Влияние самокомпенсации на время жизни электрона в теллуриде кадмия, легированном галлием [Текст] / Е. В. Рабенок [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 878-883 : ил. - Библиогр.: с. 882 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): самокомпенсация -- электроны -- время жизни электронов -- теллурид кадмия -- легирование -- галлий -- фотопроводимость -- сверхвыкокочастотная фотопроводимость -- катодолюминесценция -- элементарные процессы -- заряженные частицы -- твердые растворы -- поликристаллические твердые растворы -- датчики интроскопии -- фотоотклик -- амплитуда -- характеристическое время -- фотогенерированные электроны -- энергетические ловушки Аннотация: Методами сверхвысокочастотной фотопроводимости и катодолюминесценции исследованы элементарные процессы с участием заряженных частиц в поликристаллических твердых растворах на основе теллурида кадмия CdTe-GaTe и CdTe-Ga[2]Te[3] - перспективных активных средах датчиков интроскопии человека с низкой дозовой нагрузкой. Экспериментально установлено, что амплитуда, характеристическое время и форма спада фотоотклика зависели от уровня легирования, причем характеристическое время спада увеличивалось с ростом уровня легирования. Показано, что изменение кинетики гибели фотогенерированных электронов в легированном теллуриде кадмия (по сравнению с исходным) обусловлено эффектом самокомпенсации, приводящим к перераспределению ловушек по энергиям. Доп.точки доступа: Рабенок, Е. В.; Гапанович, М. В.; Новиков, Г. Ф.; Один, И. Н. |