Овчинников, Вячеслав Алексеевич.
    Разработка технологии ретуширования прозрачных дефектов фотошаблонов на лазерной установке ЭМ-5001Б [Текст] / В. А. Овчинников // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 4. - С. 25-28 : рис. - Библиогр.: с. 28 (4 назв. )
УДК
ББК 32.84
Рубрики: Радиоэлектроника
   Общая радиотехника

Кл.слова (ненормированные):
режим осаждения -- фотолитография -- литографические процессы -- интегральные микросхемы -- кремниевые пластины
Аннотация: Установлена зависимость высоты осажденного материала от режимов осаждения, кратности проходов и длины осажденной линии. Определены технологические режимы процесса устранения прозрачных дефектов на фотошаблоне.





   
    Акустоэлектронный нанобиосенсор [Текст] / А. Е. Мельников [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2019. - Т. 83, № 1. - С. 62-65. - Библиогр.: c. 65 (2 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 26.303 + 22.325
Рубрики: Геология
   Минералогия

   Физика

   Распространение звука

Кл.слова (ненормированные):
нанострансдьюсеры -- негативная электронно-лучевая нанолитография -- ниобат лития -- система встречно-штыревых электродов -- фотолитография
Аннотация: Разработана технология, реализующая две разномасштабные структуры на монокристаллической пьезоэлектрической подложке ниобата лития. С помощью методов фотолитографии изготовлена система встречно-штыревых электродов для акустической линии задержки, работающей в диапазоне 2–3 МГц, совмещенная с нанострансдьюсерами с характерным размером 60-80 нм, изготовленными с использованием негативной электронно-лучевой нанолитографии.


Доп.точки доступа:
Мельников, А. Е.; Солдатов, Е. С.; Кузнецова, И. Е.; Колесов, В. В.; Анисимкин, В. И.; Кашин, В. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)