Сосуществование коллективных и одночастичных эффектов в фотоотклике двумерного электронного газа на СВЧ облучение [Текст] / С. И. Дорожкин [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, вып: вып. 11. - С. 705-709
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерный электронный газ -- СВЧ облучение -- фотоотклик -- осцилляции Шубникова-де Гааза -- Шубникова-де Гааза осцилляции -- осцилляции магнетосопротивления Аннотация: Исследован фотоотклик в магнетосопротивлении двумерной электронной системы с высокой плотностью электронов на электромагнитное излучение субмиллиметрового диапазона. Обнаружены эффект подавления осцилляций Шубникова-де Гааза излучением, имеющий сложную зависимость от магнитного поля, и индуцированные излучением осцилляции магнетосопротивления. Доп.точки доступа: Дорожкин, С. И.; Быков, А. А.; Печенежский, И. В.; Бакаров, А. К. |
Кинетика поведения фоточувствительных примесей и дефектов в особо чистом полуизолирующем карбиде кремния [Текст] / Д. В. Савченко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 692-699. - Библиогр.: с. 699 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фоточувствительные примеси -- карбид кремния -- полуизолирующий карбид кремния -- метод электронного парамагнитного резонанса -- долговременная релаксация -- долгоживущая фотопроводимость -- фотоотклики -- фотоотклик спектра ЭПР Аннотация: Выполнено экспериментальное и теоретическое исследования кинетики поведения фоточувствительных примесей и дефектов в особо чистом полуизолирующем материале 4H-SiC методом электронного парамагнитного резонанса в присутствии фотовозбуждения и оптической спектроскопии полной проводимости. Решены кинетические уравнения, описывающие процессы рекомбинации, захвата и ионизации неравновесных носителей, динамически связанных с мелкими донорами и акцепторами (азота и бора), а также процессы передачи носителей зарядов с мелкого донора азота на глубокие уровни собственных дефектов. Сопоставление результатов расчета с экспериментальными кривыми временных спадов полной проводимости и интенсивностей сигналов электронного парамагнитного резонанса от азота и бора после прекращения фотовозбуждения показало, что вероятности захвата дырок на ионизированный акцептор и скорость ионизации нейтрального акцептора бора на два порядка больше, чем аналогичные процессы в системе донорных уровней. Для последней решающую роль играют каскадные переходы электронов с уровня на уровень в запрещенной зоне, а также электронно-дырочная рекомбинация. Доп.точки доступа: Савченко, Д. В.; Шанина, Б. Д.; Лукин, С. Н.; Калабухова, Е. Н. |
Влияние самокомпенсации на время жизни электрона в теллуриде кадмия, легированном галлием [Текст] / Е. В. Рабенок [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 878-883 : ил. - Библиогр.: с. 882 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): самокомпенсация -- электроны -- время жизни электронов -- теллурид кадмия -- легирование -- галлий -- фотопроводимость -- сверхвыкокочастотная фотопроводимость -- катодолюминесценция -- элементарные процессы -- заряженные частицы -- твердые растворы -- поликристаллические твердые растворы -- датчики интроскопии -- фотоотклик -- амплитуда -- характеристическое время -- фотогенерированные электроны -- энергетические ловушки Аннотация: Методами сверхвысокочастотной фотопроводимости и катодолюминесценции исследованы элементарные процессы с участием заряженных частиц в поликристаллических твердых растворах на основе теллурида кадмия CdTe-GaTe и CdTe-Ga[2]Te[3] - перспективных активных средах датчиков интроскопии человека с низкой дозовой нагрузкой. Экспериментально установлено, что амплитуда, характеристическое время и форма спада фотоотклика зависели от уровня легирования, причем характеристическое время спада увеличивалось с ростом уровня легирования. Показано, что изменение кинетики гибели фотогенерированных электронов в легированном теллуриде кадмия (по сравнению с исходным) обусловлено эффектом самокомпенсации, приводящим к перераспределению ловушек по энергиям. Доп.точки доступа: Рабенок, Е. В.; Гапанович, М. В.; Новиков, Г. Ф.; Один, И. Н. |
Чаплыгин, А. Н. Влияние химико-механического нанополирования (ХМП) кристаллов BiSiO на фотоотклик [Текст] / А. Н. Чаплыгин, А. С. Артемов, А. С. Сизов // Нанотехника. - 2009. - N 4 (20). - С. 57-63 : 6 рис. - Библиогр.: c. 63 (12 назв. ) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанополирование кристаллов -- оптическое возбуждение -- оптико-электронные устройства -- фотоотклик -- коллоидные растворы Аннотация: Изучено влияние механического полирования ХМП поверхности кристаллов BiSiO на импульсное оптическое возбуждение. Доп.точки доступа: Артемов, А. С.; Сизов, А. С. |
Новиков, Г. Ф. Роль подбарьерных переходов в процессах гибели избыточных носителей тока в полупроводниках A{II}B{VI} [Текст] / Г. Ф. Новиков, Е. В. Рабенок, М. В. Гапанович // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 600-605 : ил. - Библиогр.: с. 605 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые соединения -- теллурид кадмия -- сульфид кадмия -- сульфид цинка -- фотопроводимость -- СВЧ фотопроводимость -- метод СВЧ фотопроводимости -- фотоотклик -- спад фотоотклика -- температура -- подбарьерные переходы -- носители зарядов -- рекомбинация -- туннельная рекомбинация -- ловушки Аннотация: Методом СВЧ фотопроводимости изучена кинетика гибели носителей тока, генерируемых импульсами излучения азотного лазера, в полупроводниковых соединениях группы A{II}B{VI}: теллуриде кадмия n- и p-типа проводимости, сульфиде кадмия. Спады фотоотклика после выключения света состояли из быстрой (проявляющейся при временах <30 нс) и медленной (при временах >50 нс) компонент. Форма спада медленной компоненты практически не зависела от температуры и при больших временах, закон спада соответствовал линейной зависимости фотоотклика от логарифма времени. Результаты позволили предположить, что медленная компонента спада фотоотклика отражает процесс гибели захваченных в ловушки зарядов благодаря туннельной рекомбинации. Доп.точки доступа: Рабенок, Е. В.; Гапанович, М. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кожевников, Николай Михайлович (1947-2016). Измерение времени локального фоторефрактивного отклика среды методом пи-сдвига интерференционной картины [Текст] / Н. М. Кожевников // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 120, № 3. - С. 484-487 : схемы, граф. - Библиогр.: с. 487 (7 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Геометрическая оптика. Оптические приборы Кл.слова (ненормированные): фоточувствительные среды -- фоторефрактивная чувствительность -- фоторефрактивный отклик -- реверсивный фотоотклик -- динамические решетки -- фазовые решетки -- измерение интенсивности -- метод фазомодулированных пучков -- оптические измерения -- модуляция интенсивностей -- фазомодулированные пучки Аннотация: Приведено описание метода измерения времени записи/стирания динамических фазовых решеток, записываемых фазомодулированными пучками в фоторефрактивной среде с локальным откликом. Метод основан на регистрации амплитуды модуляции интенсивностей выходных пучков в процессе перезаписи решетки после ступенчатого смещения интерференционной картины на половину пространственного периода. Показано, что высокая чувствительность метода обусловлена возможностью селективной регистрации сигналов на достаточно высокой частоте, а также высокой эффективностью энергообмена записывающих пучков по сравнению с дифракцией зондирующего пучка. Обсуждена возможность применения метода для реализации динамических голографических сейсмографов. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |