Хачатурова, Т. А. Эффект спиновой фильтрации в двойных туннельных переходах: двухзонная модель электронной структуры магнитных диэлектриков [Текст] / Т. А. Хачатурова, М. А. Белоголовский, А. И. Хачатуров // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 8. - С. 442-445
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): спиновая фильтрация -- спиновые фильтры -- туннельные переходы -- двойные туннельные переходы -- двухзонные модели -- магнитные диэлектрики -- края валентной зоны -- валентные зоны -- изоляторы -- уровень Ферми -- Ферми уровень Аннотация: Обсуждается влияние верхнего края валентной зоны изолятора на эффект спиновой фильтрации в туннельных структурах с наноразмерными слоями магнитного диэлектрика. Показано, что в том случае, когда уровень Ферми находится посередине запрещенной зоны диэлектрика, данный эффект полностью исчезает при нулевом напряжении смещения и существенно подавляется при конечных напряжениях. Указанное обстоятельство и является основной причиной наблюдавшегося недавно гигантского расхождения между теоретическими значениями магнетосопротивления двойных туннельных спиновых фильтров и соответствующими экспериментальными данными. Доп.точки доступа: Белоголовский, М. А.; Хачатуров, А. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Семейство сверхпроводниковых устройств на основе графена [Текст] / М. Тарасов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 4. - С. 353-356.
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): сверхпроводниковые устройства -- графен -- туннельные переходы -- болометры на холодных электронах Аннотация: Разработано, изготовлено и исследовано семейство высокочувствительных устройств на основе наномостика из графена и сверхпроводниковых электродов, которые могут стать основой для создания интегрального приемника на базе графена. Исследован прототип болометра на холодных электронах с туннельными переходами сверхпроводник-изолятор-нормальный металл (СИН). Измерен его отклик на изменение температуры и внешнего СВЧ-излучения. Исследован сверхпроводниковый квантовый интерферометр с полоской графена в качестве слабой связи между сверхпроводящими электродами. Измерена соответствующая модуляция напряжения магнитным полем при заданном токе. Для этих образцов исследовано влияние напряжения затвора на сопротивление графена. Для подтверждения однослойности графена проведено измерение его толщины в атомно-силовом микроскопе, а также квантового эффекта. Доп.точки доступа: Тарасов, М.; Линдвалл, Н.; Кузьмин, Л.; Юргенс, А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Андрианов, В. А. О сигнале пассивного электрода в рентгеновских детекторах на базе сверхпроводящих туннельных переходов [Текст] / В. А. Андрианов, В. П. Кошелец, Л. В. Филиппенко // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 8. - С. 1466-1472. . - Библиогр.: с. 1472 (20 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): туннельные переходы -- детекторы -- электроды -- рентгеновских детекторы Аннотация: Исследованы рентгеновские детекторы на базе сверхпроводящих туннельных переходов с многослойной структурой электродов, которая описывалась формулой Ti/Nb/Al, AlO[x]/Al/Nb/NbN. Основной сигнал возникал при поглощении квантов в верхнем электроде и имел энергетическое разрешение около 90 eV на линии 5. 9 keV. Нижний пассивный электрод Ti/Nb обеспечивал быстрое поглощение избыточных квазичастиц. Остаточный сигнал пассивного электрода составлял от 7 до 17% от амплитуды основного сигнала. Измерены зависимости амплитуды этого сигнала от напряжения и энергии поглощенного кванта для детекторов с различной толщиной верхнего и нижнего электродов. Оценена скорость захвата квазичастиц в энергетическую ловушку в бислое Ti/Nb. Рассмотрены основные механизмы образования сигнала пассивного электрода и предложены методы его подавления. Доп.точки доступа: Кошелец, В. П.; Филиппенко, Л. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Yurin, Igor M.. Number of atoms conserving He II theory [Text] / I. M. Yurin // Инженерная физика. - 2013. - № 11. - С. 3-9. - Библиогр.: с. 15 (9 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Математическая физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): волновые функции -- разложение волновых функций -- теория Боголюбова -- Боголюбова теория -- атомы -- туннельные переходы -- потоки гелия Аннотация: Предлагается метод построения сохраняющей число атомов теории He II. Представлено сравнение теории He II c теорией Боголюбова. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Рассеяние джозефсоновских плазмонов на случайных квантовых закоротках в неупорядоченном I-слое S-I-S-контакта [Текст] / В. Я. Кирпиченков [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Т. 80, № 5. - С. 590-592. - Библиогр.: c. 592 (3 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): S-I-S-контакты -- джозефсоновские плазмоны -- квантовые резонансно-перколяционные траектории -- туннельные переходы Аннотация: Получена формула для времени релаксации джозефсоновских плазмонов на случайных квантовых закоротках - квантовых резонансно-перколяционных траекториях (КРПТ) в неупорядоченном I-слое [1] туннельного S-I-S-контакта. Доп.точки доступа: Кирпиченков, В. Я.; Кирпиченкова, Н. В.; Лозин, О. И.; Постников, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |