Магнитные и электрические свойства халькопирита ZnGeAs[2] : Mn [Текст] / Л. И. Королева [и др. ]> // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 11. - С. 2022-2026. - Библиогр.: с. 2026 (14 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): кластеры -- легирование -- марганец -- намагниченность -- спинтроника -- спонтанная намагниченность -- ферромагнитные кластеры -- ФМ-кластеры -- халькопириты -- ширина запрещенной зоны Аннотация: Получены и исследованы новые соединения ZnGeAs[2] : Mn, температура Кюри которых достигает 367 K - рекордной величины для соединений типа A{II}B{IV}C{V}[2]. Рассматриваемое в работе соединение ZnGeAs[2] обладает следующими характеристиками: ширина запрещенной зоны 0. 85 eV; значения подвижности около 10{2} cm{2}/V*s (для дырок с концентрациями 10{18} - 5*10{19} cm{-3}; эффективная масса дырок 0. 4 - 0. 74. Таким образом, соединения A{II}B{IV}C{V}[2]: Mn являются перспективными материалами спинтроники. Доп.точки доступа: Королева, Л. И.; Павлов, В. Ю.; Защиринский, Д. М.; Маренкин, С. Ф.; Варнавский, С. А.; Шимчак, Р.; Добровольский, В.; Киллинский, Л. |
Локализация электронов проводимости в ферромагнитных кластерах AuFe [Текст] / А. С. Прохоров [и др. ]> // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 9. - С. 555-560
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): электроны проводимости -- ферромагнитные кластеры -- спектры оптической проводимости -- полоса поглощения -- ферромагнитно-упорядоченные ионы железа Аннотация: Выполнены измерения спектров оптической проводимости концентрированных растворов Au[1-x]Fe[x], x=17 ат. % и 22 ат. %, в интервале частот 10-33 х 10\{3\} см\{-1\} при комнатной температуре. Результаты анализируются вместе с данными ранних оптических измерений составов с x=4-12 ат. %. Установлено, что для концентраций Fe ниже 4 ат. % величины магнитного вклада сигма[magn]=сигма[AuFe]-сигма[Au] в низкочастотную (10 см\{-1\}) и в статическую проводимость практически совпадают, в то время как для более высоких концентраций низкочастотный магнитный вклад значительно превышает статический. В образцах с концентрациями x=6-22 ат. % обнаружена полоса поглощения на частотах 1000-3000 см\{-1\}. Происхождение обнаруженных эффектов связывается с локализацией электронов проводимости внутри кластеров, содержащих ферромагнитно-упорядоченные ионы железа. Доп.точки доступа: Прохоров, А. С.; Жукова, Е. С.; Горшунов, Б. П.; Гессельберг, М. Б. С.; Аартс, Дж.; Нейвеньюс, Г. Дж.; Кайзер, С.; Дрессель, М. |
Аномальный эффект Холла в Si пленках, сильно легированных Mn [Текст] / С. Н. Николаев [и др. ]> // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 12. - С. 707-712
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки -- марганец -- проводимость дырочного типа -- транспортные свойства пленок -- намагниченность -- аномальный эффект Холла -- Холла аномальный эффект -- модель двухфазной системы -- ферромагнитные кластеры Аннотация: В диапазоне температур 5-300 К и в магнитных полях до 2. 5 Тл исследованы транспортные и магнитные свойства пленок Mn[х]Si[1-х] c высоким содержанием Mn (x приблизительно равно б0. 35), полученных методом лазерного осаждения при температурах роста 300-350 градусов C. Пленки обладают металлическим характером проводимости дырочного типа и демонстрируют относительно слабое изменение намагниченности в диапазоне температур 50-200 К. Обнаружен аномальный эффект Холла, имеющий в области температур больше 50 К существенно гистерезисный характер, который сохраняется до температур приблизительно равно 230 К. Свойства пленок объясняются в рамках модели двухфазной системы, в которой ферромагнитные (ФМ) кластеры, содержащие междоузельные ионы Mn с локализованным магнитным моментом, встроены в матрицу слабого зонного ФМ типа MnSi[2-x] (x приблизительно равно 0. 3) с делокализованной спиновой плотностью. Доп.точки доступа: Николаев, С. Н.; Аронзон, Б. А.; Рыльков, В. В.; Тугушев, В. В.; Демидов, Е. С.; Левчук, С. А.; Лесников, В. П.; Подольский, В. В.; Гареев, Р. Р. |