Шерченков, Алексей Анатольевич. Распределение зарядовых состояний в щели подвижности a-Si: H [Текст] / А. А. Шерченков, А. Б. Апальков // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 4. - С. 7-14 : граф. - Библиогр.: с. 14 (4 назв. )
Рубрики: Энергетика Электрические системы Радиоэлектроника Электроника Кл.слова (ненормированные): аморфные полупроводники -- полупроводники -- фотопроводимость -- зарядовые состояния -- аморфные пленки -- носители -- заряды -- переносы Аннотация: Представлена методика моделирования фотопроводимости с учетом прыжкового механизма переноса носителей. Доп.точки доступа: Апальков, Александр Борисович |
Светочуствительность фотопроводящих полименых систем с полиметиновыми красителями на основе производных 2 (4) -метилхинолина и индола [Текст] / Г. К. Лебедев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 11. - С. 2091-2095. - Библиогр.: с. 2095 (14 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): индол -- индолсодержащие красители -- полимерные пленки -- светочуствительность полимерных пленок -- синтезированные полиметиновые красители -- фотопроводимость пленок -- фотопроводящие полимерные системы Аннотация: Для новых синтезированных полиметиновых красителей показано, что светочуствительность полимерных пленок на основе поли (о-гидроксиамидами) с транспортными молекулами индола, образующими межмолекулярные комплексы с красителями, в 2-3 раза выше, чем светочуствительность пленок с индолом, являющимся структурной составляющей красителя. Введение индолсодержащего красителя в фотопроводящий поливинилкарбазол увеличивает фотопроводимость на полтора порядка, а квантовый выход при этом возрастает до эта = 0. 085. Установлена корреляция между электронной структурой красителей, характеристиками фотопроводимости и механизмами релаксации заряда в образцах. При увеличении фотопроводимости пленок наблюдается переход от дрейфового механизма релаксации зарядов к механизму релаксации за счет собственной электропроводности. Доп.точки доступа: Лебедев, Г. К.; Александрова, Е. Л.; Иванова, В. Н.; Нагибина, О. А.; Соколова, И. М.; Фролов, В. И.; Кудрявцев, В. В. |
Электро- и фотопроводимость полимерных композитов, содержащих гетерополиядерные комплексы Cu (II) /Cr (III) [Текст] / Н. А. Давиденко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 12. - С. 2151-2156. - Библиогр.: с. 2155-2156 (25 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетерополиядерные комплексы -- поликристаллические порошки -- полимерные композиты -- фотопроводимость -- фототоки -- электропроводимость пленок Аннотация: Исследованы электро- и фотопроводящие свойства пленок композитов на основе электронейтрального поливинилбутираля с добавками гетерополиядерных комплексов Cu (II) /Cr (III), введенных в виде растворов или механически измельченных поликристаллических порошков. Фототоки в образцах, приготовленных разным способом, различаются не более чем в 10 раз. Фотопроводимость пленок композитов возрастает при уменьшении расстояния между металлическими центрами в комплексах. Предложена феноменологическая модель фотогенерации и транспорта носителей заряда в пленках полимерных композитов с частицами гетерополиядерных комплексов, получаемых из раствора или путем механического измельчения. Небольшое отличие фототоков в образцах, содержащих одинаковые комплексы, но и приготовленные разными способами, поясняются близостью геометрических размеров частиц комплексов. Доп.точки доступа: Давиденко, Н. А.; Никитина, В. Н.; Шевченко, Д. В.; Кокозей, В. Н.; Студзинский, С. Л.; Дехтяренко, С. В. |
Внутрицентровое возбуждение состояний меди в фосфиде индия, компенсированном медью [Текст] / В. А. Мельник [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 294-296
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- фосфид индия -- медь -- фосфид галлия -- спектры собственной фотопроводимости Аннотация: При исследовании спектров примесной фотопроводимости образцов фосфида индия, компенсированного медью, обнаружен резонансный переход из одного состояния меди в другое с максимумом оптической энергии возбуждения 0. 31 эВ. Получена температурная зависимость величины максимума интенсивности внутрицентрового перехода в диапазоне от 90 до 450 К. Установлено, что термическая энергия возбуждения составляет 0. 42 эВ. Доп.точки доступа: Мельник, В. А.; Прибылов, Н. Н.; Рембеза, С. И.; Макаренко, Ф. В. |
Особенности температурных характеристик электро- и фотопроводимости полимерных композитов, содержащих гетерометаллические Cu (II) /Cr (III) -комплексы [Текст] / Н. А. Давиденко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 397-402. - Библиогр.: с. 401-402 (27 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электропроводимость -- фотопроводимость -- полимерные композиты -- пленки полимерных композитов -- электронейтральный поливинилбутираль -- гетерометаллические Cu (II) /Cr (III) -комплексы -- ток фотопроводимости Аннотация: Исследованы температурные характеристики токов электро- и фотопроводимости пленок композитов на основе электронейтрального поливинилбутираля с добавками гетерометаллических катионно-анионных Cu (II) /Cr (III) -комплексов. Электро- и фотопроводимость пленок полимерных композитов в видимой области света увеличивается при уменьшении расстояний между металлическими центрами в комплексах, а также при введении в состав полимерного связующего акцепторных добавок фуллерена C[60] и экспоненциально возрастает при увеличении температуры. Энергия активации электро- и фотопроводимости превышает 1 eV и слабо зависит от напряженности внешнего элекртрического поля. Температурные характеристики электро- и фотопроводимости исследуемых материалов связываются с особенностями захвата носителей заряда на границе раздела частиц гетерометаллического комплекса и полимерного связующего. Доп.точки доступа: Давиденко, Н. А.; Никитина, В. Н.; Дехтяренко, С. В.; Нестерова, О. В.; Кокозей, В. Н. |
Замороженная фотопроводимость в твердых растворах MgZnO [Текст] / А. Я. Поляков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 604-607
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): замороженная проводимость -- твердые растворы -- метод импульсного лазерного распыления -- замороженная фотоемкость -- электронные ловушки Аннотация: Проведены систематические исследования электрических характеристик и эффектов замороженной проводимости в твердых растворах MgZnO (P), выращенных методом импульсного лазерного распыления на нелегированных подложках n-ZnO. Показано, что в исходных неотложенных слоях наблюдается сильная замороженная проводимость и замороженная фотоемкость, связанные с присутствием электронных ловушек с высоким барьером для захвата электронов. Эти ловушки находятся в нижней половине запрещенной зоны, имеют оптический порог ионизации 2. 8 эВ и высоту барьера для захвата электронов ~0. 4 эВ. Наряду с такими центрами наблюдаются также дырочные ловушки с энергией ионизации 0. 14 эВ. Отжиг при 850 градусов C переводит материал в p-типа проводимости, в котором преобладают акцепторы с энергией активации ~0. 2 эВ, связанные с фосфором. Наблюдается также компенсация проводимости и образование дырочных ловушек с энергией активации 0. 14 и 0. 84 эВ в подложке n-ZnO, что объясняется диффузией акцепторных дефектов в подложку при отжиге. Доп.точки доступа: Поляков, А. Я.; Смирнов, Н. Б.; Говорков, А. В.; Кожухова, Е. А.; Kim, H. S.; Norton, D. P.; Pearton, S. J.; Белогорохов, А. И. |
Фотопроводимость пленок органического полимера с добавками наночастиц пористого кремния и ионных полиметиновых красителей [Текст] / Н. А. Давиденко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 667-670
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки -- наночастицы -- полиметиновые красители -- фотоэффект -- фотопроводимость -- электронная проводимость Аннотация: Изучены особенности электро- и фотопроводимости пленок поливинилбутираля, содержащих наночастицы пористого кремния, а также аналогичных пленок с добавками катионного и анионного полиметиновых красителей. Сенсибилизация фотоэффекта красителями различной ионности в пленках поясняется возможностью фотогенерации дырок и электронов из молекул красителей и собственной биполярной проводимостью наночастиц пористого кремния. Предполагается, что электронная проводимость в наночастицах пористого кремния больше по сравнению с дырочной проводимостью. Доп.точки доступа: Давиденко, Н. А.; Скрышевский, В. А.; Ищенко, А. А.; Карлаш, А. Ю.; Мокринская, Е. В. |
Кинетика поведения фоточувствительных примесей и дефектов в особо чистом полуизолирующем карбиде кремния [Текст] / Д. В. Савченко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 692-699. - Библиогр.: с. 699 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фоточувствительные примеси -- карбид кремния -- полуизолирующий карбид кремния -- метод электронного парамагнитного резонанса -- долговременная релаксация -- долгоживущая фотопроводимость -- фотоотклики -- фотоотклик спектра ЭПР Аннотация: Выполнено экспериментальное и теоретическое исследования кинетики поведения фоточувствительных примесей и дефектов в особо чистом полуизолирующем материале 4H-SiC методом электронного парамагнитного резонанса в присутствии фотовозбуждения и оптической спектроскопии полной проводимости. Решены кинетические уравнения, описывающие процессы рекомбинации, захвата и ионизации неравновесных носителей, динамически связанных с мелкими донорами и акцепторами (азота и бора), а также процессы передачи носителей зарядов с мелкого донора азота на глубокие уровни собственных дефектов. Сопоставление результатов расчета с экспериментальными кривыми временных спадов полной проводимости и интенсивностей сигналов электронного парамагнитного резонанса от азота и бора после прекращения фотовозбуждения показало, что вероятности захвата дырок на ионизированный акцептор и скорость ионизации нейтрального акцептора бора на два порядка больше, чем аналогичные процессы в системе донорных уровней. Для последней решающую роль играют каскадные переходы электронов с уровня на уровень в запрещенной зоне, а также электронно-дырочная рекомбинация. Доп.точки доступа: Савченко, Д. В.; Шанина, Б. Д.; Лукин, С. Н.; Калабухова, Е. Н. |
Насретдинова, В. Ф. Зависящая от электрического поля энергетическая структура квазиодномерного проводника p-TaS[3] [Текст] / В. Ф. Насретдинова, С. В. Зайцев // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 10. - С. 607-611
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квазиодномерные проводники -- энергетическая структура -- фотопроводимость -- пайерлсовская щель -- щель пайерлсовская Аннотация: С помощью исследования спектральной зависимости фотопроводимости изучена энергетическая структура пайерлсовской щели в ромбическом TaS[3]. Наблюдаются край пайерлсовской щели, а также энергетические состояния внутри щели. Амплитуда пиков фотопроводимости, соответствующих состояниям внутри щели, зависит как от температуры, так и от электрического поля. Уже в поле порядка 1-10 В/см происходит перераспределение интенсивности между различными пиками. Малая величина электрического поля, приводящего к изменениям в спектре, свидетельствует о коллективном механизме возникновения энергетических состояний. Доп.точки доступа: Зайцев, С. В. |
Влияние самокомпенсации на время жизни электрона в теллуриде кадмия, легированном галлием [Текст] / Е. В. Рабенок [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 878-883 : ил. - Библиогр.: с. 882 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): самокомпенсация -- электроны -- время жизни электронов -- теллурид кадмия -- легирование -- галлий -- фотопроводимость -- сверхвыкокочастотная фотопроводимость -- катодолюминесценция -- элементарные процессы -- заряженные частицы -- твердые растворы -- поликристаллические твердые растворы -- датчики интроскопии -- фотоотклик -- амплитуда -- характеристическое время -- фотогенерированные электроны -- энергетические ловушки Аннотация: Методами сверхвысокочастотной фотопроводимости и катодолюминесценции исследованы элементарные процессы с участием заряженных частиц в поликристаллических твердых растворах на основе теллурида кадмия CdTe-GaTe и CdTe-Ga[2]Te[3] - перспективных активных средах датчиков интроскопии человека с низкой дозовой нагрузкой. Экспериментально установлено, что амплитуда, характеристическое время и форма спада фотоотклика зависели от уровня легирования, причем характеристическое время спада увеличивалось с ростом уровня легирования. Показано, что изменение кинетики гибели фотогенерированных электронов в легированном теллуриде кадмия (по сравнению с исходным) обусловлено эффектом самокомпенсации, приводящим к перераспределению ловушек по энергиям. Доп.точки доступа: Рабенок, Е. В.; Гапанович, М. В.; Новиков, Г. Ф.; Один, И. Н. |
Фотополупроводниковые свойства голографических сред на основе ферроценилсодержащих соолигомеров глицидилкарбазола, сенсибилизированных органическим красителем [Текст] / Н. А. Давиденко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1515-1520 : ил. - Библиогр.: с. 1520 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Химия Органические соединения Кл.слова (ненормированные): пленки полимерных композитов -- ППК -- голографические регистрирующие среды -- ГРС -- электронно-дырочная пара -- ЭДП -- фотопроводимость -- голографическая чувствительность -- спектральные свойства -- фотополупроводниковые свойства -- информационные свойства -- пленки соолигомера -- соолигомер глицидилкарбазола -- синглет-триплетная конверсия -- фототоки -- магнитные поля -- внешние магнитные поля -- ферроцен -- органические красители Аннотация: Исследованы спектральные, фотополупроводниковые и информационные свойства голографических регистрирующих сред с пленками соолигомера глицидилкарбазола с бутилглицидиловым эфиром, ферроценилметаллированного олигоглицидилкарбазола и соолигомера глицидилового эфира о-карбоксибензоилферроцена с добавками скварилиевого красителя. Обнаружено увеличение голографической чувствительности и фотопроводимости регистрирующих сред с пленками ферроценилсодержащих соолигомеров по сравнению со средами на основе соолигомера глицидилкарбазола. Это объясняется влиянием ионов железа на скорость синглет-триплетной конверсии в фотогенерированных зарядовых парах, что обосновано анализом зависимости фототока от величины внешнего магнитного поля. Предложена феноменологическая модель влияния ферроцена на фотопроводимость исследуемых пленок. Доп.точки доступа: Давиденко, Н. А.; Дехтяренко, С. В.; Гетманчук, Ю. П.; Ищенко, А. А.; Козинец, А. В.; Костенко, Л. И.; Мокринская, Е. В.; Студзинский, С. Л.; Скрышевский, В. А.; Скульский, Н. А.; Третьяк, О. В.; Чуприна, Н. Г. |
Изменение спектра электронных состояний в поликристаллическом p-CdTe в результате отжига в Cd и естественного старения [Текст] / С. А. Колосов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1526-1533 : ил. - Библиогр.: с. 1532 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электронные состояния -- спектры электронных состояний -- p-CdTe -- поликристаллы -- низкотемпературный синтез -- отжиг -- естественное старение (физика) -- электрические свойства -- станционарная фотопроводимость -- кинетика фотопроводимости -- температурная зависимость -- временные зависимости -- дефекты -- затухания фототоков -- фототоки Аннотация: Исследованы электрические свойства, стационарная фотопроводимость и кинетика фотопроводимости образцов поликристаллического p-CdTe: исходного, полученного методом низкотемпературного синтеза из глубоко очищенных компонентов; отожженного в парах Cd и состаренного при комнатной температуре. Показано, что электрические свойства исходного p-CdTe определяются сложным дефектом с энергией E[v]+0. 16 эВ, который трансформируется в уровень E[v]+0. 25 эВ при отжиге в Cd и старении образцов. Обнаружены также глубокие центры E[v]+0. 6 эВ и E[v]+0. 86 эВ, определяющие процессы затухания фототока. Доп.точки доступа: Колосов, С. А.; Клевков, Ю. В.; Клоков, А. Ю.; Кривобок, В. С.; Шарков, А. И. |
Фотопроводимость пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой [Текст] / А. Г. Казанский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 513-516 : ил. - Библиогр.: с. 516 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гидрированные пленки -- пленки -- кремний -- двухфазные структуры -- фотопроводимость -- электрические свойства -- фотоэлектрические свойства -- оптические свойства -- нанокристаллические структуры -- комнатная температура -- нанокристаллы -- время жизни зарядов -- рекомбинация -- поглощение -- дефекты Аннотация: Исследованы электрические, фотоэлектрические и оптические свойства пленок гидрированного кремния с различным соотношением нанокристаллической и аморфной фаз в структуре материала. При переходе от аморфной к нанокристаллической структуре проводимость пленок при комнатной температуре возрастает более чем на 5 порядков величины. Изменение стационарной фотопроводимости при увеличении доли нанокристаллической составляющей в структуре пленок имеет немонотонный характер и определяется изменением подвижности и времени жизни носителей заряда. Введение малой доли нанокристаллов в аморфную матрицу приводит к уменьшению поглощения в "дефектной" области спектра и соответственно уменьшению концентрации дефектов типа оборванных связей, являющихся основными центрами рекомбинации носителей заряда в аморфном гидрированном кремнии. В то же время наблюдается уменьшение фотопроводимости в данных пленках, что может объясняться появлением новых центров, связанных с нанокристаллами и приводящих к уменьшению времени жизни неравновесных носителей заряда. Доп.точки доступа: Казанский, А. Г.; Теруков, Е. И.; Форш, П. А.; Kleider, J. P. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Дегода, В. Я. Особенности люминесценции и электропроводимости селенида цинка при фото- и рентгеновском возбуждении [Текст] / В. Я. Дегода, А. А. Софиенко // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 594-599 : ил. - Библиогр.: с. 599 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): селенид цинка -- ZnSe -- фотопроводимость -- ФП -- фотолюминесценция -- ФЛ -- рентгенолюминесценция -- РЛ -- рентгенопроводимость -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- релаксация тока -- фосфоресценция -- кинетика фосфоресценции -- спектры люминесценции -- возбуждение -- рекомбинация -- широкозонные полупроводники Аннотация: Проведено сравнение комплексных экспериментальных результатов исследования рентгенолюминесценции и рентгенопроводимости ZnSe с данными по фотолюминесценции и фотопроводимости. Экспериментально установлено различие вольт-амперных характеристик, кинетики фосфоресценции и релаксации тока в зависимости от типа возбуждения. Показано, что внешнее электрическое поле влияет на интенсивность и форму полос в спектрах люминесценции. Установлено, что характер возбуждения является определяющим для кинетики рекомбинации, захвата носителей заряда и проводимости в широкозонных полупроводниках. Доп.точки доступа: Софиенко, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Новиков, Г. Ф. Роль подбарьерных переходов в процессах гибели избыточных носителей тока в полупроводниках A{II}B{VI} [Текст] / Г. Ф. Новиков, Е. В. Рабенок, М. В. Гапанович // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 600-605 : ил. - Библиогр.: с. 605 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые соединения -- теллурид кадмия -- сульфид кадмия -- сульфид цинка -- фотопроводимость -- СВЧ фотопроводимость -- метод СВЧ фотопроводимости -- фотоотклик -- спад фотоотклика -- температура -- подбарьерные переходы -- носители зарядов -- рекомбинация -- туннельная рекомбинация -- ловушки Аннотация: Методом СВЧ фотопроводимости изучена кинетика гибели носителей тока, генерируемых импульсами излучения азотного лазера, в полупроводниковых соединениях группы A{II}B{VI}: теллуриде кадмия n- и p-типа проводимости, сульфиде кадмия. Спады фотоотклика после выключения света состояли из быстрой (проявляющейся при временах <30 нс) и медленной (при временах >50 нс) компонент. Форма спада медленной компоненты практически не зависела от температуры и при больших временах, закон спада соответствовал линейной зависимости фотоотклика от логарифма времени. Результаты позволили предположить, что медленная компонента спада фотоотклика отражает процесс гибели захваченных в ловушки зарядов благодаря туннельной рекомбинации. Доп.точки доступа: Рабенок, Е. В.; Гапанович, М. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами [Текст] / В. И. Гавриленко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 642-648 : ил. - Библиогр.: с. 648 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InAs/AlSb -- остаточная фотопроводимость -- ОФП -- квантовые ямы -- КЯ -- фотопроводимость -- двойные квантовые ямы -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- Шубникова - де-Гааза осцилляции -- электроны -- длина волны -- электрические поля -- ионизованные доноры -- осцилляции Шубникова - де-Гааза Аннотация: Исследованы эффекты остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с покрывающим слоем GaSb с двумерным электронным газом в двойных квантовых ямах InAs при T=4. 2 K. Из фурье-анализа осцилляций Шубникова-де-Гааза определены концентрации электронов в каждой из квантовых ям при различных длинах волн подсветки и прямым образом продемонстрирована сильная несимметричность структуры, вызванная встроенным электрическим полем. Выполнены самосогласованные расчеты энергетического профиля двойной квантовой ямы и определены значения концентраций ионизованных доноров с обеих сторон от ям, что позволило конкретизировать предложенный ранее механизм биполярной остаточной фотопроводимости в таких структурах. Доп.точки доступа: Гавриленко, В. И.; Иконников, А. В.; Криштопенко, С. С.; Ластовкин, А. А.; Маремьянин, К. В.; Садофьев, Ю. Г.; Спирин, К. Е. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs n-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний [Текст] / Д. А. Фирсов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1443-1446. : ил. - Библиогр.: с. 1445-1446 (7 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): резонансные состояния -- квантовые ямы -- КЯ -- терагерцовое излучение -- спектры терагерцового излучения -- фотопроводимость -- излучение -- электрические поля -- примесные состояния -- энергетические спектры -- квантование -- оптические переходы -- электроны -- GaAs/AlGaAs Аннотация: В структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs исследованы спектры эмиссии терагерцового излучения в продольном электрическом поле и спектры латеральной фотопроводимости при облучении терагерцовым излучением. Показано, что в спектрах присутствуют особенности, вызванные переходами электронов с участием резонансных состояний примеси, связанных со второй подзоной размерного квантования. Проведенные расчеты энергетического спектра примесных состояний и матричных элементов оптических переходов с учетом различных положений примеси относительно центра квантовой ямы подтверждают сделанные предположения. Доп.точки доступа: Фирсов, Д. А.; Шалыгин, В. А.; Паневин, В. Ю.; Мелентьев, Г. А.; Софронов, А. Н.; Воробьев, Л. Е.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Михрин, В. С.; Васильев, А. П.; Жуков, А. Е.; Гавриленко, Л. В.; Гавриленко, В. И.; Антонов, А. В.; Алешин, В. Я. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне [Текст] / А. В. Антонов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1511-1513. : ил. - Библиогр.: с. 1513 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- квантовые точки -- КТ -- нанокластеры -- гетероструктуры -- InAs/GaAs -- металл-органическая газофазная эпитаксия -- МОГФЭ -- метод металл-органической газофазной эпитаксии -- длина волны -- комнатная температура -- инфракрасный диапазон -- релаксация (физика) -- атмосферное давление -- реакторы Аннотация: Методом металл-органической газофазной эпитаксии в реакторе атмосферного давления изготовлены многослойные гетероструктуры InAs/GaAs, содержащие плотные массивы слабодефектных, частично релаксированных нанокластеров InAs, более крупных, чем бездефектные квантовые точки. Структуры имеют интенсивную фотопроводимость в диапазоне длин волн 1-2 мкм при комнатной температуре. Обнаружительная способность изготовленных макетов фотоприемников составляет D*=10{9} см x Гц{1/2} x Вт{-1}. Время релаксации фотопроводимости на длине волны 1. 5 мкм составляет менее 10 нс. Доп.точки доступа: Антонов, А. В.; Востоков, Н. В.; Дроздов, М. Н.; Молдавская, Л. Д.; Шашкин, В. И.; Хрыкин, О. И.; Яблонский, А. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кинетика терагерцовой фотопроводимости в p-Ge в условиях примесного пробоя [Текст] / С. В. Морозов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1523-1526. : ил. - Библиогр.: с. 1526 (9 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- кинетика фотопроводимости -- примесный пробой -- время релаксации (физика) -- терагерцовое излучение -- электрические поля -- акцепторы -- гелий -- жидкий гелий -- p-Ge -- экспериментальные исследования Аннотация: Исследованы времена релаксации примесной фотопроводимости в p-Ge при возбуждении наносекундным узкополосным источником терагерцового излучения в зависимости от приложенного к образцу напряжения смещения. Показано, что в допробойных полях время релаксации растет с приложенным электрическим полем, а при превышении поля примесного пробоя уменьшается. В исследованных образцах, различающихся концентрацией акцепторов и степенью компенсации, наблюдалась немонотонная кинетика фотопроводимости при приближении к полю примесного пробоя. Доп.точки доступа: Морозов, С. В.; Маремьянин, К. В.; Ерофеева, И. В.; Яблонский, А. Н.; Антонов, А. В.; Гавриленко, Л. В.; Румянцев, В. В.; Гавриленко, В. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Курова, И. А. Особенности фотоэлектрических свойств слоистых пленок аморфного гидрированного кремния [Текст] / И. А. Курова, Н. Н. Ормонт // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1624-1628. : ил. - Библиогр.: с. 1628 (15 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические свойства -- слоистые пленки -- аморфный кремний -- гидрированный кремний -- температурные зависимости -- фотопроводимость пленок -- нелегированные пленки -- интенсивность освещения -- фоточувствительность пленок -- стандартные пленки -- темновая проводимость -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- температурное гашение -- электрические свойства -- оборванные связи -- кремний -- акцепторные центры -- коэффициенты захвата Аннотация: Исследованы температурные зависимости фотопроводимости слоистых и стандартных нелегированных пленок аморфного гидрированного кремния в широкой области температур (130-420 K) и интенсивностей освещения (0. 1-60 мВт·см{-2}). Установлено, что более высокая фоточувствительность слоистых пленок по сравнению со стандартными пленками определяется малой темновой проводимостью слоистых пленок вследствие более глубокого положения равновесного уровня Ферми в запрещенной зоне и отсутствием температурного гашения их фотопроводимости. Показано, что эти особенности электрических и фотоэлектрических свойств слоистых пленок можно объяснить малой концентрацией оборванных связей кремния по сравнению с концентрацией связанных с кислородом акцепторных центров, имеющих большой коэффициент захвата для дырок. Доп.точки доступа: Ормонт, Н. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |