Примесная терагерцовая люминесценция при межзонном фотовозбуждении полупроводников [Текст] / А. В. Андрианов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 2. - С. 102-105
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): межзонное фотовозбуждение -- фотовозбуждение полупроводников -- фотовозбуждение -- терагерцовая фотолюминесценция -- излучательные переходы -- захват неравновесных носителей -- ионизованные примесные центры -- примесные центры -- электронно-дырочная рекомбинация Аннотация: Сообщается об обнаружении интенсивного терагерцового излучения при межзонном фотовозбуждении полупроводников (n-GaAs и p-Ge) при низких температурах. Терагерцовая фотолюминесценция обусловлена излучательными переходами, имеющими место в процессе захвата неравновесных носителей на ионизованные примесные центры, которые в свою очередь создаются в кристалле в результате электронно-дырочной рекомбинации с участием примесей. Внешний квантовый выход излучения составляет до 0. 1. Доп.точки доступа: Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Иванов, Ю. Л.; Кипа, М. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |