Завьялов, Д. В. Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в поперечном магнитном поле [Текст] / Д. В. Завьялов, С. В. Крючков, Е. И. Кухарь // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1480-1483. - Библиогр.: с. 1482-1483 (17 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): напряженность -- полупроводниковые сверхрешетки -- поперечное магнитное поле -- проводимость -- проводимость полупроводниковой сверхрешетки -- сверхрешетки -- удельное сопротивление Аннотация: Выполнен расчет проводимости полупроводниковой сверхрешетки, помещенной с магнитное поле, направленное поперек оси сверхрешетки. Исследована зависимость проводимости от напряженности магнитного поля. Обнаружена область значений напряженности магнитного поля, когда удельное сопротивление прямо пропорционально напряженности магнитного поля. Доп.точки доступа: Крючков, С. В.; Кухарь, Е. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Саад Баккали Выявление продуктивных отложений на месторождении фосфатов Сиди Шеннан (Марокко) по данным электроразведки [Текст] / Саад Баккали // Геология и геофизика. - 2007. - N 9. - С. . 996-1003. - Библиогр. в конце ст. - Ил.: 8 рис.
Рубрики: Геофизика--Физика недр Земли Марокко Королевство Марокко Хурибга (провинция) Бени Амир (равнина) Кл.слова (ненормированные): геофизические исследования -- удельное сопротивление -- фосфаты -- аномалия -- оттенение Аннотация: Анализ геоэлектрических карт нарушений, полученных с использованием метода оттенения, успешно применен для построения геологических моделей. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Швец, В. Т. Степень металлизации водорода при давлении 1. 4 Мбар и температуре 3000 К [Текст] / В. Т. Швец, А. С. Власенко, А. Д. Буханенко // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 8. - С. 625-629
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): металлизация водорода -- водород -- давление (физика) -- температура (физика) -- жидкий металлический водород -- удельное сопротивление Аннотация: Рассчитанo удельное сопротивление жидкого металлического водорода при температуре 3000 К и плотности 0. 35 моль/см\{3\}. Водород рассматривается как трехкомпонентная система, состоящая из электронов, протонов и нейтральных атомов водорода. Для обратного времени релаксации для электропроводности использован второй порядок теории возмущений по электрон-протонному и электрон-атомному взаимодействиям. Кулоновское электрон-электронное взаимодействие учтено в приближении случайных фаз, а обменное взаимодействие и корреляции электронов проводимости - в приближении локального поля. Для протонной и атомной подсистем использована модель твердых сфер. Концентрация электрически нейтральной атомной компоненты оказалась значительно ниже предполагавшейся авторами открытия металлического водорода. Доп.точки доступа: Власенко, А. С.; Буханенко, А. Д. |
Журавлева, Р. Б. Новый вариант частотных электромагнитных зондирований с контролируемыми источниками [Текст] / Р. Б. Журавлева, Д. Г. Миронов // Геология и геофизика. - 2009. - Т. 50, N 1. - С. 67-71 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0016-7886
Рубрики: Геология Геологическая разведка Кл.слова (ненормированные): структура -- информационный параметр -- зондирование -- частота поля -- разнос -- удельное сопротивление -- разрешающая способность Аннотация: Предложен новый вариант зондирований с использованием нового информационного параметра, имеющего простое аналитическое выражение для однородного полупространства и представленного комбинацией электромагнитных чисел в поле вертикального магнитного диполя, пространственно совмещенных вертикального магнитного и горизонтального электрического диполей либо вертикального магнитного и горизонтального магнитного диполей. Дано сравнение информативности нового варианта зондирований с традиционными методами. Показана лучшая разрешимость кривых зондирования, возможность получения достоверной информации о структуре при работе на более высоких частотах и меньших разносах. Рассмотрены варианты интерпретации при амплитудных и амплитудно-фазовых измерениях. Доп.точки доступа: Миронов, Д. Г. |
Саад Баккали Выявление продуктивных отложений на месторождении фосфатов Сиди Шеннан (Марокко) по данным электроразведки [Текст] / Саад Баккали // Геология и геофизика. - 2007. - Т. 48, N 9. - С. 996-1003 : 8 рис. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0016-7886
Рубрики: Геофизика Физика недр Земли в целом--Марокко--Бени Амир (равнина) Кл.слова (ненормированные): геофизические исследования -- удельное сопротивление -- фосфаты -- аномалия -- оттенение Аннотация: Анализ геоэлектрических карт нарушений, полученных с использованием метода оттенения, успешно применен для построения геологических моделей. |
Шабанова, Н. П. Взаимосвязь критического магнитного поля H[c2] и остаточного удельного сопротивления в двухзонном сверхпроводнике MgB[2] [Текст] / Н. П. Шабанова, А. И. Головашин // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 637-642. - Библиогр.: с. 642 (41 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сверхпроводники -- двухзонные сверхпроводники -- двухщелевые двухзонные сверхпроводники -- удельное сопротивление -- обобщенное соотношение Горькова -- Горькова обобщенное соотношение Аннотация: Для двухщелевого двухзонного сверхпроводника MgB[2] получено выражение для величины верхнего критического магнитного поля H[c2], обобщающее соотношение Горькова. Выражение связывает H[c2] с остаточным удельным сопротивлением и параметрами зонной структуры и справедливо от чистого до грязного предела. На основе экспериментальных данных сделаны оценки отношения времен релаксации тау[пи] / тау[сигма] и длин свободного пробега электронов пи-зоны и сигма-зоны для образцов MgB[2] с низким уровнем дефектов и образцов Mg (B[1-x]C[x]) [2] с частичным замещением бора углеродом. Доп.точки доступа: Головашин, А. И. |
Механизм генерации дефектов донорной и акцепторной природы в полупроводнике n-TiNiSn, сильно легированном примесью Co [Текст] / В. А. Ромака [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1165-1171 : ил. - Библиогр.: с. 1170-1171 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- n-TiNiSn -- легирование -- примеси -- Co -- генерация -- дефекты -- дефекты донорной природы -- дефекты акцепторной природы -- удельное сопротивление -- коэффициент термоэдс -- структурные характеристики -- электрокинетические характеристики -- энергетические характеристики -- плотность электронных состояний -- DOS -- амплитуда флуктуации -- флуктуации -- крупномасштабные флуктуации -- полупроводники Шкловского-Эфроса -- Шкловского-Эфроса полупроводники -- интерметаллические полупроводники -- легированные полупроводники -- компенсированные полупроводники -- кобальт Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента термоэдс, структурные характеристики, а также произведен расчет распределения плотности электронных состояний интерметаллического полупроводника n-TiNiSn, сильно легированного примесью Со (концентрации Со N{Co} ~9. 5 x 10{19}-1. 9 x 10{21}см{-3}), в температурном диапазоне 80-380К. Показано, что в TiNi[1-x]Co[x]Sn с x < 0. 03 атомы примеси одновременно в разных соотношениях занимают кристаллографические позиции атомов Ti и Ni, генерируя дефекты донорной и акцепторной природы соответственно. Установлена связь между концентрацией примеси, амплитудой крупномасштабной флуктуации, а также степенью заполнения носителями тока потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации (тонкой структурой). Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. Доп.точки доступа: Ромака, В. А.; Стаднык, Ю. В.; Fruchart, D.; Доминюк, Т. И.; Ромака, Л. П.; Rogl, P.; Горынь, А. М. |
Отражающий p-контакт на основе тонких пленок ITO для флип-чип светодиодов AlGaInN [Текст] / Л. К. Марков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1564-1569 : ил. - Библиогр.: с. 1568-1569 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- тонкие пленки -- оксид индия -- оксид олова -- ITO -- электронно-лучевое напыление -- метод электронно-лучевого напыления -- отражающий p-контакт -- светодиоды -- флип-чип светодиоды -- коэффициент отражения контакта -- квантовая эффективность -- кристаллы -- светоизлучающие кристаллы -- удельное сопротивление -- напряжение -- электрические характеристики -- оптические характеристики -- p-контакт Аннотация: Методом электронно-лучевого напыления тонких пленок оксида индия и олова (ITO) был получен отражающий контакт к слою p-GaN, используемый при создании синих флип-чип светодиодов. Высокий коэффициент отражения контакта, превосходящий коэффициент отражения контакта на основе Ni/Ag, обеспечивает прирост внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов на 15-20%. Прямые падения напряжения для кристаллов с контактом ITO (5 нм) /Ag (220 нм) сравнимы с аналогичными величинами для кристаллов с контактом Ni (1. 5 нм) /Ag (220 нм). Удельное сопротивление контакта со слоем ITO составляет 3. 7 x 10{-3} Ом x см{2}. Показано, что для полученных данным методом пленок ITO оптимальные толщины, обеспечивающие наилучшие электрические и оптические характеристики кристаллов, лежат в диапазоне 2. 5-5. 0 нм. Доп.точки доступа: Марков, Л. К.; Смирнова, И. П.; Павлюченко, А. С.; Аракчеева, Е. М.; Кулагина, М. М. |
Осаждение тонких пленок Bi[2]Te[3] и Sb[2]Te[3] методом импульсной лазерной абляции [Текст] / И. С. Вирт [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 564-569 : ил. - Библиогр.: с. 568-569 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- тонкие пленки -- осаждение -- импульсная лазерная абляция -- ИЛА -- метод импульсной лазерной абляции -- подложки -- монокристаллические подложки -- температура -- мишени -- рентгеновская дифрактометрия -- метод рентгеновской дифрактометрии -- дифракция электронов высоких энергий -- метод дифракции электронов высоких энергий -- кристаллиты -- электрические свойства -- удельное сопротивление -- абляции Аннотация: Методом импульсной лазерной абляции получены пленки Bi[2]Te[3] и Sb[2]Te[3]. Пленки осаждались в вакууме (1x10{-5} мм рт. ст. ) на подогретые до температуры 453-523 K монокристаллические подложки Al[2]O[3] (0001), BaF[2] (111) и свежие сколы KCl или NaCl (001). Толщина пленок составляла 10-1500 нм. Структура объемного материала мишеней и пленок исследовалась методом рентгеновской дифрактометрии и дифракции электронов высоких энергий на просвет соответственно. Электрические свойства пленок измерялись в температурном интервале 77-300 K. Показано, что пленки обладают полупроводниковыми свойствами. На температурных зависимостях удельного сопротивления наблюдается несколько активационных участков, энергии которых зависят от толщины пленки и размеров кристаллитов. Доп.точки доступа: Вирт, И. С.; Шкумбатюк, Т. П.; Курило, И. В.; Рудый, И. О.; Лопатинский, И. Е.; Линник, Л. Ф.; Тетеркин, В. В.; Федоров, А. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Метод измерения удельного электрического сопротивления высокотемпературных расплавов [Текст] / А. Н. Шатунов [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - Т. 76. N 3. - С. 33-36. - Библиогр.: с. 36 (9 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Электрический ток Энергетика Электрический нагрев Кл.слова (ненормированные): методы измерения -- удельное сопротивление -- электрическое сопротивление -- высокотемпературные расплавы -- бесконтактное измерение сопротивления -- индукционная плавка -- тигли -- индукционные печи -- оксидные расплавы Аннотация: Описан метод бесконтактного измерения удельного сопротивления высокотемпературных расплавов, основанный на индукционной плавке в разрезном проводящем тигле и решении обратной задачи электромагнитного поля с использованием тепловых и электрических параметров индукционной системы. Доп.точки доступа: Шатунов, А. Н.; Максимов, А. И.; Печенков, А. Ю.; Позняк, И. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Шкумбатюк, П. С. Свойства нитевидных кристаллов ZnO, полученных под действием излучения CO[2]-лазера [Текст] / П. С. Шкумбатюк // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1147-1150. : ил. - Библиогр.: с. 1150 (12 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нитевидные кристаллы -- ZnO -- CO[2]-лазер -- импульсное лазерное излучение -- ИЛИ -- монокристаллические нити -- удельное сопротивление -- электролюминесценция -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- инжекция -- дефекты -- электрическое поле Аннотация: Методом непрерывного действия CO[2]-лазерного излучения получены монокристаллические нити ZnO в виде игл длиной 0. 3-0. 8 мм, диаметром 1-10 мкм, с удельным сопротивлением 3 x 10{2}-1 Ом x см. В нитях наблюдали слабую электролюминесценцию, обусловленную инжекцией из контактов, с участием собственных дефектов, влияющих на распределение электрического поля. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование процесса карбонизации и окисления пористого кремния методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и ИК-спектроскопии [Текст] / А. В. Васин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 360-364. : ил. - Библиогр.: с. 364 (17 назв. )
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): пористый кремний -- ПК -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- слои кремния -- электрохимическое травление -- метод электрохимического травления -- спектроскопия поглощения -- инфракрасная спектроскопия -- ИК-спектроскопия -- удельное сопротивление -- карбонизация кремния -- окисление кремния -- ацетилены -- плавиковая кислота -- температура -- конденсаты -- фотолюминесценция -- нанокомпозиты Аннотация: Слои пористого кремния были получены методом электрохимического травления пластин монокристаллического кремния с удельным сопротивлением 10 Ом x см в водно-спиртовом растворе плавиковой кислоты. Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии поглощения в инфракрасном диапазоне исследованы процессы взаимодействия пористого кремния с неразбавленным ацетиленом при низкой температуре и окисления карбонизированного пористого кремния парами воды. Установлено, что уже при температуре 550{o}C на поверхности пор образуются кремний-углеродные связи и формируется графитоподобный углеродный конденсат. Показано, что углеродный конденсат препятствует процессу окисления пористого кремния парами воды и способствует гашению белой фотолюминесценции в нанокомпозитном слое окисленного карбонизированного пористого кремния. Доп.точки доступа: Васин, А. В.; Охолин, И. Н.; Веровский, И. Н.; Назаров, А. Н.; Лысенко, В. С.; Холостов, К. И.; Бондаренко, В. П.; Ishikawa, Y. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Normal state resistivity of Ba[1-x]K[x]Fe[2]As[2]: evidence for multiband strong-coupling behavior [Text] / A. A. Golubov [et al. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 4. - С. 357-361.
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): сверхпроводники -- удельное сопротивление -- теория Элиашберга -- Элиашберга теория Доп.точки доступа: Golubov, A. A.; Dolgov, O. V.; Boris, A. V.; Charnukha, A.; Sun, D. L.; Lin, C. T.; Shevchun, A. F.; Korobenko, A. V.; Trunin, M. R.; Zverev, V. N. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Андреев, О. В. Твердые растворы со структурой Th[3]P[4] в системах Ln[3]Se[4]-Ln[2]Se[3] (Ln=Pr, Sm) [Текст] / О. В. Андреев, В. Б. Харитонцев // Вестник Тюменского государственного университета. - 2011. - N 5. - С. 211-215. : граф., табл. - Библиогр.: с. 215 (4 назв. )
Рубрики: Химия Физическая химия в целом Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- селениды -- лантаноиды -- селениты лантаноидов -- термоэлектрические материалы -- удельное сопротивление -- электродвижущая сила -- ЭДС -- плавкость -- диаграммы плавкости Аннотация: Построены диаграммы плавкости и зависимости состав-параметр элементарной ячейки, состав-микротвердость для твердых растворов. Доп.точки доступа: Харитонцев, В. Б. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Оптимизация условий формирования тонких пленок ZnO для использования в интегральных МЭМС-устройствах [Текст] / Д. Г. Громов [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2011. - № 12. - С. 27-30. . - Библиогр.: с. 30 (17 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): удельное сопротивление -- пьезоэффект -- тонкие пленки -- магнетронное распыление -- нанотехнологии Аннотация: Представлены результаты исследований тонких пленок ZnO для использования в составе интегральных МЭМС-устройствах. Пленки ZnO: Ga получены в процессе магнетронного распыления соответствующей мишени в среде аргона без нагрева подложки. Показано, что удельное сопротивление и стабильность во времени пленок ZnO: Ga существенно зависит от их толщины, воздействия солнечного излучения, внешней окружающей среды. Комплекс проведенных исследований указывает на то, что причиной нестабильности тонких пленок ZnO являются процессы генерации и залечивания. Доп.точки доступа: Громов, Д. Г.; Козьмин, А. М.; Поломошнов, С. А.; Шулятьев, А. С.; Шаманаев, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Арешкин, А. А. Контроль удельного сопротивления тонкопленочных элементов микроволновых СВЧ устройств [Текст] / А. А. Арешкин // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. - 2012. - № 4. - С. 24-28 : 3 рис. - Библиогр.: с. 28 (4 назв.) . - ISSN 2073-0004
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Автоматика и телемеханика Кл.слова (ненормированные): удельное сопротивление -- тонкопленочные элементы -- микроволновые СВЧ устройства -- датчики -- четырехзондовый метод контроля -- зонды Аннотация: Рассмотрен четырехзондовый метод контроля удельного сопротивления тонких микрополосковых СВЧ устройств с линейным расположением зондов в датчиках. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Арешкин, А. А. Расчет функции поправок при измерении удельного сопротивления четырехзондовым методом [Текст] / А. А. Арешкин // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. - 2012. - № 4. - С. 41-45 : 3 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 45 (1 назв.) . - ISSN 2073-0004
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): удельное сопротивление -- четырехзондовый метод -- интегральные схемы -- проводящие пленки -- тонкие пленки -- зонды Аннотация: Выведены аналитические зависимости функций поправок при контроле удельного сопротивления тонких проводящих пленок четырехзондовым методом элементов интегральных схем ограниченных размеров. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Явления переноса в тонких пленках висмута, легированного теллуром [Текст] = Transport phenomena in thin films of bismuth doped with tellurium / А. В. Комаров [и др.] // Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. - 2012. - № 147. - С. 50-63 : 13 рис. - Библиогр.: с. 61-63 (20 назв. ) . - ISSN 1992-6464
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): висмут -- донорные примеси -- теллур -- тонкие пленки -- удельное сопротивление -- магнетосопротивление -- эффект Холла -- Холла эффект -- размерный эффект -- механизмы рассеяния Аннотация: Исследованы пленки висмута, легированного теллуром, в количестве 0, 005 am% и 0, 05 am%, изготовленные методом дискретного термического напыления в вакууме на подложках из слюды (мусковит). Приведены результаты температурных зависимостей удельного сопротивления, магнетосопротивления, коэффициента Холла пленок висмута, легированного теллуром, толщиной от 100 до 700 нм в интервале температур 77-300 К и магнитных полей 0-0, 65 Тл. Установлено проявление классического размерного эффекта в ограничении подвижности носителей заряда в пленках в области низких температур. В области температур 200-300 К преимущественным является рассеяние носителей заряда на фононах. Доп.точки доступа: Комаров, Владимир Алексеевич (кандидат физико-математических наук; доцент кафедры общей и экспериментальной физики); Матвеев, Даниил Юрьевич (аспирант); Худякова, Инна Ивановна (кандидат физико-математических наук; доцент кафедры общей и экспериментальной физики); Крушельницкий, Артемий Николаевич (студент 4 курса) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование свойств керамики La[1-x]SrxMn[0.925]Zn[0.075]O[3] (x=0.075,0.095,0.115) [Текст] / Р. М. Еремина [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 6. - С. 1090-1095. - Библиогр.: с. 1094-1095 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): керамика -- спектры ЭПР -- удельная проводимость -- удельное сопротивление -- кристаллические структуры Аннотация: Проведены измерения спектров ЭПР и удельной проводимости керамики La[1-x]SrxMn[0. 925]Zn[0. 075]O[3] (x=0. 075, 0. 095, 0. 115) с аттестованной рентгенографическим методом кристаллической структурой. Установлено, что при x=0. 095 в температурной области от 190 до 228 K наблюдается ярко выраженная зависимость удельного сопротивления от магнитного поля. Для образцов с x=0. 075 и 0. 115 подобного поведения не обнаружено. Наблюдается линейное увеличение ширины линии ЭПР с ростом температуры в диапазоне от 180 до 380 K для всех образцов, тангенс угла наклона уменьшается с ростом концентрации стронция. Доп.точки доступа: Еремина, Р. М.; Шарипов, К. Р.; Мингалиева, Л. В.; Файзрахманов, И. А.; Баделин, А. Г.; Евсеева, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Равиндран, А. А. Исследование характеристик приповерхностного водоносного горизонта в береговой зоне с использованием геоэлектрических и геохимических методов в циркониевом комплексе, Пажайякаял (Тутукуди, Индия) [Текст] = Study of Characteristics of the Coastal-Zone Shallow Aquifer in the Zirconium Complex, Pazhayakayal ( Thoothukudi, India), Using Geoelectrical and Geochemical Methods / А. А. Равиндран // Геология и геофизика. - 2013. - Т. 54, № 12. - С. 1961-1971 : ил., табл. - Библиогр. : с. 1970-1971 . - ISSN 0016-7886
Рубрики: Геофизика Гидрология суши--Пажайякаял--Тутукуди, район--Тамилнад, штат; Индия Кл.слова (ненормированные): вторжение морской воды -- прибрежный водоносный горизонт -- удельное сопротивление -- циркониевый комплекс Аннотация: Подземные воды являются очень важным компонентом водных ресурсов в прибрежных водоносных пластах в Тутукуди. Установлено, что подземные воды в прибрежной зоне циркониевого комплекса (Пажайякаял, район Тутукуди, штат Тамилнад, Индия) подвергаются волновому и приливно-отливному воздействию. На исследуемой территории качество подземной воды изучалось с использованием гидрогеологических методов, было пройдено шесть профилей с построением 2-мерных изображений удельного электрического сопротивления (ИУЭС), 11 профилей вертикального электрического зондирования по схеме Веннера (ВЭЗ), проанализированы каротажные данные и отобраны девять геохимических проб воды. 2-мерные ИУЭС и ВЭЗ измерения были выполнены с помощью измерителя удельного сопротивления WGMD-4 Ltd, с применением многожильного кабеля и многоэлектродной установки Веннера. Собранные данные с использованием метода сопротивлений проинтерпретированы при помощи компьютерной программы Res2DINV. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |