Алексеев, П. С. Аналитическая теория анизотропии зоны проводимости \ A[3]B[5]-полупроводников в сильном магнитном поле [Текст] / П. С. Алексеев // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 2. - С. 111-115
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): зона проводимости -- полупроводники -- слагаемое Дрессельхауза -- Дрессельхауза слагаемое -- уровни Ландау -- Ландау уровни -- анизотропия зоны проводимости -- ультраквантовое магнитное поле -- расщепление линий Аннотация: Изучены поправки от кубического по волновому вектору K\{3\}-слагаемого Дрессельхауза к энергиям основного и первого уровней Ландау электронов в A[3]B[5]-полупроводниках. Найденные поправки вместе с ранее известными поправками за счет K\{4\}-членов в гамильтониане электрона дают полное аналитическое описание анизотропии вершины зоны проводимости A[3]B[5]-полупроводников в ультраквантовом магнитном поле. Проведенный анализ экспериментальных данных по расщеплению линии циклотронного резонанса в GaAs подтверждает реальность изученного механизма анизотропии. |