Брудный, В. Н. Зарядовая нейтральность в полупроводниках: дефекты, границы раздела, поверхность [Текст] / В. Н. Брудный // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 7. - С. 27-29 : табл. - Библиогр.: c. 29 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): границы раздела -- дефекты полупроводников -- зарядовая нейтральность -- поверхность полупроводников -- полупроводники -- уровень зарядовой нейтральности -- электронные свойства Аннотация: Представлены обобщающие данные экспериментальных и теоретических исследований зарядовой нейтральности в полупроводниковых материалах. Показано, что уровень зарядовой нейтральности (charge neutrality level) определяет электронные свойства объема полупроводника, насыщенного собственными дефектами решетки, электронное состояние поверхности полупроводника, а также, в значительной степени, высоту барьера металл/полупроводник и разрывы энергетических зон в полупроводниковых гетеропарах. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Брудный, В. Н. Влияние жесткой радиации на электронные, оптические и рекомбинационные свойства соединений (Al, Ga, In)-P, (Al, Ga)-As и их твердых растворов [Текст] / В. Н. Брудный // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8. - С. 37-39 : табл. - Библиогр.: c. 39 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): AlAs -- AlP -- GaAs -- GaP -- InP -- лазерные структуры -- радиационная деградация -- радиационные дефекты -- светодиодные гетероструктуры -- светодиодные структуры -- светодиоды -- свойства полупроводников -- уровень зарядовой нейтральности Аннотация: Представлены данные экспериментальных и теоретических исследований электронных, оптических и рекомбинационных свойств AlP, InP, GaP, AlAs, GaAs и их твердых растворов, подвергнутых воздействию жесткой радиации. Проанализировано влияние жесткой радиации на свойства лазерных и светодиодных структур на основе этих материалов. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N [Текст] / В. Н. Брудный [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 8. - С. 73-78 : рис., табл. - Библиогр.: с. 77-78 (53 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): HTMТ-транзисторы -- металлизация -- многослойная металлизация -- невыпрямляющие контакты -- нитрид галлия -- обработка поверхности -- омические контакты -- твердые растворы AlInGaN -- уровень зарядовой нейтральности Аннотация: Проведен анализ экспериментальных данных по исследованию омических контактов на основе однослойных и многослойных металлизаций к GaN и твердым растворам (In, Al, Ga) N. Экспериментально исследованы металлизации Ti/Al/Mo/Au и Ti/Al/Mo/W/Au к нелегированному GaN и влияние обработки поверхности пластин GaN перед металлизацией, а также режима отжига контакта. Доп.точки доступа: Брудный, В. Н.; Вилисова, М. Д.; Великовский, Л. Э.; Сим, П. Е.; Брудный, П. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности радиационных изменений электрических свойств InAlN/GaN HEMT [Текст] / Афонин А. Г., Брудный В. Н., Брудный П. А., Великовский Л. Э. // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 9. - С. 106-112. - Библиогр.: с. 112 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Физика полупроводников и диэлектриков Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): InAlN/GaN-транзистор -- высокоэнергетическая радиация -- нитрид галлия -- облучение гамма-лучами -- облучение протонами -- облучение электронами -- радиационная стойкость -- радиационные ловушки -- уровень зарядовой нейтральности -- электрические свойства InAlN/GaN HEMT Аннотация: Проанализировано влияние облучения протонами, электронами, гамма-лучами и быстрыми нейтронами на параметры InAlN/GaN HEMT-структур. Рассмотрены особенности исходных электронных свойств барьерных слоев InAlN и AlGaN при изменении их состава, а также изменение этих свойств при воздействии высокоэнергетической радиации с учетом композиционной зависимости энергетического положения уровня зарядовой нейтральности в энергическом спектре барьерных слоев. Доп.точки доступа: Афонин, А. Г.; Брудный, В. Н.; Брудный, П. А.; Великовский, Л. Э. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |