Голубев, С. В. Мазер на циклотронном резонансе с адиабатической магнитной накачкой в разреженной плазме [Текст] / С. В. Голубев, А. Г. Шалашов // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 2. - С. 84-88
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): мазеры -- плазма -- разреженная плазма -- магнитное адиабатическое сжатие плазмы -- циклотронный резонанс Аннотация: Найдены условия, при которых магнитное адиабатическое сжатие плазмы в прямой магнитной ловушке сопровождается накоплением значительной энергии в горячей анизотропной электронной компоненте. Проанализированы основные неустойчивости, приводящие к сбросу накопленной энергии в виде импульса стимулированного электромагнитного излучения. Обсуждается возможность создания источников излучения терагерцового диапазона частот с использованием магнитного сжатия плазмы. Доп.точки доступа: Шалашов, А. Г. |
Microwave induced magnetoresistance oscillations at the subharmonics of the cyclotron resonance [Text] / S. I. Dorozhkin [и др. ] // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 8. - С. 616-620
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): осцилляции магнитосопротивления -- субгармоники -- циклотронный резонанс Доп.точки доступа: Dorozhkin, S. I.; Smet, J. H.; Klitzing, K. von; Pfieffer, L. N.; West, K. W. |
Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1481-1495 : ил. - Библиогр.: с. 1494 (53 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- бор -- сопротивления -- удельные сопротивления -- термоэдс -- теплоемкость -- статическая магнитная восприимчивость -- циклотронный резонанс -- ЦР -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- корреляционная энергия -- отрицательная корреляционная энергия -- акцепторы бора -- дырочные биполяроны -- высокотемпературная сверхпроводимость -- наноструктурированные delta-барьеры -- локальная туннельная спектроскопия -- ЛТС -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- оптические свойства -- электрические свойства -- сверхпроводящие свойства -- температурная зависимость -- полевая зависимость -- осцилляция -- квантование -- критическая температура -- вторичная ионная масс-спектроскопия -- ВИМС -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- сверхтоки Аннотация: Сверхпроводящие свойства кремниевых сандвич-наноструктур на поверхности Si (100) n-типа, которые представляют собой сверхузкие кремниевые квантовые ямы p-типа, ограниченные delta-барьерами, сильно легированными бором, проявляются в измерениях температурных и полевых зависимостей удельного сопротивления, термоэдс, теплоемкости и статической магнитной восприимчивости. Данные исследований циклотронного резонанса, сканирующей туннельной микроскопии и ЭПР идентифицируют наличие в наноструктурированных delta-барьерах одиночных тригональных дипольных центров бора, B{+}-B{-}, с отрицательной корреляционной энергией, которые сформированы вследствие реконструкции мелких акцепторов бора, 2B{0}- B{+}+B{-}. Полученные результаты свидетельствуют о том, что эти центры с отрицательной корреляционной энергией ответственны за перенос дырочных биполяронов малого радиуса, который, по-видимому, лежит в основе механизма высокотемпературной сверхпроводимости TC=145 K. Причем значение величины сверхпроводящей щели, 0. 044 эВ, определенное с помощью измерений критической температуры при использовании вышеуказанных методик, практически идентично данным локальной туннельной спектроскопии и прямой регистрации туннельных ВАХ. Квантование характеристик сверхпроводимости кремниевых сандвич-наноструктур проявляется в температурных и полевых зависимостях теплоемкости и статической магнитной восприимчивости, которые демонстрируют осцилляции второго критического поля и критической температуры, возникающие вследствие квантования сверхтока. Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Романов, В. В. |
Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях [Текст] / А. В. Иконников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1539-1542. : ил. - Библиогр.: с. 1541 (5 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- циклотронный резонанс -- ЦР -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые каскадные лазеры -- ККЛ -- магнитные поля -- уровни Ландау -- Ландау уровни -- спиновая релаксация -- время спиновой релаксации -- дырки (физика) Аннотация: Исследованы спектры циклотронного резонанса дырок в селективно-легированных гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях до 50 Тл при 4. 2 K. Подтвержден обнаруженный ранее эффект инвертированного (по сравнению с результатами одночастичного расчета уровней Ландау) соотношения интегральных интенсивностей двух расщепившихся компонент линии циклотронного резонанса, связываемый с эффектами обменного взаимодействия дырок. Обнаружено, что на восходящей и нисходящей ветвях импульса магнитного поля соотношения интенсивностей компонент линии циклотронного резонанса сильно различаются, что может быть связано с большим временем спиновой релаксации дырок между двумя нижними уровнями Ландау, составляющим десятки миллисекунд. Доп.точки доступа: Иконников, А. В.; Спирин, К. Е.; Гавриленко, В. И.; Козлов, Д. В.; Драченко, О.; Schneider, H.; Helm, M. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Циклотронный резонанс в гетероструктурах с квантовыми ямами InSb/AlInSb [Текст] / Ю. Б. Васильев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1559-1562. : ил. - Библиогр.: с. 1562 (10 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): циклотронный резонанс -- ЦР -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- InSb/AlInSb -- двумерные электроны -- электроны -- магнитные поля -- поглощение электронов -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- модель Кейна -- Кейна модель -- спин-орбитальное взаимодействие Аннотация: Проведены исследования поглощения двумерных электронов в квантовых ямах на основе InSb в квантующих магнитных полях в терагерцовой области спектра. В качестве источника излучения использовался циклотронный лазер на p-Ge. Из спектров циклотронного резонанса определена эффективная масса носителей на уровне Ферми, равная 0. 0219[m0] (m0 масса свободного электрона). Показано, что спектр электронов описывается моделью Кейна в широком диапазоне магнитных полей. В слабых магнитных полях наблюдается аномально сильное расщепление линии циклотронного резонанса, не связанное с непараболичностью зоны проводимости InSb, которое может быть объяснено эффектом спин-орбитального взаимодействия. Доп.точки доступа: Васильев, Ю. Б.; Gouider, F.; Nachtwei, G.; Buckle, P. D. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Витлина, Р. З. Циклотронный резонанс в двумерном полуметалле [Текст] / Р. З. Витлина, Л. И. Магарилл, А. В. Чаплик // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 93, вып. 4. - С. 228-230.
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерные полуметаллы -- циклотронный резонанс -- СВЧ волны -- ВЧ волны -- плазменные эффекты Аннотация: Теоретически исследован циклотронный резонанс двумерного полуметалла в связи с недавними экспериментами. Конечность образца приводит к неоднородности поля возбуждающей СВЧ волны, и поэтому возникает плазменный сдвиг резонансной частоты. В двухкомпонентной системе имеются две ветви магнитоплазмонов, которые при выполнении установленного в работе критерия могут испытывать псевдопересечение. Найдены резонансные частоты и интенсивности пиков поглощения. Последние сложным образом зависят от концентраций электронов и дырок. Доп.точки доступа: Магарилл, Л. И.; Чаплик, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Шаныгин, Виталий Яковлевич (аспирант). Модификация наноморфологии монокристаллов кремния (100) при СВЧ плазменной обработке различной селективностью [Текст] / В. Я. Шаныгин, Р. К. Яфаров // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2012. - № 66. - С. 184-191 : ил. - Библиогр.: с. 191 (7 назв.) . - ISSN 1999-8341
Рубрики: Энергетика Электротехнические материалы и изделия в целом Кл.слова (ненормированные): модификация -- наноморфология -- монокристаллы -- кремний -- СВЧ обработка -- плазменная обработка -- селективность -- высокоионизованная плазма -- циклотронный резонанс -- электронный резонанс -- СВЧ газовые разряды -- кристаллографическая ориентация Аннотация: Исследованы закономерности влияния режимов высокоионизованной плазмы электронного циклотронного резонанса СВЧ газового разряда низкого давления на наноморфологию поверхности монокристаллов кремния кристаллографической ориентации.Regularities of influence of modes of high ionized plasma of an electronic cyclotron resonance of the microwave of the gas discharge of low pressure upon nanomorphology of a surface of single crystals of silicon of crystallographic orientation are investigated. Доп.точки доступа: Яфаров, Равиль Кяшшафович (доктор технических наук; профессор) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Циклотронный резонанс в узкозонных гетероструктурах на основе HgTe/CdTe(013) в квантующих магнитных полях [Текст] / А. В. Иконников [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 8. - С. 452-456
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): узкозонные гетероструктуры -- гетероструктуры -- циклотронный резонанс -- квантующие магнитные поля -- магнитные поля -- уровни Ландау -- Ландау уровни -- модель Кейна -- Кейна модель Аннотация: Исследован циклотронный резонанс электронов в квантующих магнитных полях в узкозонных гетероструктурах на основе HgTe/CdTe (013) с неинвертированной зонной структурой при различных концентрациях. Обнаружены циклотронные переходы с нижних уровней Ландау зоны проводимости. Выполнены расчеты уровней Ландау на основе модели Кейна с учетом деформации. Сопоставление расчетов с экспериментальными результатами показывает систематическое превышение энергий наблюдаемых циклотронных переходов над рассчитанными. Доп.точки доступа: Иконников, А. В.; Жолудев, М. С.; Маремьянин, К. В.; Спирин, К. Е.; Ластовкин, A. A.; Гавриленко, В. И.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Индуцированные терагерцовым излучением осцилляции магнитосопротивления двумерного электронного газа с высокой концентрацией и подвижностью [Текст] / З. Д. Квон [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 1. - С. 45-48
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерный электронный газ -- терагерцовое излучение -- квантовые ямы -- GaAs -- магнитосопротивление -- циклотронный резонанс -- гармоники циклотронного резонанса Аннотация: Изучен терагерцовый отклик двумерного электронного газа с высокой концентрацией и подвижностью в GaAs квантовых ямах шириной 13 нм на частотах 0. 7 и 1. 63 ТГц. Обнаружены индуцированные терагерцовым излучением осцилляции магнитосопротивления, положение максимумов которых совпадает с положением гармоник циклотронного резонанса (ЦР). Показано, что при воздействии излучения с частотой 0. 7 ТГц наблюдается большое число гармоник (вплоть до девятой). В этом случае эффект является аналогом осцилляций, индуцированных микроволновым излучением. При более высокой частоте амплитуда осцилляций резко уменьшается с возрастанием номера гармоник. Это свидетельствует о переходе к режиму ординарных гармоник ЦР. Доп.точки доступа: Квон, З. Д.; Козлов, Д. А.; Данилов, С. Н.; Цот, С.; Вирлинг, П.; Стэчел, С.; Бельков, В. В.; Бакаров, А. К.; Дмитриев, Д. В.; Торопов, А. И.; Ганичев, С. Д. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Проявление полуметаллического состояния в циклотронном резонансе низкосимметричных квантовых ям на основе HgTe [Текст] / А. А. Грешнов [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 2. - С. 108-113
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): циклотронный резонанс -- квантовые ямы -- полуметаллическое состояние -- HgTe -- интерфейсное состояние Дьяконова-Хаецкого -- Дьяконова-Хаецкого интерфейсное состояние Аннотация: Проведены измерения циклотронного резонанса в квантовых ямах HgTe/CdHgTe толщиной 21 нм с различными кристаллографическими ориентациями плоскостей ям. Исследования показали, что в отличие от структур с ориентацией (001) ямы с ориентацией (013) находятся в полуметаллическом состоянии, а их спектры поглощения содержат линии циклотронного резонанса как электронов, так и дырок. Одновременное наблюдение двух типов носителей связано с перекрытием верхних подзон размерного квантования тяжелых дырок (hh1, hh2), которое обусловлено их сильным взаимодействием с интерфейсным состоянием Дьяконова-Хаецкого. Доп.точки доступа: Грешнов, А. А.; Васильев, Ю. Б.; Михайлов, Н. Н.; Васильева, Г. Ю.; Смирнов, Д. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности оптимизации подсистем непрерывного гиротрона с частотой генерации 0,26 ТГц на основном циклотронном резонансе [Текст] / М. Ю. Глявин [и др.] // Известия вузов. Радиофизика. - 2015. - Т. 58, № 9. - С. 720-731 : 8 рис. - Библиогр.: с. 730-731 (38 назв. ) . - ISSN 0021-3462
Рубрики: Машиностроение Обработка металлов резанием Кл.слова (ненормированные): оптимизация -- циклотронный резонанс -- гиротрон -- резонатор -- криомагнит Аннотация: В статье представлены результаты разработки основных узлов работающего в непрерывном режиме гиротрона с частотой генерации 0, 26 ТГц. С целью улучшения селекции рабочего типа колебаний в сверхразмерной электродинамической системе гиротрон работает на основной циклотронной гармонике, для чего предполагается использовать не требующий заливки жидким гелием криомагнит с максимальным магнитным полем 10 Тл. Приведены результаты оптимизации электронно-оптической системы, резонатора, квазиоптического преобразователя выходного излучения, а также описывается разработанная для комплекса система управления. Доп.точки доступа: Глявин, М. Ю.; Денисов, Г. Г.; Запевалов, В. Е.; Куфтин, А. Н.; Мануилов, В. Н.; Солуянова, Е. А.; Седов, А. С.; Холопцев, В. В.; Чирков, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Поляков, П. А. Дисперсионные уравнения для ионной плазмы с учетом спина электрона [Текст] / П. А. Поляков, Н. Е. Русакова, Ю. В. Самухина // Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Т. 80, № 5. - С. 604-606. - Библиогр.: c. 606 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): дисперсионные уравнения -- ионная плазма -- магнитные моменты частиц -- плазменные моды -- циклотронный резонанс Аннотация: В работе рассмотрено распространение волн в ионной магнитоактивной плазме вдоль внешнего магнитного поля с учетом динамики собственного магнитного момента частиц. Показано, что учет динамики спина частиц приводит к появлению новой плазменной моды в области частот, близких к циклотронной частоте. Получено дисперсионное уравнение для распространения волн в безграничной плазменной среде, рассмотрены частные случаи. Доп.точки доступа: Русакова, Н. Е.; Самухина, Ю. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |