Александров, Олег Викторович. Модель термического окисления кремния с релаксацией коэффициента диффузии [Текст] / О. В. Александров, А. И. Дусь // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 4. - С. 9-18 : рис. - Библиогр.: с. 17-18 (22 назв. )
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диэлектрики -- кремний -- интегральные схемы -- термическое окисление -- эффект памяти Аннотация: На основе объемной модели окисления с учетом влияния внутренних механических напряжений и временной релаксации коэффициента диффузии окислителя в диоксиде проведен количественный анализ эффектов, наблюдающихся при обычном, быстром и многостадийном термическом окислении кремния. Доп.точки доступа: Дусь, Андрей Игоревич |
Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания [Текст] / И. В. Грехов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1135-1139. : ил. - Библиогр.: с. 1139 (23 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структурные свойства -- электрические свойства -- прямое сращивание -- метод прямого сращивания -- подложки SiGe-на-изоляторе -- термически окисленные пластины -- кристаллы -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- химико-техническая полировка -- термическое окисление -- кремниевые пластины Аннотация: Предложен новый способ изготовления подложек SiGe-на-изоляторе- прямое сращивание термически окисленных пластин Si с пластинами Si[1-x]Ge[x] из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Формирование слоев Si[1-x]Ge[x] толщиной не более 10 мкм в композициях SiGe/SiO[2]/Si осуществлялось химико-механической полировкой. Для увеличения содержания Ge в слое Si[1-x]Ge[x] использовалось термическое окисление. Показано, что увеличение концентрации Ge и процедура термообработок при 1250{o}C не сопровождаются ухудшением структурных и электрических характеристик слоев Si[1-x]Ge[x]. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Костина, Л. С.; Аргунова, Т. С.; Белякова, Е. И.; Рожков, А. В.; Шмидт, Н. М.; Юсупова, Ш. А.; Je, J. H. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кузнецов, Гений Владимирович. Оценка надежности типичного транзистора в условиях окисления металла [Текст] / Г. В. Кузнецов, Г. Я. Мамонтов, А. В. Титов // Известия Томского политехнического университета. - 2008. - Т. 312, № 4 : Энергетика. - С. 135-140 : ил. - Библиогр.: с. 140 (8 назв.) . - ISSN 1684-8519
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоаппаратура Машиностроение Соединения деталей машин Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые приборы -- оценка надежности -- термическое окисление -- токоведущие элементы -- численное моделирование -- температурные поля -- токоведущие устройства -- силовые транзисторы -- окисление кислородом -- окисление металлов -- показатели надежности Аннотация: Проведено численное моделирование нестационарного двумерного температурного поля токоведущей дорожки полупроводникового прибора для двух случаев работы типичного силового транзистора: в условиях окисления проводника кислородом воздуха, и без протекания процесса окисления металла. Сопоставлены интенсивности отказов транзистора для этих двух случаев. Показано, что изменение интенсивности отказов в условиях окисления составляет не менее 50 %. Установлено, что при оценке показателей надежности приборов необходимо проводить анализ с учетом процесса окисления металла. Доп.точки доступа: Мамонтов, Г. Я.; Титов, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |