удаления из него химическим способом избыточного кремния. Показано, что основной вклад в теплоемкость биоморфного SiC вносят поверхностные колебания. Доп.точки доступа: Смирнов, И. А.; Смирнов, Б. И.; Krivchikov, A. I.; Misiorek, H.; Jezowski, A.; Arellano-Lopez, A. R.; Martinez-Fernandez, J.; Sepulveda, R. |
Шишонок, Е. М. Люминесцентные исследования кубического нитрида бора легированного бериллием [Текст] / Е. М. Шишонок, T. Taniguchi, T. Sekiguchi // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1797-1803. - Библиогр.: с. 1802-1803 (26 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): катодолюминесценция -- кубический нитрид бора -- люминесценция -- спектры катодолюминеценции -- спектры фотолюминесценции -- широкозонные полупроводники -- фотолюминесценция Аннотация: Исследованы спектры катодолюминесценции монокристаллов кубического нитрида бора cBN, легированных бериллием в условиях высоких давлений и температур. Установлено, что легирование бериллием приводит к стабильному образованию в спектрах катодолюминесценции cBN широкой полосы, положение максимума которой с увеличением концентрации примеси смещается в коротковолновую область спектра в интервале длин волн от около 315 до около 250 nm; при этом цвет кристаллов изменяется от темно-желтого до синего. По результатам исследований зависимостей структуры, интенсивности и положения максимума полосы от температуры измерения спектров катодолюминесценции предложена предварительная интерпретация ее природы в модели рекомбинации на дефектах дoнорного и акцепторного типов. Сделано предложение о присутствии вблизи валентной зоны легированного cBN нескольких перекрывающихся подзон, связанных с разнозарядными акцепторными уровнями бериллия. В спектрах фотолюминесценции легированных монокристаллов cBN зарегистрированы три неизвестные ранее бесфононные линии с энергиями 2. 135, 2. 27 и 2. 60 eV. Доп.точки доступа: Taniguchi, T.; Sekiguchi, T. |
Теоретическое и экспериментальное исследование поверхностных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия [Текст] / И. А. Бобровникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 422-428
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- эпитаксиальные слои -- GaN -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- атомы галлия -- атомы азота -- широкозонные полупроводники Аннотация: С помощью метода атомно-силовой микроскопии проведены экспериментальные исследования влияния условий роста на структуру поверхности эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Получены количественные значения плотности, высоты и ширины центров роста в зависимости от условий эпитаксии, выполнены оценки средней длины диффузионного пробега частиц, лимитирующих скорость роста GaN, рассчитаны энергии активации и коэффициенты поверхностной диффузии для этих частиц. Проведены расчеты равновесного состава адсорбционных слоев на поверхности (0001) GaN в широком диапазоне температур осаждения и давлений галлия и азота с учетом следующих компонентов: атомы галлия, атомы азота и молекулы NH. На основании сопоставления экспериментальных данных по структуре поверхности GaN и расчетных данных по составу адсорбционных слоев на поверхности роста сделано предположение о том, что во всем диапазоне условий молекулярно-лучевой эпитаксии рост слоев GaN лимитируется доставкой галлия. Доп.точки доступа: Бобровникова, И. А.; Ивонин, И. В.; Новиков, В. А.; Преображенский, В. В. |
Оптические свойства пленок GaN/Al[2]O[3], легированных кремнием [Текст] / Н. С. Заяц [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 617-620
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллические пленки -- широкозонные полупроводники -- газофазная эпитаксия -- запрещенная зона -- легирование пленок Аннотация: Проведены морфологические и оптические исследования пленок GaN, легированных кремнием (уровень легирования N[Si]=1. 5 х 10\{19\} см\{-3\}), выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках из сапфира, ориентированных по кристаллографической оси c. Для выращенных пленок GaN получены следующие физические параметры: энергия электронного перехода E[0], коэффициент поглощения альфа, показатель преломления n, частоты поперечных и продольных оптических колебаний решетки, характерные для кристаллических пленок GaN. Доп.точки доступа: Заяц, Н. С.; Генцарь, П. А.; Бойко, В. Г.; Литвин, О. С.; Вуйчик, Н. В.; Стронский, А. В.; Янчук, И. Б. |
Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием [Текст] / О. А. Новодворский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 439-444
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерное осаждение -- монокристаллические подложки -- примеси галлия -- рентгеноструктурные исследования -- широкозонные полупроводники -- лазерные диоды Аннотация: Методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллических подложках сапфира (0001) получены пленки ZnO n-типа проводимости, легированные галлием до 2. 5 ат%. Определены зависимости пропускания пленок ZnO в спектральном диапазоне от 200 до 3200 нм от концентрации примеси галлия. Установлено, что увеличение концентрации примеси галлия смещает границу фундаментальной полосы поглощения в синюю область, но снижает прозрачность пленок ZnO в инфракрасной области спектра. Определена зависимость ширины запрещенной зоны ZnO от уровня легирования галлием. Получены спектры фотолюминесценции пленок ZnO с различным уровнем легирования. Установлена немонотонная зависимость интенсивности и положения максимума фотолюминесценции от уровня легирования. Проведены рентгеноструктурные исследования пленок. Установлена зависимость кристаллографических параметров (постоянной решетки c) пленки ZnO от концентрации примеси галлия и условий процесса напыления. Доп.точки доступа: Новодворский, О. А.; Горбатенко, Л. С.; Панченко, В. Я.; Храмова, О. Д.; Черебыло, Е. А.; Венцель, К.; Барта, Й. В.; Бублик, В. Т.; Щербачев, К. Д. |
Бланк, Т. В. Протекание тока по металлическим шунтам в омических контактах к широкозонным полупроводникам A{III}B{V} [Текст] / Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг, Е. А. Поссе // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1204-1209 : ил. - Библиогр.: с. 1209 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- полупроводники -- широкозонные полупроводники -- GaAs -- GaP -- GaN -- металлические шунты -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- сопротивления -- дислокации Аннотация: Экспериментально установлено, что контакт металл-широкозонный полупроводник (GaAs, GaP, GaN) с барьером Шоттки переходит в омический контакт либо в процессе непрерывного нагревания, либо в процессе выдержки при повышенной температуре еще до образования каких-либо рекристаллизованных слоев. При этом сопротивление контакта, приведенное к единице площади, возрастает с ростом температуры для полупроводников с высокой плотностью дислокаций (GaP, GaN). Предполагается, что в таких контактах ток протекает по металлическим шунтам, закорачивающим слой объемного заряда и представляющим собой атомы металла, продиффундировавшие по линиям дислокаций или других несовершенств полупроводника. Сопротивление омического контакта, приведенное к единице площади, в полупроводниках с низкой плотностью дислокаций (GaAs) уменьшается с ростом температуры, как и ожидалось для термоэлектронного механизма протекания тока. Доп.точки доступа: Гольдберг, Ю. А.; Поссе, Е. А. |
Дегода, В. Я. Особенности люминесценции и электропроводимости селенида цинка при фото- и рентгеновском возбуждении [Текст] / В. Я. Дегода, А. А. Софиенко // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 594-599 : ил. - Библиогр.: с. 599 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): селенид цинка -- ZnSe -- фотопроводимость -- ФП -- фотолюминесценция -- ФЛ -- рентгенолюминесценция -- РЛ -- рентгенопроводимость -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- релаксация тока -- фосфоресценция -- кинетика фосфоресценции -- спектры люминесценции -- возбуждение -- рекомбинация -- широкозонные полупроводники Аннотация: Проведено сравнение комплексных экспериментальных результатов исследования рентгенолюминесценции и рентгенопроводимости ZnSe с данными по фотолюминесценции и фотопроводимости. Экспериментально установлено различие вольт-амперных характеристик, кинетики фосфоресценции и релаксации тока в зависимости от типа возбуждения. Показано, что внешнее электрическое поле влияет на интенсивность и форму полос в спектрах люминесценции. Установлено, что характер возбуждения является определяющим для кинетики рекомбинации, захвата носителей заряда и проводимости в широкозонных полупроводниках. Доп.точки доступа: Софиенко, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Паращук, В. В. Оптимизация предельных режимов стримерного полупроводникового лазера [Текст] / В. В. Паращук, К. И. Русаков, Р. Б. Джаббаров // Известия Томского политехнического университета. - 2007. - Т. 310, N 1. - С. 82-86 : ил. - Библиогр.: с. 86 (11 назв. ). . - ISSN 1684-8519
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые лазеры -- стримерные лазеры -- предельные режимы -- оптимизация режимов -- электрические поля -- оптические поля -- стримерные разряды -- широкозонные полупроводники -- спектроскопические свойства -- активные среды -- люминесцентные характеристики -- повышение эффективности лазеров -- стримерное свечение Аннотация: Исследовано влияние интенсивных электрического и оптического полей, создаваемых стримерным разрядом в широкозонных полупроводниках, на их спектроскопические свойства. Данный эффект проявляется в возникновении обратимой перестройки люминесцентных характеристик активной среды. Предложены методы существенного повышения срока службы и эффективности стримерного лазера при предельных режимах, основанные на использовании полупроводниковых защитных слоев определенной кристаллографической ориентации и кристаллического микрорельефа с размером элементов порядка длины волны света. Обнаружено и изучено стримерное свечение в новых перспективных соединениях CaGa[2]S[4]: Eu, Ca[4]Ga[2]S[7]: Eu. Доп.точки доступа: Русаков, К. И.; Джаббаров, Р. Б. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |