Gutman, D. B. Modulation theory of quantum tunneling into a Calogero-Sutherland fluid [Text] / D. B. Gutman // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 1. - С. 71-75
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): теория модуляции квантового туннелирования -- квантовое туннелирование -- жидкость Калоджеро-Сазерленда -- Калоджеро-Сазерленда жидкость |
Туннельная рекомбинация в полупроводниковых структурах с наноразупорядочением [Текст] / С. В. Булярский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 460-466
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): генерационно-рекомбинационная теория -- полупроводниковые структуры -- туннелирование носителей заряда -- наноразмерные уровни -- легирование полупроводника Аннотация: Предложена модель обобщенной генерационно-рекомбинационной теории применительно к полупроводникам с наноразупорядочением. Установлено, что применение развитой модели рекомбинации открыло возможности определить параметры, характеризующие локализацию электронных состояний в полупроводниках с различными атомным составов и характером позиционного упорядочения. Показано, что пространственные параметры этой локализации принадлежат нанометровому диапазону и по этой причине основным фактором переноса становится туннелирование носителей заряда, наряду с которым важную роль играют также электронные переходы между разрешенными зонами и состояниями внутри щели подвижности. На основании выполненного исследования сделан вывод о том, что только сочетание обоих факторов обеспечивает полное описание электронных процессов в структурах на полупроводниках с наноразупорядочением. Доп.точки доступа: Булярский, С. В.; Рудь, Ю. В.; Вострецова, Л. Н.; Кагарманов, А. С.; Трифонов, О. А. |
Korshunov, S. E. Two-level systems and mass deficit in quantum solids [Text] / S. E. Korshunov // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 2. - С. 167-178
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): безупорядоченные квантовые системы -- квантовые двууровневые системы -- когерентное туннелирование -- дефицит массы |
Вдовин, Е. Е. Исследование пространственного распределения плотности вероятности волновых функций донорных пар Si в GaAs квантовой яме [Текст] / Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 6. - С. 494-500
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): туннелирование -- квантовые ямы -- резонансно-туннельный диод -- изолированные мелкие доноры -- донорные пары кремния Аннотация: Исследовано туннелирование через локализованные электронные состояния в слаболегированной кремнием GaAs квантовой яме резонансно-туннельного диода, залегающие глубже уровней изолированных мелких доноров. С помощью метода визуализации волновых функций получены контурные карты пространственного распределения плотности вероятности электронных волновых функций этих состояний. Обнаружено, что их волновые функции обладают аксиальной симметрией и формой, подобной основному состоянию молекулы водорода, а характерные размеры волновых функций совпадают с предсказываемыми теорией размерами водородоподобных состояний донорных пар кремния в GaAs квантовой яме с соответствующими энергиями связи. Доп.точки доступа: Ханин, Ю. Н. |
Резонансный пробой кулоновской блокады механическими колебаниями квантовой точки [Текст] / А. Г. Погосов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 8. - С. 626-629
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): кулоновская блокада -- колебания квантовой точки -- резонансный пробой -- одноэлектронные транзисторы -- электронное туннелирование -- кондактанс транзистора Аннотация: Исследовано влияние вынужденных механических колебаний подвешенного одноэлектронного транзистора на электронное туннелирование через квантовую точку, ограниченное кулоновской блокадой. Показано, что механические колебания квантовой точки приводят к пробою кулоновской блокады, что проявляется в виде узких резонансных пиков на зависимости кондактанса транзистора от частоты возбуждения при частотах, соответствующих собственным модам механических колебаний. Обсуждается механизм наблюдаемого эффекта, предположительно связанный с колебаниями взаимных электрических емкостей между квантовой точкой и окружающими электродами. Доп.точки доступа: Погосов, А. Г.; Буданцев, М. В.; Шевырин, А. А.; Плотников, А. Е.; Бакаров, А. К.; Торопов, А. И. |
Дискретное туннелирование в электронных транспортных свойствах наногранулированного пористого кремния и подобных гетерофазных систем [Текст] / Е. С. Демидов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 10. - С. 1894-1899. - Библиогр.: с. 1899 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дискретные нуннелирования -- кремний -- наногранулированные пористые кремнии -- гетерофазные системы Аннотация: На основе теории дискретного туннелирования анализируются экспериментальные данные по исследованию поперечного транспорта тока в ряде наноразмерных гранулированных или подобных им сред: слоях ПК, анодных слоях оксида и слоях нитрида кремния, полученных ионной имплантацией азота в кремний. Показано, как измерение вольт-амперной характеристики диодной структуры с прослойкой диэлектрика с вкрапленными гранулами позволяет получить полезную информацию о характере и размерах гранул или квантовых точек в наноразмерной гранулированной среде. Аморфные диэлектрики могут рассматриваться как гранулированная среда с наноразмерными флуктуациями состава. Вольт-амперные характеристики реальных структур определяются как токовой нелинейностью, связанной с инжекцией носителей тока, так и полевой нелинейностью, обусловленной кулоновской блокадой туннелирования. Доп.точки доступа: Демидов, Е. С.; Демидова, Н. Е.; Карзанов, В. В.; Марков, К. А.; Сдобняков, В. В. |
Квантование сверхтока и андреевское отражение в кремниевых наноструктурах [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1496-1506 : ил. - Библиогр.: с. 1505-1506 (38 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- туннельная спектроскопия -- корреляция -- туннелирование -- эффект Джозефсона -- Джозефсона эффект -- андреевское отражение -- сверхпроводящие delta-барьеры -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- когерентное туннелирование -- осцилляция -- квантование -- сверхтоки -- сверхпроводящий эффект близости -- сверхпроводник-СККЯ-сверхпроводник Аннотация: Туннельная спектроскопия используется для изучения транспорта дырок в сандвич-наноструктуре типа сверхпроводник-сверхузкая самоупорядоченная кремниевая квантовая яма (СККЯ) p-типа - сверхпроводник на поверхности Si (100) n-типа, в которой ширина квантовой ямы меньше длины когерентности и фермиевской длины волны. Туннельные ВАХ высокого разрешения демонстрируют квантование сверхтока, характеристики которого определяются позициями уровней размерного квантования дырок в СККЯ. Причем корреляция в туннелировании одиночных дырок и куперовских пар проявляется в идентичности осцилляций ВАХ сверхтока при T Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Оганесян, Г. А.; Полоскин, Д. С. |
Влияние электрического поля на интенсивность и спектр излучения квантовых ям InGaN/GaN [Текст] / Н. И. Бочкарева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1541-1548 : ил. - Библиогр.: с. 1547-1548 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- InGaN/GaN -- спектры излучений -- электрические поля -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электролюминесценция -- p-n переходы -- напряжение -- прямое напряжение -- туннелирование -- квантовый выход -- фототоки -- инжекция -- электрическая инжекция -- оптическая инжекция -- квантовая эффективность Аннотация: Проведены сравнительные исследования фотолюминесценции из квантовых ям при приложении прямого напряжения и электролюминесценции в структурах p-GaN/InGaN/n-GaN. Показано, что при приложении прямого напряжения наблюдается характерный красный сдвиг пика спектра, а также уширение линии фотолюминесценции и одновременное возгорание фотолюминесценции, связанные с уменьшением поля в области объемного заряда p-n-перехода и подавлением туннельной утечки носителей заряда из хвостов плотности состояний активного слоя InGaN. Анализ полученных результатов показал существенное влияние туннелирования на квантовый выход и позволил оценить внутреннюю квантовую эффективность структур. Показано, что неравновесное заполнение хвостов плотности состояний квантовых ям InGaN/GaN зависит от способа инжекции и контролируется захватом носителей, инжектированных в квантовую яму, при оптической инжекции и туннелированием носителей "под" квантовой ямой при электрической инжекции. Доп.точки доступа: Бочкарева, Н. И.; Богатов, А. Л.; Горбунов, Р. И.; Латышев, Ф. Е.; Зубрилов, А. С.; Цюк, А. И.; Клочков, А. В.; Леликов, Ю. С.; Ребане, Ю. Т.; Шретер, Ю. Г. |
Никитенко, В. Р. Механизм металлической проводимости вдоль границы раздела органических диэлектриков [Текст] / В. Р. Никитенко, А. Р. Тамеев, А. В. Ванников // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 223-229 : ил. - Библиогр.: с. 229 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электронно-дырочные пары -- металлическая проводимость -- границы раздела -- органические диэлектрики -- электропроводимость -- интерфейсы -- геминальные пары -- ГП -- поверхностная плотность -- подвижные носители зарядов -- термическая активация -- туннелирование -- численное моделирование Аннотация: Проведен теоретический анализ прыжковой подвижности носителей заряда (как поверхностной, так и объемной) при наличии электронно-дырочных пар. Предложена физическая модель электропроводности металлического типа вдоль границы раздела (интерфейса) органических материалов, каждый из которых в отдельности является диэлектриком. Причиной является образование на границе раздела геминальных пар с достаточно высокой поверхностной плотностью. Определены условия, при которых для значительной части носителей заряда переходы между молекулами не требуют термической активации и туннелирования. Численным моделированием получены оценки величин поверхностной электропроводности и подвижности носителей заряда. Доп.точки доступа: Тамеев, А. Р.; Ванников, А. В. |
Mantsevich, V. N. Spatial effects of Fano resonance in local tunneling conductivity in vicinity of impurity on semiconductor surface [Text] / V. N. Mantsevich, N. S. Maslova // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 3. - С. 150-153
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): резонанс Фано -- Фано резонанс -- поверхность полупроводника -- туннельная проводимость -- резонансное туннелирование Доп.точки доступа: Maslova, N. S. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Булат, Л. П. Влияние туннелирования на термоэлектрическую эффективность объемных наноструктурированных материалов [Текст] / Л. П. Булат, Д. А. Пшенай-Северин // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 3. - С. 452-458. - Библиогр.: с. 458 (28 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): туннелирование -- термоэлектрическая эффективность -- объемные наноструктурированные материалы -- наноструктурированные материалы -- термоэлектрики -- коэффициенты туннельного барьера Аннотация: Проводится теоретическое исследование возможности повышения термоэлектрической добротности в объемных наноструктурированных материалах. Проведен расчет и оценка кинетических коэффициентов наноструктурированного материала в предположении, что основную роль в переносе играет туннелирование электронов между наночастицами. Рассматривается предельный случай отсутствия фононной теплопроводности через барьерные слои. Оценки для материалов на основе Bi[2]Te[3] показали, что термоэдс в наноструктурированном материале может быть достаточно высокой, а безразмерная термоэлектрическая добротность, несмотря на невысокую электропроводность, может достигать значений 3-4 при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Пшенай-Северин, Д. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Гурин, Н. Т. Характеристики поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик-полупроводник в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов, А. М. Афанасьев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 517-526 : ил. - Библиогр.: с. 526 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные электролюминесцентные излучатели -- ТП ЭЛИ -- поверхностные состояния -- границы раздела -- диэлектрик-проводник -- люминофоры -- излучатели -- релаксация электронов -- время жизни электронов -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- туннелирование электронов Аннотация: Выполнено моделирование распределения плотности заполненных поверхностных электронных состояний на катодной границе раздела диэлектрик- (люминофор тонкопленочных электролюминесцентных излучателей) в зависимости от энергии на основе экспериментальных данных. Получены зависимости указанных распределений от режима возбуждения излучателей. Показано, что данные распределения сдвигаются в сторону более глубоких уровней поверхностных состояний при уменьшении частоты напряжения возбуждения и увеличении паузы между двумя соседними включенными состояниями излучателей, что соответствует каскадному механизму релаксации электронов, захваченных на поверхностные состояния. Определены: коэффициент каскадного захвата электронов, (4-5) x10{-12} см{2}/с; мгновенное время жизни электронов до релаксации 0. 2-0. 25 с; сечение захвата электронов на более глубокие уровни поверхностных состояний -более или порядка (6. 7-8. 3) ·10{-21} см{2}; максимальные значения плотности заполненных поверхностных состояний на катодной границе, с которых осуществляется туннелирование электронов, ~2. 5x10{13} см-{2}, и энергетической плотности указанных поверхностных состояний, 7x10{14} см{-2}эВ{-1}. Значения квазиравновесного уровня Ферми на поверхности в процессе работы электролюминесцентных излучателей изменяются в пределах 0. 9-1. 35 эВ в зависимости от режима возбуждения. Доп.точки доступа: Сабитов, О. Ю.; Афанасьев, А. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока [Текст] / Н. И. Бочкарева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 822-828. : ил. - Библиогр.: с. 827-828 (23 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- GaN-светодиоды -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- квантовые ямы -- туннелирование -- барьерные слои -- туннельно-рекомбинационный ток -- дефекты -- квантовая эффективность Аннотация: Исследована квантовая эффективность светодиодных структур на основе GaN при различных температурах и смещениях. Обнаружено, что уменьшение эффективности с ростом плотности тока наблюдается одновременно с возрастанием туннельной компоненты тока через светодиод и с достижением квазиуровнями Ферми порога подвижности в активном слое InGaN. Показано, что падение внутренней квантовой эффективности с ростом плотности тока обусловлено утечкой носителей из квантовой ямы. Причиной утечки являются туннельные переходы из хвостов плотности состояний квантовой ямы на локальные энергетические уровни дефектов внутри запрещенных зон барьерных слоев. Доп.точки доступа: Бочкарева, Н. И.; Вороненков, В. В.; Горбунов, Р. И.; Зубрилов, А. С.; Леликов, Ю. С.; Латышев, Ф. Е.; Ребане, Ю. Т.; Цюк, А. И.; Шретер, Ю. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Бондарь, Н. В. Эволюция экситонных состояний в двухфазных системах с квантовыми точками полупроводников II-VI вблизи перколяционного порога [Текст] / Н. В. Бондарь, М. С. Бродин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 915-922. : ил. - Библиогр.: с. 922 (23 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- экситонные состояния -- двухфазные системы -- экситоны -- перколяционные пороги -- перколяционные переходы -- флуктуации -- микроскопические флуктуации -- кластеры квантовых точек -- туннелирование -- диэлектрические ловушки -- фотолюминесценция -- ФЛ -- оптические спектры -- ZnSe -- CdS Аннотация: В результате проведеннных исследований двухфазных систем (боросиликатные матрицы с квантовыми точками ZnSe или CdS) обнаружена особенность, связанная с образованием в них фазового перколяционного перехода носителей (экситонов). Это проявилось в качественных изменениях оптических спектров обеих систем, а также в флуктуациях интенсивности полос излучения вблизи порога, обусловленных микроскопическими флуктуациями плотности квантовых точек. Вычислено среднее расстояние между квантовыми точками с учетом их конечных размеров и доли объема, который они занимают на перколяционном пороге, и показано, что образование кластеров квантовых точек происходит посредством туннелирования носителей между ними. Предложен механизм образования перколяционного порога носителей, в котором диэлектрическое рассогласование материалов матрицы и квантовых точек играет существенную роль в процессе делокализации носителей (экситонов), приводя к появлению "диэлектрической ловушки" на внешней поверхности раздела и образованию там поверхностных экситонных состояний. Получены критические концентрации квантовых точек, при которых пространственное перекрытие таких состояний приводит к появлению перколяционного перехода в обеих системах. Доп.точки доступа: Бродин, М. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Прямое туннелирование электронов в структурах Al-n{+}-Si-SiO[2]-n-Si в режиме нестационарного обеднения поверхности полупроводника основными носителями заряда [Текст] / Е. И. Гольдман [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1050-1052. : ил. - Библиогр.: с. 1052 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): туннелирование электронов -- прямое туннелирование -- сверхтонкие окислы -- металл-окисел-полупроводник -- МОП -- электрические поля -- туннельные барьеры -- окислы -- полевые электроды -- ПЭ -- вольт-амперная характеристика -- ВАХ -- заряды -- туннельный ток -- напряжение -- границы раздела -- ГР Аннотация: Экспериментально исследованы особенности прямого туннелирования электронов сквозь сверхтонкий (~40 Angstrem) окисел в структурах металл-SiO[2]-Si в нестационарных условиях обеднения поверхности полупроводника, когда потенциальный рельеф в изоляторе слабо возмущен внешними электрическими полями. Прозрачность туннельного барьера существенно ограничивается классически запрещенной областью в n-Si, обусловленной встроенным в SiO[2] отрицательным зарядом. С увеличением падения напряжения на окисле локализованные в нем электроны переходят в полупроводник, что сопровождается резким ростом туннельного тока. Из эксперимента определены значения коэффициентов линейного нарастания логарифма туннельного тока при повышении напряжения на изоляторе. Они не согласуются с данными, рассчитанными на основе модели прямоугольного барьера с параметрами, типичными для "толстых" окислов. Показано, что реальные значения эффективной массы должны быть больше 0. 5m0, а высота барьера меньше 3. 1 эВ. Доп.точки доступа: Гольдман, Е. И.; Гуляев, Ю. В.; Ждан, А. Г.; Чучева, Г. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции [Текст] / В. Г. Талалаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1084-1092. : ил. - Библиогр.: с. 1091 (12 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): туннельно-инжекционные наноструктуры -- ТИНС -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые точки -- КТ -- оптическая микроскопия -- метод оптической микроскопии -- электронная микроскопия -- метод электронной микроскопии -- эмиттеры -- модель Вентцеля - Крамерса - Бриллюэна -- Вентцеля - Крамерса - Бриллюэна модель -- наномостики -- люминесценция -- кинетика люминесценции -- фотолюминесценция -- ФЛ -- туннелирование электрического тока -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии Аннотация: Методами оптической спектроскопии и электронной микроскопии исследованы туннельно-инжекционные наноструктуры, активная область которых состояла из верхнего слоя квантовой ямы In[0. 15]Ga[0. 85]As в качестве инжектора носителей и нижнего слоя квантовых точек In[0. 6]Ga[0. 4]As в качестве эмиттера света, разделенных слоем барьера GaAs. В зависимости времени туннелирования от толщины барьера обнаружены отклонения от полуклассической модели Вентцеля-Крамерса-Бриллюэна. Сокращение времени переноса до единиц пикосекунд при толщине барьера менее 6 нм объясняется формированием между вершинами квантовых точек и слоем квантовой ямы наномостиков InGaAs, в том числе с собственным дырочным состоянием. Учтено влияние наведенного туннелированием электрического поля на время переноса носителей в туннельно-инжекционной наноструктуре. Доп.точки доступа: Талалаев, В. Г.; Сеничев, А. В.; Новиков, Б. В.; Tomm, J. W.; Elsaesser, T.; Захаров, Н. Д.; Werner, P.; Gosele, U.; Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
InP/GaAsSb type-II DHBTs with GaAsSb/InGaAs superlattice-base and GaAsSb bulk-base structures [Text] / Jung-Hui Tsai [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1130-1134. : ил. - Библиогр.: с. 1133-1134 (10 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): биполярные транзисторы -- туннелирование -- неосновные носители заряда -- эмитттеры смещения -- гетеропереходы -- структуры -- GaAsSb/InGaAs Аннотация: High-performance InP/GaAsSb double heterojunction bipolar transistor (DHBT) employing GaAsSb/InGaAs superlattice-base structure is demonstrated and compared with GaAsSb bulk-base structure by two-dimensional simulation analysis. The proposed device exhibits a higher current gain of 257 than the conventional InP/GaAsSb type-II DHBT with a lower current gain of 180, attributed to the tynneling behavior of minority carriers in the GaAsSb/InGaAs superlattice-base region under large forward base-emitter bias. In addition, a larger unity gain cutoff frequency of 19. 1 GHz is botained for the superlattice-base device than that of 17. 2 GHz for the bulk-base device. Доп.точки доступа: Jung-Hui Tsai; Wen-Shiung Lour; Der-Feng Guo; Wen-Chau Liu; Yi-Zhen Wu; Ying-Feng Dai Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Беляков, В. А. Миграция возбужденных носителей в ансамблях нанокристаллов кремния, легированных фосфором [Текст] / В. А. Беляков, А. А. Конаков, В. А. Бурдов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1466-1469. : ил. - Библиогр.: с. 1469 (14 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): излучательная рекомбинация -- нанокристаллы кремния -- кремниевые нанокристаллы -- нанокристаллы -- возбужденные носители -- электроны -- дырки (физика) -- легирование фосфором -- миграция возбужденных носителей -- фосфор -- туннелирование электронов Аннотация: Выполнен расчет скороcти туннельной миграции возбужденных носителей (электронов и дырок) в ансамбле нанокристаллов кремния, легированных фосфором. Показано, что, начиная с некоторых значений концентрации фосфора, зависящих от соотношения между размерами эмиттирующего и принимающего нанокристаллов, скорость туннелирования электронов резко падает (на несколько порядков) и становится меньше скорости излучательной межзонной рекомбинации. Доп.точки доступа: Конаков, А. А.; Бурдов, В. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кашин, С. М. Динамическое туннелирование электронов через квантовую точку в условиях кулоновской блокады [Текст] / С. М. Кашин, А. М. Сатанин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1563-1567. : ил. - Библиогр.: с. 1567 (9 назв. )
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): туннелирование электронов -- электроны -- квантовые точки -- КТ -- кулоновская блокада -- уравнение Шредингера -- Шредингера уравнение -- омические контакты -- сравнительный анализ Аннотация: Исследована динамика туннелирования электронов через квантовую точку в условиях кулоновской блокады. Численно решено нестационарное уравнение Шредингера, исследована динамика многоэлектронного волнового пакета в системе, состоящей из квантовой точки, соединенной с двумя омическими контактами. Построены зависимости прозрачности от средней энергии волнового пакета. Произведено сравнение полученных зависимостей с решениями соответствующей стационарной задачи. Доп.точки доступа: Сатанин, А. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Транспорт носителей заряда в композитных наноструктурах на основе слоистого полупроводника p-GaSe и сегнетоэлектрика KNO[3] [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 348-359. : ил. - Библиогр.: с. 358-359 (48 назв. )
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): носители заряда -- композитные наноструктуры -- наноструктуры -- слоистые полупроводники -- полупроводники -- ПП -- сегнетоэлектрики -- СЭ -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- импеданс структур -- GaSe -- 2D слои матрицы -- двумерные слои матрицы -- слоистые кристаллы -- СК -- нанообразования -- НО -- трехмерные нанообразования -- 3D нанообразования -- фазовые переходы -- электрическая поляризация -- рентгеновские исследования -- АСМ исследования -- электрические характеристики -- эффект Максвелла - Вагнера -- Максвелла - Вагнера эффект -- квантовые ямы -- туннелирование зарядов Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики и частотные зависимости импеданса композитных наноструктур, созданных на основе слоистого анизотропного полупроводника GaSe и сегнетоэлектрика KNO[3]. Многослойные наноструктуры формировались путем внедрения наноразмерных пирамидальных сегнетоэлектрических включений в слоистую матрицу GaSe. Обнаружены явления гистерезиса на вольт-амперных характеристиках и резкие изменения проводимости и емкости на частотных характеристиках импеданса структур. Они связаны с коллективным эффектом переключения электрической поляризации в наноразмерных 3D сегнетоэлектрических включениях в слоистой матрице, с особенностями ее локального деформирования и с политипными фазовыми переходами в этой матрице. Рентгеновские, АСМ исследования и исследования импеданса в слабом (B<400 мТ) магнитном поле показывают, что электрические характеристики наноструктур связаны с проявлением эффекта Максвелла-Вагнера в наноструктурах, с формированием квантовых ям в GaSe при деформировании кристаллов в области локализации наноразмерных включений, с туннелированием носителей заряда в структурах. Доп.точки доступа: Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Коноплянко, Д. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |