Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания [Текст] / И. В. Грехов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1135-1139. : ил. - Библиогр.: с. 1139 (23 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структурные свойства -- электрические свойства -- прямое сращивание -- метод прямого сращивания -- подложки SiGe-на-изоляторе -- термически окисленные пластины -- кристаллы -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- химико-техническая полировка -- термическое окисление -- кремниевые пластины Аннотация: Предложен новый способ изготовления подложек SiGe-на-изоляторе- прямое сращивание термически окисленных пластин Si с пластинами Si[1-x]Ge[x] из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Формирование слоев Si[1-x]Ge[x] толщиной не более 10 мкм в композициях SiGe/SiO[2]/Si осуществлялось химико-механической полировкой. Для увеличения содержания Ge в слое Si[1-x]Ge[x] использовалось термическое окисление. Показано, что увеличение концентрации Ge и процедура термообработок при 1250{o}C не сопровождаются ухудшением структурных и электрических характеристик слоев Si[1-x]Ge[x]. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Костина, Л. С.; Аргунова, Т. С.; Белякова, Е. И.; Рожков, А. В.; Шмидт, Н. М.; Юсупова, Ш. А.; Je, J. H. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |