Олих, О. Я. Изменение активности рекомбинационных центров в кремниевых p-n-структурах в условиях акустического нагружения [Текст] / О. Я. Олих // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 774-779 : ил. - Библиогр.: с. 779 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): p-n структуры -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- кремниевые структуры -- ультразвук -- УЗ -- акустические нагружения -- ультразвуковые нагружения Аннотация: Используя метод дифференциальных коэффициентов вольт-амперных характеристик, исследованы глубокие уровни в Cz-Si p-n-структурах в условиях ультразвукового нагружения (продольные волны частотой 4-26 МГц и интенсивностью до 0. 6 Вт/см{2}). Выявлены уровни с термической энергией активации 0. 44, 0. 40, 0. 37, 0. 48 и 0. 46 эВ. Предполагается, что эти уровни связаны с E-центром, бистабильным комплексом B[s]O[2i], а также межузельными атомами, захваченными дислокационными петлями, соответственно. Установлено, что ультразвук индуцирует увеличение вклада в рекомбинационные процессы более мелких уровней и уменьшение энергии активации дефектов. Проанализирована возможность акустоиндуцированной обратимой перестройки конфигурации комплекса B[s]O[2i]. |