Внутрицентровое возбуждение состояний меди в фосфиде индия, компенсированном медью [Текст] / В. А. Мельник [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 294-296
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- фосфид индия -- медь -- фосфид галлия -- спектры собственной фотопроводимости Аннотация: При исследовании спектров примесной фотопроводимости образцов фосфида индия, компенсированного медью, обнаружен резонансный переход из одного состояния меди в другое с максимумом оптической энергии возбуждения 0. 31 эВ. Получена температурная зависимость величины максимума интенсивности внутрицентрового перехода в диапазоне от 90 до 450 К. Установлено, что термическая энергия возбуждения составляет 0. 42 эВ. Доп.точки доступа: Мельник, В. А.; Прибылов, Н. Н.; Рембеза, С. И.; Макаренко, Ф. В. |
Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением gamma-квантами {60}Co [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1607-1614. : ил. - Библиогр.: с. 1613-1614 (16 назв. )
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): радиационные эффекты -- межфазные взаимодействия -- омические контакты -- барьерные контакты -- фосфид индия -- термическая обработка -- облучение gamma-квантами -- gamma-кванты -- радиационная стойкость -- внешние воздействия -- электрофизические характеристики -- распределение компонентов -- фазовые составы -- слои металлизации -- металлизация -- термическое облучение -- слоевые структуры -- радиационно-стимулированный массоперенос -- поликристаллические пленки -- контактообразующие слои -- электрофизические свойства Аннотация: Исследована радиационная стойкость исходных и прошедших быструю термическую обработку омических контактов Au-Pd-Ti-Pd-n{++}-InP и барьерных Au-TiB[x]-n-n{+}-n{++}-InP при облучении gamma-квантами {60}Co до доз 10{9} P. До и после внешних воздействий измерялись электрофизические характеристики барьерных и омических контактов, профили распределения компонентов и фазовый состав в слоях металлизации. В омических контактах Pd-Ti-Pd-Au, прошедших быструю термическую обработку и облучение, происходит заметное нарушение слоевой структуры металлизации, обусловленное термическим и радиационно-стимулированным массопереносом Pd по границам зерен в поликристаллических пленках Ti и Au, но величина удельного контактного сопротивления rhoc существенно не изменяется, что связано со сравнительно постоянным фазовым составом контактообразующего слоя на границе раздела Pd-n{+}-InP. В исходном и прошедшем быструю термическую обработку при T=400{o}C образце с барьерными контактами Au-TiBx-n-n{+}-n{++}InP, облученном до дозы 2·10{8} P, сохраняется слоевая структура металлизации. После облучения до дозы 10{9} P в образцах, подвергнутых быстрой термической обработке при T=400{o}C слоевая структура металлизации полностью нарушается, однако она сохраняется в исходном образце. Электрофизические свойства контактной структуры значительно деградируют лишь после облучения образца, предварительно прошедшего быструю термическую обработку при T=400{o}C. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Бобыль, А. В.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Корчевой, А. А.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.; Новицкий, С. В.; Шеремет, В. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
544.72 В 58 Влияние модифицирования поверхности InP композициями оксидов (V_2O_5+PbO) и (NiO+PbO) разного состава на процесс термооксидирования полупроводника и характеристики формируемых оксидных пленок [Текст] / И. Я. Миттова [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 12. - С. 68-72 : рис., табл. - Библиогр.: c. 72 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Химия Физическая химия поверхностных явлений Кл.слова (ненормированные): оксид ванадия -- оксидирование -- реактивное магнетронное распыление -- термооксидирование -- фосфид индия Аннотация: Оксид ванадия является активным хемостимулятором оксидирования InP, что проявляется в резком снижении эффективной энергии активации (ЭЭА) процесса, значительном увеличении темпа прироста толщины пленок (от 70 до 110 %), улучшении их диэлектрических характеристик, обусловленном эффективным связыванием индия в оксидную форму. Все это свидетельствует в пользу синхронного каталитического механизма оксидирования InP с нанесенными слоями V_2O_5 наноразмерной толщины. Использование композиции оксидов V_2O_5+PbO позволяет проследить динамику уменьшения каталитического действия V_2O_5 в ходе оксидирования при постепенном увеличении в композиции содержания PbO, выступающего как транзитор кислорода для компонентов InP. Композиция (NiO+PbO) составлена из двух оксидов - транзиторов кислорода. Таким образом, целью работы является выявление совместного хемостимулирующего действия магнетронно нанесенных на поверхность InP наноразмерных слоев оксидных композитов V_2O_5+PbO и NiO+PbO на термооксидирование полученных гетероструктур. Практическое отсутствие расхода оксида ванадия (данные РФА) подтверждает наличие в процессе термооксидирования гетероструктур (V_2O_5+PbO) /InP цикла регенерации катализатора V_2O_5. Оксид свинца фиксируется лишь на ранних стадиях процесса, что свидетельствует о расходе транзитора PbO в процессе оксидирования InP. Для гетероструктур (NiO+PbO) /InP (86 и 52 мол. % PbO) установлено расходование оксидов NiO и PbO в процессе термооксидирования (данные РФА), что подтверждает протекание процесса по транзитному механизму. Для оксидно-фосфатных плёнок, сформированных оксидированием гетероструктур (V_2O_5+PbO) /InP, размеры отдельных кристаллитов находятся в пределах 100-150 (данные АСМ), тогда как для гетероструктур (NiO +PbO) /InP в оксидных пленках присутствуют кристаллиты размером 150-200 нм. Доп.точки доступа: Миттова, И. Я.; Томина, Е. В.; Заболотская, А. В.; Самсонов, А. А.; Козик, В. В.; Сладкопевцев, Б. В.; Третьяков, Н. Н. |
Рашидова, Ш. Ш. Синтез и характеризация композитов полимер+InР [Текст] / Ш. Ш. Рашидова, М. А. Гусейнова, С. М. Рзаева // Инженерно-физический журнал. - 2015. - Т. 88, № 3. - С. 754-757 : 5 рис. - Библиогр.: с. 757 (13 назв. ) . - ISSN 0021-0285
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Электронные и ионные явления. Физика плазмы Химия Физическая химия поверхностных явлений Кл.слова (ненормированные): композитные пленки -- оптические спектры поглощения -- полиэтилен высокой плотности -- полупроводниковые наполнители -- фосфид индия Аннотация: Приводятся результаты исследований спектральных свойств полимерных композитов на основе InР. Показано, что наблюдаемые эффекты в ИК и УФ спектрах поглощения связаны с излучением надмолекулярной структуры и степени кристалличности полимерной матрицы. Доп.точки доступа: Гусейнова, М. А.; Рзаева, С. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |