Технология получения одномерных фотонных кристаллов с помощью фотоэлектрохимического травления кремния [Текст] / Ю. А. Жарова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 986-994. : ил. - Библиогр.: с. 993 (21 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): одномерные фотонные кристаллы -- 1D ФК -- фотоэлектрохимическое травление -- ФЭХТ -- кремний -- плотность тока травления -- легирование подложки -- подложки -- атомно-силовая микроскопия -- щелочные растворы -- макропоры -- шероховатость поверхностей -- затравочные канавки -- анизотропное травление -- АТ Аннотация: Анализируются условия формирования глубоких периодических щелей в процессе фотоэлектрохимического травления n-Si ориентации (100) с линейными затравками на поверхности. Сформулированы критерии для выбора периода затравочных канавок и для плотности тока травления в зависимости от уровня легирования подложки. Характерной особенностью полученных структур является гофрировка их стенок, обусловленная следами слившихся макропор. С помощью атомно-силовой микроскопии исследована неровность стенок в зависимости от режима травления и найдена плотность тока, при которой можно получить наиболее гладкие стенки. Их шероховатость в структурах с периодом 7 и 9 мкм на Si с удельным сопротивлением 15 Ом x см составила ~40 нм. Показано, что дополнительная обработка структур в щелочных растворах может уменьшить шероховатость стенок примерно в 2 раза. Доп.точки доступа: Жарова, Ю. А.; Федулова, Г. В.; Гущина, Е. В.; Анкудинов, А. В.; Астрова, Е. В.; Ермаков, В. А.; Перова, Т. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Астрова, Е. В. Формирование полосок двумерного фотонного кристалла путем одновременного фотоэлектрохимического травления щелей и макропор в кремнии [Текст] / Е. В. Астрова, Г. В. Федулова, Е. В. Гущина // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1666-1672. : ил. - Библиогр.: с. 1672 (18 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): формирование полосок -- двумерные кристаллы -- фотонные кристаллы -- фотоэлектрохимическое травление -- травление щелей -- макропоры в кремнии -- кремний -- глубокие макропоры -- глубокие щели -- n-Si -- сквозные щели -- квадратные решетки -- режимы травления -- шероховатости стенок -- боковые стенки Аннотация: Исследован процесс совместного электрохимического травления глубоких макропор и щелей в n-Si ориентации (100). После удаления подложки области образца, ограниченные со всех сторон замкнутым контуром сквозных щелей, извлекали из образца, оставляя узкие полоски двумерного фотонного кристалла. На примере фотонного кристалла с квадратной решеткой макропор анализируется влияние расстояния между порами и щелью, режимов травления и последующего окисления на шероховатость боковых стенок таких структур, а также на изменение размера и формы пор вблизи щели. Найдены условия, обеспечивающие наименьшее искажение решетки фотонного кристалла и получение наиболее гладких боковых стенок структуры (среднеквадратичная высота неровности ~60 нм). Доп.точки доступа: Федулова, Г. В.; Гущина, Е. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |