Войтенко, А. И. Влияние волн зарядовой плотности на туннельные спектры сверхпроводника Bi[2]Sr[2]CaCu[2]O[8+дельта] [Текст] / А. И. Войтенко, А. М. Габович // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1356-1362. - Библиогр.: с. 1361-1362 (49 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): волны зарядовой плотности -- дифференциальная туннельная проводимость -- диэлектрическая щель -- курпаты -- сверхпроводники -- сверхпроводящая щелевая область -- туннельная проводимость -- туннельные спектры Аннотация: Рассчитаны зависимости дифференциальной туннельной проводимости G[s] от напряжения V на переходе между нормальным металлом и сверхпроводником с волной зарядовой плотности (CDW). Проводится усреднение по разбросу сверхпроводящей и CDW-энергетическим щелям в пространственно неоднородном в наномасштабе сверхпроводнике. Показано, что в присутствии обоих параметров порядка (OP) формируется структура "горбик-ямка" (DH) за пределами сверхпроводящей щелевой области G[s] (V). При фазе CDW-OP, отличной от пи/2, DH-структура должна наблюдаться только или по преимуществу для одной полярности смещения. Результаты объясняют данные эксперимента для Bi[2]Sr[2]CaCu[2]O[8+дельта] и других высокотемпературных оксидов. Доп.точки доступа: Габович, А. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Mantsevich, V. N. Spatial effects of Fano resonance in local tunneling conductivity in vicinity of impurity on semiconductor surface [Text] / V. N. Mantsevich, N. S. Maslova // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 3. - С. 150-153
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): резонанс Фано -- Фано резонанс -- поверхность полупроводника -- туннельная проводимость -- резонансное туннелирование Доп.точки доступа: Maslova, N. S. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi[2]Se[3] [Текст] / О. Е. Терещенко [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 6. - С. 500-503.
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): топологические изоляторы -- монокристаллы -- стабильность поверхности -- туннельная проводимость Аннотация: Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии продемонстрирована инертность поверхности скола (0001) монокристаллического Bi[2]Se[3] к окислению: после месяца хранения образцов на воздухе на поверхности не образуется собственных оксидов висмута и селена. Получены атомно-гладкие поверхности макроскопических размеров (~1 см\{2\}) со средней квадратичной шероховатостью менее 0. 1 нм и атомным разрешением структуры (1x1) - (0001) Bi[2]Se[3]. Измерение туннельной проводимости выявило квазилинейную зависимость поверхностной плотности состояний от энергии в запрещенной зоне Bi[2]Se[3]. Доп.точки доступа: Терещенко, О. Е.; Кох, К. А.; Атучин, В. В.; Романюк, К. Н.; Макаренко, С. В.; Голяшов, В. А.; Кожухов, А. С.; Просвирин, И. П.; Шкляев, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Туннельная аномалия при нулевом смещении в двумерной электронной системе с беспорядком [Текст] / И. Н. Котельников [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 9. - С. 646-650
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерные электронные системы -- системы с беспорядком -- туннельные структуры -- туннельная проводимость -- аномалии туннельной проводимости Аннотация: В туннельной структуре Al/дельта-GaAs с концентрацией 2D-электронов в дельта-слое 3. 5 х 10\{12\} см\{-2\} исследована зависимость аномалии туннельной проводимости при нулевом смещении от температуры. Доп.точки доступа: Котельников, И. Н.; Дижур, С. Е.; Морозова, Е. Н.; Девятов, Э. В.; Долгополов, В. Т. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности туннельной проводимости пленок двумерно упорядоченного линейно-цепочечного углерода [Текст] / В. В. Хвостов [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 4. - С. 231-234
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): углерод -- линейно-цепочечный углерод -- двумерно-упорядоченный углерод -- пленки углерода -- туннельная проводимость -- дифференциальная проводимость -- туннельная спектроскопия Аннотация: Методом туннельной спектроскопии исследованы пленки двумерно-упорядоченного линейно-цепочечного углерода с разными толщинами (50 и 500 нм). Обнаружена осцилляционная зависимость дифференциальной проводимости исследуемых структур. Полученные результаты интерпретируются с использованием модели образования волн зарядовой плотности на регулярных изгибах структуры линейно-цепочечного углерода. Доп.точки доступа: Хвостов, В. В.; Иваненко, И. П.; Стрелецкий, О. А.; Новиков, Н. Д.; Якунин, В. Г.; Савченко, Н. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |