Влияние орбитального упорядочения на транспортные и магнитные свойства MnSe и MnTe [Текст] / С. С. Аплеснин [и др. ]> // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 11. - С. 1984-1989. - Библиогр.: с. 1988-1989 (19 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): магнитная восприимчивость -- Нееля температура -- орбитальное упорядочение -- проводимость -- температура Нееля -- термоциклирование -- удельное электросопротивление -- халькогениды марганца Аннотация: Проведены измерения проводимости на поликристаллических образцах MnSe и MnTe при термоциклировании в интервале температур 80 < T < 300 K в магнитном поле до 5kOe. В MnSe найдены магниторезестивные эффекты в области температур ниже температуры Нееля. Особенности температурных зависимостей магнитной восприимчивости и удельного электросопротивления в определенных интервалах температур объясняются в рамках орбитального упорядочения, описываемого псевдоорбитальными моментами, взаимодействующими со спинами. Доп.точки доступа: Аплеснин, С. С.; Рябинкина, Л. И.; Романова, О. Б.; Балаев, Д. А.; Демиденко, О. Ф.; Янушкевич, К. И.; Мирошниченко, Н. С. |
Спектроскопия заряженных дефектов в тонких слоях стеклообразного Ge[0. 285]Pb[0. 15]S[0. 565] [Текст] / Р. А. Кастро [и др. ]> // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 382-384
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): стеклообразные системы -- спектры релаксаторов -- изотермическая релаксация -- халькогениды стеклообразных полупроводников -- инфранизкие частоты Аннотация: На основании экспериментальных кривых изотермической релаксации темнового тока в тонких пленках стеклообразного полупроводника Ge[0. 285]Pb[0. 15]S[0. 565] впервые проведен расчет функции распределения времен релаксации, ее основных параметров и энергетического распределения плотности состояний заряженных дефектов. Полученные результаты подтверждают предположения о существовании в исследуемой системе недебаевского механизма дисперсии в интервале инфранизких частот и могут быть использованы для дальнейшего исследования электронных свойств неупорядоченных полупроводников. Доп.точки доступа: Кастро, Р. А.; Бордовский, В. А.; Анисимова, Н. И.; Грабко, Г. И. |
Анализ текстуры в слитках халькогенидов Bi и Sb для определения формы фронта кристаллизации и глубины нарушенных резкой слоев [Текст] / Ю. М. Белов [и др. ]> // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2009. - Т. 75, N 5. - С. 28-31 . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): халькогениды -- Bi -- Sb -- висмут -- сурьма -- кристаллизация -- нарушенные слои -- рентгеноструктурная диагностика -- крупнокристаллические пластины -- термоэлектрические материалы -- оценка глубины нарушенных резкой слоев -- термоэлементы -- определение текстуры халькогенидов -- текстура халькогенидов Аннотация: Показано применение рентгеноструктурной методики для оценки формы фронта кристаллизации, текстуры и однородности состава крупнокристаллических пластин термоэлектрического материала на основе халькогенидов Bi и Sb, полученных методом кристаллизации из расплава. Доп.точки доступа: Белов, Ю. М.; Бублик, В. Т.; Воронин, А. И.; Выговская, Е. А.; Пономарев, В. Ф.; Табачкова, Н. Ю.; Торопова, О. В. |
Еремеев, С. В. Тройные халькогениды полуметаллов на основе таллия (Tl-V-VI[2]) - новый класс трехмерных топологических изоляторов [Текст] / С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков> // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. вып. 11. - С. 664-668
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): халькогениды -- халькогениды полуметаллов -- тройные халькогениды -- топологические изоляторы -- трехмерные топологические изоляторы -- электронная структура -- защищенное поверхностное состояние -- дираковский конус -- диэлектрики -- запрещенная щель Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования объемной и поверхностной электронной структуры соединений Tl-V-VI[2], где V - полуметаллы Bi и Sb, VI - халькогены Se и Te. Показано, что материалы рассмотренной серии соединений являются трехмерными топологическими изоляторами. На поверхности данных соединений присутствуют как топологически защищенное поверхностное состояние, формирующее в окрестности точки дираковский конус, так и занятые состояния типа "оборванной связи", локализованные в запрещенной щели. Доп.точки доступа: Коротеев, Ю. М.; Чулков, Е. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Мамедов, А. А. Влияние дефектности структуры кристаллов gamma-La[2 (1-x) ]Nd[2x]S[3] на их спектроскопические свойства [Текст] / А. А. Мамедов> // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 440-444 : ил. - Библиогр.: с. 444 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- комбинационное рассеяние света -- монокристаллы -- нелегированные монокристаллы -- спектры фотолюминесценции -- спектроскопические свойства -- кристаллы -- дефектность -- халькогениды -- редкоземельные ионы -- РЗ ионы -- ионы -- длина волны -- неодим Аннотация: Приводятся результаты исследования фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света нелегированных монокристаллов gamma-Ln[2]S[3] (Ln-редкоземельный ион), а также кинетики распада уровня {4}F[3/2] ионов неодима в этих кристаллах. Дается объяснение искажения кривой распада уровня {4}F[3/2] ионов неодима при возбуждении светом с длиной волны lambda=0. 53 мкм. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кристаллическая структура и электронные свойства твердых растворов Gd[x]Mn[1-x]S и Ti[x]Mn[1-x]Se [Текст] / А. И. Галяс [и др. ]> // Физика твердого тела. - 2010. - С. 639-642. - Библиогр.: с. 642 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- фазовые превращения -- широкозонные магнитные полупроводники -- халькогениды марганца Аннотация: Определены области существования твердых растворов сульфидов Gd[x]Mn[1-x]S и селенидов Ti[x]Mn[1-x]Se. В интервале температур 80-900 K изучены особенности электрических и термоэлектрических свойств. Установлено, что при замещении катионов Mn{+2} ионами Gd{+2} и Ti{+2} имеет место смена типа носителя заряда по отношению к исходным соединениям MnS и MnSe. Катионное замещение в твердых растворах приводит к смене дырочного типа проводимости (альфа>0), свойственного моносульфиду и моноселениду марганца, на электронный (альфа<0). Доп.точки доступа: Галяс, А. И.; Демиденко, О. Ф.; Маковецкий, Г. И.; Янушкевич, К. И.; Рябинкина, Л. И.; Романова, О. Б. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Двухэлектронные центры олова, образующиеся в стеклообразных халькогенидах мышьяка в результате ядерных превращений [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ]> // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1012-1016. : ил. - Библиогр.: с. 1016 (10 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): примесные атомы -- стеклообразные халькогениды мышьяка -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- материнские атомы -- ядерные превращения -- двухэлектронные центры олова -- мышьяк -- корреляционная энергия -- радиоактивный распад -- мессбауэровская спектроскопия -- мессбауэровские спектры -- ядерный квадрупольный резонанс -- ЯКР -- метод ядерного квадрупольного резонанса Аннотация: Примесные атомы {119m}Sn, образующиеся после радиоактивного превращения материнских атомов {119mm}Sn в структуре стекол As[2]S[3], As[2]Se[3] и As[2]Te[3], входят в состав стекла в виде структурных единиц, отвечающих четырехвалентному олову. Примесные атомы {119m}Sn, образующиеся после радиоактивного распада атомов {119}Sb в структуре стекол As[2]S[3] и As[2]Se[3], локализуются в узлах мышьяка и играют роль двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией. Для стекла As[2]Te[3] аналогичным образом образующиеся атомы {119m}Sn электрически неактивны. Большая часть дочерних атомов {119m}Sn, образующихся после радиоактивного распада материнских атомов {119m}Te в стеклах As[2]S[3], As[2]Se[3] и As[2]Te[3], находится в узлах халькогенидов, и они электрически неактивны. Значительная энергия отдачи дочерних атомов в случае распада {119m}Te приводит к появлению смещенных атомов {119m}Sn. Доп.точки доступа: Бордовский, Г. А.; Гладких, П. В.; Кожокарь, М. Ю.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.; Теруков, Е. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Раткин, Л. С. Перспективы разработки и освоения производства наноматериалов [Текст] / Л. С. Раткин> // Нано- и микросистемная техника. - 2011. - N 11. - С. 30-32. . - Библиогр.: с. 32 (5 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоэлектроника в целом Кл.слова (ненормированные): наноматериалы -- фуллерены -- мультимодальные наносистемы -- модификация поверхности -- нанокристаллическая структура -- катализ -- адсорбция -- гидроксил-апатит -- халькогениды -- нанотехнологии Аннотация: Под патронажем Российской академии наук (РАН), Министерства образования и науки РФ, Отделения химии и наук о материалах РАН, Научного Совета по наноматериалам при Президиуме РАН, Института металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН и МГУ им. М. В. Ломоносова весной 2011 года в Москве была организована и проведена IV Всероссийская конференция по наноматериалам. Доп.точки доступа: Российская академия наук; Министерство образования и науки РФ; Всероссийская конференция по наноматериалам Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Модели U-минус-центра олова в халькогенидных кристаллических и стеклообразных проводниках [Текст] = Models of negative U-tin-Centers in chalcogenide crystalline and glassy semiconductors / Г. А. Бордовский [и др.]> // Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. - 2012. - № 147. - С. 37-50 : 12 рис. - Библиогр.: с. 47-50 (25 назв. ) . - ISSN 1992-6464
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Физика твердого тела. Кристаллография в целом Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): халькогениды свинца -- мышьяк -- эмиссионная мессбауэровская спектроскопия -- мессбауэровская спектроскопия -- спектроскопия -- полупроводники -- полиметаллы -- олово -- германий -- таллиевые стекла -- германатные стекла -- стеклообразные полупроводники Аннотация: Рассмотрены результаты исследования донорных U-минус-центров в халькогенидах свинца и амфотерных U-минус-центров в стеклообразных халькогенидах мышьяка и германия методом мессбауэровской спектроскопии. Доп.точки доступа: Бордовский, Геннадий Алексеевич (доктор физико-математических наук; профессор; президент Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена); Марченко, Алла Валентиновна (кандидат физико-математических наук; доцент кафедры физической электроники); Кожокарь, Михаил Юрьевич (аспирант кафедры физической электроники); Николаева, Анна Валерьевна (студентка 5 курса) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Синтез, структурные и магнитные свойства анион-замещенных халькогенидов марганца [Текст] / С. С. Аплеснин [и др.]> // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 7. - С. 1296-1301. - Библиогр.: с. 1300-1301 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): анион-замещенные халькогениды марганца -- кристаллические структуры -- магнитные свойства -- халькогениды марганца Аннотация: Проведены синтез и исследования кристаллическoй структуры и магнитных свойств анион-замещенных твердых растворов MnSe[1-x]Te[x]. Показано, что в области концентраций 0=< x=<0. 4 твердые растворы обладают гранецентрированной кубической структурой. С ростом концентрации замещающего элемента в системе MnSe[1-x]Te[x] выявлено увеличение коэффициента теплового расширения образца. Исследования магнитных свойств выполнены в интервале температур 80 K в магнитном поле до 8. 6 kOe. Экспериментально установлено, что тип антиферромагнитного порядка (второй тип упорядочения) не меняется во всем интервале концентраций до x = 0. 4, а парамагнитная температура Кюри и температура Нееля уменьшаются в пределах 20%. Проведены теоретические расчеты методом Монте-Карло и предложена модель нанокластеров с нескомпенсированным антиферромагнитным моментом. Доп.точки доступа: Аплеснин, С. С.; Романова, О. Б.; Горев, М. В.; Васильев, А. Д.; Демиденко, О. Ф.; Маковецкий, Г. И.; Янушкевич, К. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние состава на электрические свойства низкотемпературных ионных проводников в системе Cu[1-x]Ag[x]GeAsSe[3] [Текст] / О. Л. Хейфец [и др.]> // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 8. - С. 1466-1469. - Библиогр.: с. 1469 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электрические свойства -- низкотемпературные ионные проводники -- ионные проводники -- халькогениды -- атомы серебра -- атомы меди Аннотация: Синтезированы и исследованы электрические свойства халькогенидов Cu[1-x]Ag[x]GeAsSe[3] (x=0. 5, 0. 8, 0. 9) при низких температурах. Соединения такого типа являются электронно-ионными проводниками со смешанным характером проводимости. Показано, что замена части атомов серебра в соединении AgGeAsSe[3] на атомы меди приводит к уменьшению полной проводимости, снижению доли ионной составляющей проводимости, значительному увеличению времен поляризации, повышению температуры начала заметного (по сравнению с электронным) вклада ионного переноса, понижению энергии активации носителей. Доп.точки доступа: Хейфец, О. Л.; Мельникова, Н. В.; Филиппов, А. Л.; Шакиров, Э. Ф.; Бабушкин, А. Н.; Нугаева, Л. Л. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Наноструктуры соединений A{IV}B{VI} для термоэлектрических преобразований [Текст] / Д. М. Фреик [и др.]> // Инженерно-физический журнал. - 2012. - Т. 85, № 5. - С. 1011-1014. - Библиогр.: с. 1014 (14 назв. ) . - ISSN 0021-0285
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Электростатика Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- квантово-размерные эффекты -- халькогениды свинца -- свинец -- термоэлектрические преобразования Аннотация: На основе теоретической модели квантовой ямы с бесконечно высокими стенками детально исследованы зависимости термоэлектрических параметров наноструктур халькогенидов свинца PbTe, PbSe и PbS от их толщины. Обнаружено, что коэффициент Зеебека таких структур изменяется немонотонно при изменении ширины соответствущей квантовой ямы. Проведено сравнение теоретических и экспериментальных зависимостей коэффициента Зеебека указанных наноструктур от их толщины по периоду осцилляций этих зависимостей и определена энергия Ферми для таких наноструктур. Доп.точки доступа: Фреик, Д. М.; Межыловская, Л. И.; Юрчишин, И. К.; Лысюк, Ю. В.; Ткачук, А. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Физико-химические и термоэлектрические свойства комплексных халькогенидов висмута и свинца и их твердых растворов [Текст] / В. С. Земсков [и др.]> // Материаловедение. - 2013. - № 8. - С. 36-44 . - ISSN 1684-579Х
Рубрики: Технология металлов Общая технология металлов Кл.слова (ненормированные): термоэлектрические свойства халькогениды -- комплексные халькогениды -- халькогениды -- висмут -- свинец -- твердые растворы -- физико-химические свойства халькогенидов -- сложные механические решетки -- кристаллические структуры -- гомологические ряды -- слоистые соединения -- теллур -- селен Аннотация: В рамках развития направления по поиску новых термоэлектрических материалов на основе халькогенидов со сложными кристаллическими решетками проведен синтез и физико-химическое исследование сплавов тройной взаимной системы Pb, Bi, Se, Te. Доп.точки доступа: Земсков, В. С.; Шелимова, Л. Е.; Константинов, П. П.; Авилов, Е. С.; Кретова, М. А.; Нихезина, И. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Nekrasov, I. A. LDA`+DMFT investigation of electronic structure of K[1-x]Fe[2-y]Se[2] superconductor [Text] / I. A. Nekrasov, N. S. Pavlov, M. V. Sadovskii> // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 1. - С. 18-23
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): сверхпроводники -- высокотемпературные сверхпроводники -- халькогениды железа -- электронная структура -- LDA+DMFT исследование Доп.точки доступа: Pavlov, N. S.; Sadovskii, M. V. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Зайнуллин, Радик Рустэмович (аспирант). Динамические эффекты в спектрах ЭПР термоэлектрических кристаллов pb 1-x mn xte [Текст] / Р. Р. Зайнуллин, В. А. Уланов, Е. Р. Житейцев> // Известия вузов. Проблемы энергетики. - 2015. - № 1/2. - С. 140-149. - Библиогр. в конце ст. (18 назв.) . - ISSN 1998-9903
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ЭПР -- теллурид свинца -- термоэлектрические материалы -- термоэлектрические свойства -- халькогениды -- электронный парамагнитный резонанс Аннотация: Методом ЭПР показано, что повышение средней концентрации марганца в полумагнитных термоэлектрических кристаллах Pb1-хMnхTe (x > 0, 002) приводит к неоднородному распределению ионов Mn2+ по объему образовавшегося твердого раствора и формированию микроскопических областей с повышенным содержанием марганца. Доп.точки доступа: Уланов, Владимир Андреевич (доктор физико-математических наук; профессор); Житейцев, Евгений Рафаэлевич (кандидат физико-математических наук; научный сотрудник) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Формирование тонких каталитических слоев WSe[x] на графитовом электроде для активирования выделения водорода из кислотного раствора [Текст] / С. Н. Григорьев [и др.]> // Перспективные материалы. - 2015. - № 8. - С. 43-52 : 4 рис. - Библиогр.: с. 49-50 (17 назв. ) . - ISSN 1028-978X
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Химия Электрохимия Кл.слова (ненормированные): халькогениды -- водород -- импульсное лазерное осаждение -- наноструктура -- катализаторы -- каталитические слои -- графитовые электроды -- кислотные растворы -- электродные материалы Аннотация: Исследована возможность получения новых относительно дешевых электродных материалов, обеспечивающих повышенную эффективность выделения водорода при катодной поляризации в водном растворе кислоты. Для этого поверхностные свойства катодов, изготовленных из микрокристаллического графита, модифицировали путем импульсного лазерного осаждения (ИЛО) тонких пленок WSe[x]. Структурное состояние, морфологию и химический состав тонкопленочных покрытий варьировали за счет изменения режимов осаждения и последующей термической обработки. Доп.точки доступа: Григорьев, С. Н.; Фоминский, В. Ю.; Неволин, В. Н.; Романов, Р. И.; Волосова, М. А.; Иржак, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Магнитный фазовый переход в синтетическом теннантите Cu[12]As[4]S[13] в диапазоне температур 120 - 130 К [Текст] / А. А. Ярославцев [и др.]> // Перспективные материалы. - 2016. - № 2. - С. 12-16 : 1 рис. - Библиогр.: с. 14-15 (19 назв. ) . - ISSN 1028-978X
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): теннантит -- халькогениды -- антиферромагнетизм -- магнитный фазовый переход -- магнитная восприимчивость -- медь Аннотация: Исследована магнитная восприимчивость синтетического теннантита Сu[12]As[4]S[13] в диапазоне температур от 2 до 350 К. Рассмотрено возникновение магнитного упорядочения в системе одно- и двухвалетной меди. Показано, что Сu[12]As[4]S[13] обладает магнитным фазовым переходом в интервале температур от 120 до 130 К. Доп.точки доступа: Ярославцев, А. А.; Незнахин, Д. С.; Аликин, Д. О.; Бабушкин, А. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Садовский, М. В. Высокотемпературная сверхпроводимость в монослоях FeSe [Текст] / М. В. Садовский> // Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 10. - С. 1035-1057 : 23 рис. - Библиогр.: с. 1056-1057 (102 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): высокотемпературная сверхпроводимость -- сверхпроводники -- пниктиды железа -- халькогениды железа -- FeSe-системы -- интеркалированные системы -- монослои -- монослойные пленки -- поверхности Ферми -- Ферми поверхности -- кристаллическая структура -- электронная структура -- электронные спектры -- температура сверхпроводящего перехода -- экситонный механизм -- электрон-фононное взаимодействие -- куперовское спаривание -- экспериментальные исследования Аннотация: Обсуждаются основные эксперименты и теоретические представления, связанные с наблюдением высокотемпературной сверхпроводимости в интеркалированных соединениях FeSe и монослойных пленках FeSe на подложках. Подробно рассматривается электронная структура этих систем, имеющиеся теоретические расчеты этой структуры и их соответствие с ARPES экспериментами. Обсуждаются механизмы куперовского спаривания в монослоях FeSe. Анализируется возможность повышения температуры сверхпроводящего перехода в них за счет различных вариантов "экситонного" механизма сверхпроводимости. Раскрываются проблемы, связанные с антиадиабатическим характером сверхпроводимости при таком механизме. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Коршунов, М. М. Примеси в многозонных сверхпроводниках [Текст] / М. М. Коршунов, Ю. Н. Тогушова, О. В. Долгов> // Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 12. - С. 1315-1347 : 22 рис. - Библиогр.: с. 1345-1347 (179 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сверхпроводники -- многозонные сверхпроводники -- соединения железа -- сверхпроводимость соединений железа -- пниктиды железа -- халькогениды железа -- купраты -- примеси -- магнитные примеси -- немагнитные примеси -- рассеяние на примесях -- уравнения Элиашберга -- Элиашберга уравнения Аннотация: Отмечено, что беспорядок, а именно примеси и дефекты, нарушающие идеальный дальний порядок, всегда присутствует в твердом теле и может приводить к интересным и иногда неожиданным эффектам в многозонных сверхпроводниках. На примере соединений железа - пниктидов и халькогенидов - рассмотрено влияние как немагнитных, так и магнитных примесей на сверхпроводящие состояния. Доп.точки доступа: Тогушова, Ю. Н.; Долгов, О. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Магнитные свойства линейных цепочечных антиферромагнетиков RbFeSe[2], TlFeSe[2], TlFeS[2] [Текст] / Z. Seidov [и др.]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 7. - С. 977-980. - Библиогр.: c. 979-980 (18 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): линейные цепочечные антиферромагнетики -- магнитные моменты -- магнитометрия -- мессбауэровская спектроскопия -- рентгеновская дифракция -- халькогениды железа Аннотация: Монокристаллы тройных халькогенидов железа RbFeSe[2], TlFeSe[2], TlFeS[2] исследованы методами рентгеновской дифракции, магнитометрии и мессбауэровской спектроскопии. Общим структурным свойством данных халькогенидов является наличие тетраэдров FeCh4 (халькоген Ch = Se, S), выстроенных в цепочки через общее ребро. Установлено, что халькогениды RbFeSe[2], TlFeSe[2], TlFeS[2] испытывают переход в коллинеарное антиферромагнитное состояние при температурах T[N] = 248 K, 290 K и 196 K соответственно. Направление магнитного момента перпендикулярно оси цепочек тетраэдров FeCh[4]. Доп.точки доступа: Seidov, Z.; Krug von Nidda H. A.; Tsurkan, V.; Filippova, I.; Gunther, A.; Najafov, A.; Aliyev, M. N.; Вагизов, Ф. Г.; Киямов, А. Г.; Тагиров, Л. Р.; Гаврилова, Т.; Loidl, A. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |