Немирович-Данченко, Л. Ю. Исследование вакансий и их комплексов в металлах с ГЦК-структурой [Текст] / Л. Ю. Немирович-Данченко, А. Г. Липницкий, С. Е. Кулькова // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1026-1032. - Библиогр.: с. 1031-1032 (34 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вакансии -- комплексы точечных дефектов -- медь -- металлы с ГЦК-структурой -- никель -- точечные дефекты Аннотация: Методом погруженного атома в квазигармоническом приближении рассчитаны энергии образования вакансий и их комплексов в меди и никеле при нулевых и конечных температурах. Исследована роль температурных эффектов в реализации различных атомных конфигураций собственных точечных дефектов. Доп.точки доступа: Липницкий, А. Г.; Кулькова, С. Е. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Еремеев, С. В. Влияние точечных дефектов на температурную зависимость ширины линии поверхностного электронного состояния на поверхности Au (111) [Текст] / С. В. Еремеев, Е. В. Чулков // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 808-812. - Библиогр.: с. 812 (33 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): точечные дефекты -- электрон-фононное взаимодействие -- энергия образования вакансии -- электронные поверхностные состояния Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования электрон-фононного взаимодействия на поверхности Au (111). Показано, что учет температурно-активируемых точечных дефектов на поверхности позволяет согласовать измеренную температурную зависимость ширины линии поверхностного состояния с теоретическими результатами. Доп.точки доступа: Чулков, Е. В. |
Квятковский, О. Е. Ab initio расчеты геометрии и электронной структуры точечных дефектов в сегнетоэлектриках со структурой перовскита [Текст] / О. Е. Квятковский // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 5. - С. 932-939. - Библиогр.: с. 938-939 (43 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): точечные дефекты -- сегнетоэлектрики-перовскиты -- кластерный метод -- расчеты ab initio Аннотация: Выполнены ab initio расчеты оптимизированной геометрии и электронной структуры дефектов решетки в виртуальных (incipient) сегнетоэлектриках-перовскитах SrTiO[3] и KTaO[3] в рамках теории функционала плотности. Представлены результаты для примесного иона Li{+} в A-узле в KTaO[3] и в SrTiO[3], для ионов Mn{2+}, Cd{2+}, Ca{2+}, Mg{2+}, Zn{2+} в A-узле и ионов Mn{4+}, Mg{2+} в B-узле в SrTiO[3], а также для комплексов Mn{2+}[Ti]-V[0], Mg{2+}[Ti]-V[0] в SrTiO[3]. Результаты получены кластерным методом с учетом структурной релаксации, порожденной дефектом, а для неизовалентных примесей замещения также с учетом зарядового и спинового состояний дефекта. Найдено, что Ca{2+}[Sr], Cd{2+}[Sr], Mn{4+}[Ti] и Mg{2+}[Ti] имеют устойчивое центральное положение, в то время как Li{+}[K] в KTaO[3] и Li{+}[Sr], Mn{2+}[Sr] и Zn{2+}[Sr] в SrTiO[3] являются нецентральными ионами. Определены форма многоминимумного адиабатического потенциала и параметры диэлектрических релаксаторов для полярных дефектов (активационный барьер и дипольный момент). Найдены электронные примесные уровни для нейтральных дефектов Li{+}[Sr] и Mg{2+}[Ti]. |
Моделирование переноса массы в виде рядов вакансий и межузельных атомов на примере двумерного кристалла [Текст] / М. Д. Старостенков [и др. ] // Вестник Самарского государственного технического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2010. - N 1. - С. 249-253.
Рубрики: Технология металлов Общая технология металлов Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- двумерные кристаллы -- точечные дефекты -- компьютерное моделирование -- межузельные атомы Аннотация: Методом молекулярной динамики исследована динамика структурной перестройки происходящей в процессе релаксации двумерного кристалла при введении в его структуру сгруппированных точечных дефектов. Показано, что процесс релаксации состоит из нескольких этапов. Доп.точки доступа: Старостенков, М. Д.; Маркидонов, А. В.; Медведев, Н. Н.; Тихонова, Т. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Гестрин, С. Г. Спиновые колебания, локализованные на точечном дефекте в ферродиэлектрике (одномерный случай) [Текст] / С. Г. Гестрин, Е. А. Сальникова // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2011. - № 57. - С. 73-78. : ил. - Библиогр.: с. 78 (7 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): спиновые колебания -- колебания -- ферродиэлектрики -- точечные дефекты -- дефекты -- кристаллы -- примеси -- ионы Аннотация: Изучено влияние точечного дефекта на спиновые колебания в ферродиэлектрике. Определены условия, при которых на нем возможна локализация спиновых колебаний. Найдены выражения, определяющие убывание амплитуды локализованных колебаний с удалением от дефекта. Сделаны оценки для кристалла, содержащего примесь из ионов. Доп.точки доступа: Сальникова, Е. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами [Текст] / П. А. Карасев [и др.] // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 2 (146). - С. 49-55 : ил. - Библиогр.: с. 54-55 (18 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): нитрид галлия -- ионная имплантация -- молекулярные ионы -- МД-моделирование -- молекулярно-динамическое моделирование -- каскады столкновений -- молекулярный эффект -- точечные дефекты -- внутрикаскадная рекомбинация -- атомарные ионы Аннотация: Описаны результаты МД-моделирования бомбардировки открытой поверхности (0001) GaN ускоренными атомарными (F, P, Ag) и молекулярными (PF[2], PF[4]) ионами с энергией 50 эВ/а. е. м. Обращено внимание на внутри-каскадную рекомбинацию образующихся точечных дефектов и генерацию простейших точечных дефектов тяжелыми ионами Ag и молекулами PF[4].Results of atomistic simulation of (0001) GaN surface bombardment by 50 eV/a. m. u. atomic (F, P, Ag) and molecular (PF[2] and PF[4]) ions are presented. Strong in-cascade recombination of generated point defects is found. Final defect distributions are significantly shifted towards the surface. Both these findings are in good agreement with experimental data on formation of structural defects in GaN under accelerated ion irradiation. Enhanced defect generation as compared to approximation given by binary collisions is found for heavy atomic (Ag) and molecular (PF[4]) ions. In the case of molecular ion the mentioned effect is observed close to the sample surface only. Доп.точки доступа: Карасев, Платон Александрович; Титов, Андрей Иванович (1939-); Улла, Мохаммад Вали; Джурабекова, Флюра; Куронен, Антти; Нордлунд, Кай Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кузьмичев, С. В. Упругое взаимодействие точечных дефектов в кристаллах с кубической симметрией [Текст] / Кузьмичев С. В., Кукушкин С. А., Осипов А. В. // Известия РАН. Механика твердого тела. - 2013. - № 4 : Июль-август. - С. 88-97 : ил. - Библиогр.: с. 97 . - ISSN 0572-3299
Рубрики: Механика Механическая энергия. Сохранение механической энергии Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): взаимодействие точечных дефектов -- точечные дефекты -- релаксация упругой энергии -- дилатационные центры -- гетероэпитаксия Аннотация: Выполнен численный анализ энергии упругого механического взаимодействия точечных дефектов в кубических кристаллах. При помощи конечно-элементного комплекса ANSYS исследован характер взаимодействия точечных дефектов в зависимости от их расположения вдоль кристаллографических направлений <100>, <110>, <111> и в зависимости от расстояния до свободной границы кристалла. Проведено сравнение численных результатов с аналитическими расчетами энергии взаимодействия двух точечных дефектов в бесконечной анизотропной среде с кубической симметрией. Исследовано взаимодействие между дефектами общего типа сжимаемыми и несжимаемыми. Найдены условия, при которых возникает упругое притяжение между дефектами, приводящее к общей релаксации упругой энергии кристалла. Доп.точки доступа: Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Хлудков, С. С. Физические свойства нитрида индия, примеси и дефекты [Текст] / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 9. - С. 23-31 : рис. - Библиогр.: c. 30-31 (86 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): InN -- бинарные неорганические соединения -- дислокации -- нитрид индия -- полупроводники n-типа -- применение нитрида индия -- примеси -- точечные дефекты -- физические свойства -- физические свойства нитрида индия Аннотация: Представлен обзор литературы по физическим свойствам InN, состоянию примесей и дефектов в нем по данным, опубликованным в последнее время. Показано, что к настоящему времени достигнуты значительные успехи как в получении материала и приборных структур, так и в изучении его физических свойств. Установлено, что InN имеет ширину запрещенной зоны 0, 7 эВ. Легирование InN магнием дает возможность получить слои p-типа проводимости с заданными свойствами. Использование уникальных свойств InN позволяет рассматривать его как перспективный материал для ряда новых приборов. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Энергия образования и миграции точечных дефектов в упорядоченных сплавах CuPt и CuPt_3 [Текст] / Г. М. Полетаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 1. - С. 38-43 : рис., табл. - Библиогр.: c. 42-43 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Квантовая механика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): диффузия -- межузельные атомы -- метод молекулярной динамики -- миграция межузельных атомов -- платина-медь -- сплав CuPt -- точечные дефекты -- упорядоченные сплавы -- энергия миграции -- энергия образования точечных дефектов Аннотация: С помощью метода молекулярной динамики получены значения энергии образования и миграции вакансий и межузельных атомов в упорядоченных сплавах CuPt и CuPt_3. Определены энергетически выгодные конфигурации межузельных атомов. В CuPt обнаружена высокая анизотропия диффузии при миграции межузельного атома: межузельный атом в упорядоченном сплаве CuPt мигрирует, как правило, вдоль плоскостей (111), содержащих атомы Cu. Доп.точки доступа: Полетаев, Г. М.; Потекаев, А. И.; Старостенков, М. Д.; Сосков, А. А.; Клопотов, А. А.; Кулагина, В. В.; Гринкевич, Л. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние ультрафиолетового лазерного излучения на поглощение и люминесценцию фототерморефрактивных стекол с ионами серебра [Текст] / А. И. Игнатьев [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2015. - Т. 119, № 2. - С. 249-254 : граф. - Библиогр.: с. 253-254 (24 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): интенсивность люминесценции -- ионы серебра -- лазерное излучение -- лазерные импульсы -- люминесценция -- молекулярные кластеры -- наносекундные лазерные импульсы -- облучение стекол -- стекла -- точечные дефекты -- ультрафиолетовое излучение -- фототерморефрактивные стекла Аннотация: Показано, что облучение стекол, содержащих серебро, наносекундными лазерными импульсами с длиной волны 248 нм приводит к появлению в облученной зоне нестабильных точечных дефектов, имеющих полосы поглощения в УФ и видимой области спектра, а также переводу ионов и заряженных молекулярных кластеров серебра в нейтральное состояние, что сопровождается увеличением интенсивности люминесценции в видимой области спектра. Доп.точки доступа: Игнатьев, А. И.; Игнатьев, Д. А.; Никоноров, Н. В.; Сидоров, А. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Старенченко, В. А. Генерация межузельных атомов в монокристаллах с ГЦК-структурой [Текст] / В. А. Старенченко, Д. Н. Черепанов, О. В. Селиваникова // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 4. - С. 16-23 : рис. - Библиогр.: c. 22-23 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Техника Сопротивление материалов Кл.слова (ненормированные): ГЦК-металлы -- бивакансии -- генерация межузельных атомов -- дефекты кристаллической решётки -- деформационные дефекты -- дислокационные источники -- концепция упрочнения -- межузельные атомы -- моделирование пластической деформации -- монокристаллы ГЦК-структурой -- пластическая деформация -- плотность дислокаций -- точечные дефекты -- уравнения кинетики деформации Аннотация: Представлена математическая модель генерации и накопления межузельных атомов в пластически деформируемых чистых металлах с ГЦК-структурой, основанная на концепции упрочнения и отдыха, связывающей явления, происходящие в деформируемом кристаллическом материале, с поведением дефектов кристаллического строения. Модель содержит уравнения кинетики точечных дефектов - моновакансий, бивакансий, межузельных атомов, записанные с учётом известных механизмов их генерации и осаждения на стоки. Особое внимание уделено исследованию влияния скорости и характера движения винтовых сегментов расширяющихся дислокационных петель на генерацию межузельных атомов. Вычислены концентрации межузельных атомов, генерируемых под воздействием пластической деформации. Доп.точки доступа: Черепанов, Д. Н.; Селиваникова, О. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Диэлектрическая релаксация в магнитоэлектрическом композите 0.85BiFeO[3]-0.15MgFe[2]O[4] [Текст] / С. А. Гриднев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Т. 80, № 9. - С. 1191-1195. - Библиогр.: c. 1195 (22 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая релаксация -- доменные границы -- магнитоэлектрические композиты -- твердофазный синтез -- точечные дефекты Аннотация: Методом твердофазного синтеза получены образцы магнитоэлектрического керамического композита 0. 85BiFeO[3]-0. 15MgFe[2]O[4]. Доп.точки доступа: Гриднев, С. А.; Камынин, А. А.; Шпортенко, А. С.; Кулаков, П. В.; Хахленков, М. В.; Козленко, Д. П.; Савенко, Б. Н.; Кичанов, С. Е.; Лукин, Е. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности повреждения свободных поверхностей ОЦК-железа при ионном облучении [Текст] / А. В. Корчуганов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 1. - С. 146-149 : рис. - Библиогр.: c. 149 (13 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): атомные смещения -- дислокационные петли -- ионное облучение -- ионы железа -- каскады атомных смещений -- кристаллографическая ориентация поверхности -- молекулярная динамика -- точечные дефекты -- ударные волны Аннотация: На основе метода молекулярной динамики изучено влияние кристаллографической ориентации облучаемой поверхности на особенности развития каскадов атомных смещений в ОЦК-железе. Энергия каскадов атомных смещений варьировалась от 1 до 20 кэВ. При облучении поверхности (111) в материале формируются кратеры, а в случае поверхности (110) образуются дислокационные петли вакансионного типа с вектором Бюргерса а <100> или a /2<111>. Формирование кратера или дислокационной петли связано с анизотропным характером распространения ударных волн, генерируемых каскадами атомных смещений. При малых энергиях каскадов количество выживших точечных дефектов вблизи поверхности (110) больше, чем вблизи поверхности (111). При повышении энергии каскадов атомных смещений влияние ориентации свободной поверхности на количество выживших дефектов уменьшается. Доп.точки доступа: Корчуганов, А. В.; Зольников, К. П.; Крыжевич, Д. С.; Псахье, С. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Тюменцев, А. Н. Недислокационные механизмы локализации деформации в нанокристаллах никеля в процессе деформации кручением на наковальнях Бриджмена [Текст] / А. Н. Тюменцев , И. А. Дитенберг, И. И. Суханов // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 8. - С. 5-13. - Библиогр.: с. 13 (24 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): внутренние напряжения -- дисклинации -- мартенситные превращения -- механизмы локализации деформации -- нанокристаллы никеля -- наноструктурные металлические материалы -- наноструктурные состояния -- недислокационные механизмы -- пластическая деформация -- точечные дефекты -- электронная микроскопия Аннотация: С применением методов просвечивающей электронной микроскопии в нанокристаллах никеля в условиях интенсивной пластической деформации кручением на наковальнях Бриджмена проведено исследование особенностей формирования нанополос переориентации с участием недислокационных механизмов деформации: локальных обратимых (ГЦК>ОЦК>ГЦК) превращений мартенситного типа и квазивязкого массопереноса потоками неравновесных точечных дефектов в полях высоких локальных градиентов давления. Изучены особенности дисклинационной структуры и упругонапряженного состояния на фронте распространения нанополос. Проведен теоретический анализ скорости пластической деформации механизмами квазивязкого массопереноса потоками неравновесных точечных дефектов. Установлена возможность одновременной реализации мартенситной и квазивязкой мод деформации на фронте продвижения нанополос. С использованием этих результатов проведен анализ условий и механизмов реализации мартенситной и квазивязкой мод деформации в зависимости от типа точечных дефектов (вакансии и межузельные атомы), температуры деформации, особенностей дисклинационной структуры и упругонапряженного состояния на фронте распространения нанополос. Доп.точки доступа: Дитенберг, И. А.; Суханов, И. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Двухуровневые наноструктурные состояния в металлических материалах c ОЦК-решеткой после деформации кручением на наковальнях Бриджмена [Текст] / А. Н. Тюменцев, И. А. Дитенберг, И. В. Смирнов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 10. - С. 95-105. - Библиогр.: с. 105 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): Бриджмена наковальни -- квазивязкая мода деформации -- кручение под давлением -- металлические материалы -- наковальни Бриджмена -- нанодиполи частичных дисклинаций -- наноструктурные состояния -- ОЦК-металлические материалы -- ОЦК-решетки -- точечные дефекты -- электронная микроскопия Аннотация: Обобщены результаты электронно-микроскопического исследования двухуровневых наноструктурных состояний (субмикрокристаллов размерами около 100 нм с внутренней нанокристаллической структурой с размерами нанокристаллов около 10 нм и кривизной кристаллической решетки сотни град/мкм), формирующихся в образцах нелегированного Ta и сплавов на основе V и Mo-Re в процессе деформации кручением на наковальнях Бриджмена. В качестве механизма образования этих состояний предложен механизм квазивязкого движения нанодиполей частичных дисклинаций, контролируемого потоками неравновесных точечных дефектов в полях высоких локальных градиентов давления. Показано, что эволюция микроструктуры при увеличении степени деформации заключается в увеличении объемной доли двухуровневого наноструктурного состояния и приводит примерно к 3-4-кратному повышению микротвердости деформируемых образцов с максимальными значениями этой величины в интервале Hm =~ ( E /27- E /32). Обсуждаются основные физические факторы и условия формирования этих состояний при пластической деформации субмикро- и нанокристаллов. Доп.точки доступа: Тюменцев, А. Н.; Дитенберг, И. А.; Смирнов, И. В.; Гриняев, К. В.; Суханов, И. И.; Цверова, А. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |