Действие излучения на схемы памяти с фазовым изменением на халькогенидных стеклах [Текст] / П. А. Александров [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 10. - С. 40-47. - Библиогр.: с. 46-47 (43 назв. ) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): память с фазовым переходом -- халькогенидные стекла -- GST -- радиационная стойкость Аннотация: Рассмотрены и проанализированы данные по действию облучения на элементы памяти с фазовым переходом. Рассмотрены параметры материала Ge2Sb2Te5 (GST) и ячеек памяти на его основе. Проведены оценки радиационных повреждений в GST. Полученные результаты сравниваются с имеющимися опубликованными экспериментальными данными по радиационной стойкости ячеек памяти и интегральных схем, создаваемых на основе халькогенидных материалов с различным составом. Доп.точки доступа: Александров, П. А.; Баранова, Е. К.; Баранова, И. В.; Бударагин, В. В.; Литвинов, В. Л. |
Наливайко, В. И. Спектральное согласование элементов интегрально-оптических устройств на основе халькогенидных стекол [Текст] / В. И. Наливайко, М. А. Пономарева // Оптика и спектроскопия. - 2015. - Т. 119, № 1. - С. 147-150 : схема, граф. - Библиогр.: с. 150 (7 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): волновые структуры -- дисперсии -- интегрально-оптические устройства -- фотоника -- халькогенидные стекла Аннотация: Проведен спектральный анализ эффективного показателя преломления и коэффициента передачи мощности волновой моды из 3-слойной в 4-слойную планарную структуру с верхним слоем с высоким показателем преломления. Рассмотрены условия как оптимального, так и экстремального согласования 3-слойных и 4-слойных участков структуры в зависимости от длины волны. Предложена спектральная методика обнаружения экстремальных областей. Доп.точки доступа: Пономарева, М. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |