Костишко, Б. М. Моделирование деградации рельефа нанопористого кремния в процессе отжига в неоднородном температурном поле [Текст] / Б. М. Костишко, А. В. Золотов, Ю. С. Нагорнов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 372-375
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанопористый кремний -- бездефектные гетероэпитаксиальные слои кремния -- эпитаксиальные пленки -- термический отжиг -- отжиг -- поры Аннотация: Представлены результаты моделирования процессов термического отжига пористого кремния под действием высокотемпературного нагрева как в однородном температуром поле, так и в условиях наличия в системе линейного градиента температур. Доп.точки доступа: Золотов, А. В.; Нагорнов, Ю. С. |
Александров, О. В. Моделирование взаимодействия никеля с карбидом кремния при формировании омических контактов [Текст] / О. В. Александров, В. В. Козловский // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 917-923 : ил. - Библиогр.: с. 922-923 (30 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- никель (Ni) -- карбид кремния (SiC) -- силициды -- диффузия -- термический отжиг -- облучение протонами -- твердофазные реакции -- радиационные дефекты -- металлы -- полупроводники -- протонное облучение Аннотация: Впервые разработана количественная модель взаимодействия силицидообразующего металла Ni с монокристаллическим SiC на основе взаимной диффузии компонентов и объемной реакции образования силицидов. Модель позволяет удовлетворительно описать основные свойства перераспределения компонентов при термическом отжиге, а также при облучении системы Ni-SiC протонами при повышенных температурах, а именно: наличие протяженной реакционной зоны, превышение концентрации углерода над концентрацией кремния на границе с подложкой SiC, накопление углерода вблизи поверхности. Показано, что стимулирование взаимодействия металла Ni с SiC протонным облучением при повышенной температуре происходит вследствие увеличения коэффициента диффузии металла и возрастания констант скоростей твердофазных реакций образования силицидов. Ускорение диффузии металла связывается с генерацией простейших радиационных дефектов- межузельных атомов и вакансий, а возрастание констант скоростей твердофазных реакций - с генерацией вакансий, являющихся поставщиками свободного объема. Доп.точки доступа: Козловский, В. В. |
Термо- и радиационно стабильные контакты к SiC на основе квазиаморфных пленок ZrB[2] [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 755-758 : ил. - Библиогр.: с. 758 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): контакты -- радиационная стабильность -- термическая стабильность -- вольт-яркостные характеристики -- ВЯХ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- пленки -- магнетронное распыление -- монокристаллы -- термический отжиг -- оже-анализы -- ZrB[2] Аннотация: Методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик в сочетании с послойным оже-анализом исследовались радиационная и термическая стабильность структур с барьером Шоттки, изготовленных магнетронным распылением диборида циркония на поверхность (0001) монокристаллов n-6H (15R) SiC, выращенных методом Лели, с концентрацией нескомпенсированых доноров ~10{18}см{-3}. Показано, что использование квазиаморфных пленок ZrB[2] при изготовлении контактов на n-6H (15R) SiC не приводит к изменениям характеристик барьеров Шоттки при быстрых термических отжигах до 800oC в диапазоне доз облучения gamma-квантами {60}Co10{3}-10{7} Гр. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В. |
Магнитопластический эффект в кремнии: поиск новых методов управления структурно-чувствительными свойствами элементарных полупроводников [Текст] / А. А. Скворцов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 12. - С. 2304-2308. - Библиогр.: с. 2308 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): магнитные поля -- магнитопластический эффект -- кремний -- элементарные полупроводники -- примесные точечные дефекты -- поверхностные дислокационные сегменты -- термический отжиг -- магнитопластичность Аннотация: Рассматривается влияние постоянных магнитных полей (индукцией до 1 T) на состояние примесных точечных дефектов и подвижность дислокационных сегментов в легированном кремнии (0. 01 - Омега х cm). Обнаружены долгоживущие (около 100 h) изменения в состоянии точечных дефектов, детектируемые по подвижности дислокаций, вводимых после магнитной обработки. Изучена концентрационная зависимость магнитопластического эффекта в кремнии p-типа. Зафиксирована пороговая концентрация примеси (10{15} cm {-3}), ниже которой магнитопластический эффект не фиксируется. Рассмотрено влияние предварительного воздействия магнитного поля на времена ожидания дислокаций до открепления и на активационные барьеры открепления дислокаций от стопоров, а также влияние предварительных термических отжигов на магнитопластичность в Si. Доп.точки доступа: Скворцова, А. А.; Орлов, А. М.; Соловьев, А. А.; Белов, Д. И. |
Исследование нанокристаллов кремния в слоях субоксида кремния методом комбинационного рассеяния света [Текст] / Н. Е. Маслова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1074-1077. : ил. - Библиогр.: с. 1076-1077 (17 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы кремния -- субоксид кремния -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- метод комбинационного рассеяния света -- термический отжиг -- термоотжиг -- температура отжига -- фононы -- кристаллические фазы -- аморфные фазы Аннотация: Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света исследованы слои субоксида кремния SiO[x] (x~1), подвергнутые термическому отжигу при температурах от 950 до 1200{o}C для формирования в них нанокристаллов кремния. Сравнением полученных экспериментальных данных с моделью пространственного ограничения фононов найдены объемные доли кристаллической и аморфной фаз кремния в исследуемых слоях. Установлено, что средний размер нанокристаллов кремния увеличивается с 4 до 6. 5 нм с ростом температуры отжига, что объясняется укрупнением нанокристаллов за счет кристаллизации аморфной фазы кремния, а также процессами слияния соседних нанокристаллов, происходящими при максимальных температурах отжига. Доп.точки доступа: Маслова, Н. Е.; Антоновский, А. А.; Жигунов, Д. М.; Тимошенко, В. Ю.; Глебов, В. Н.; Семиногов, В. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения [Текст] / С. А. Ахлестина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1494-1497. : ил. - Библиогр.: с. 1497 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- квантовые ямы -- КЯ -- лазерные структуры -- длина волны -- протонное облучение -- облучение протонами -- термический отжиг -- температура отжига -- лазерное излучение -- имплантация ионов -- границы раздела -- ионы Аннотация: Исследованы особенности управления длиной волны излучения лазерных гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs посредством облучения протонами средних энергий (до 150 кэВ). Установлено, что облучение ионами H{+} и последующий термический отжиг при температуре 700{o}C позволяют уменьшить длину волны излучения квантовых ям. С ростом дозы ионов от 10{13} до 10{16} см{-2} величина изменения длины волны увеличивается до 20 нм. При этом начиная с дозы 10{15} см{-2} наблюдается значительное уменьшение интенсивности излучения. Определены оптимальные дозы ионов H{+} (6 x 10{14} см{-2}) и температура отжига (700{o}C) для модифицирования лазерных структур InGaAs/GaAs/InGaP и показано, что в этом случае можно получить сдвиг ~8-10 нм длины волны лазерного излучения с малыми потерями интенсивности при сохранении качества поверхности лазерных структур. Наблюдаемый "синий" сдвиг обусловлен стимулированными имплантацией процессами перемешивания атомов Ga и In на границах раздела InGaAs/GaAs. Доп.точки доступа: Ахлестина, С. А.; Васильев, В. К.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Некоркин, С. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Полтавцева, В. П. Влияние термического отжига на структурно-фазовые изменения в сплаве Ni-Ti, имплантированном ионами криптона [Текст] / В. П. Полтавцева, С. Б. Кислицин, С. А. Гынгазов // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 2. - С. 3-9 : рис., табл. - Библиогр.: c. 9 (13 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): Ni-Ti -- имплантация ионами криптона -- ионная имплантация -- модификация сплавов -- наночастицы -- никелид титана -- пострадиационный отжиг -- структурно-фазовые изменения -- термический отжиг -- упрочнение сплавов -- фазовые превращения Аннотация: Изучено влияние термического отжига в интервале температур 100-300 °С на структурно-фазовое состояние сплава Ni-Ti с эффектом памяти формы, имплантированного ионами 84Kr с энергиями E = 280 кэВ и 1. 75 МэВ/нукл. при флюенсах в пределах 5*1012-1*1020 ион/м2. Для образцов, модифицированных ионами 84Kr с E = 1. 75 МэВ/нукл. до флюенсов 1*1020 и 5*1012 ион/м2, после прогрева соответственно при температурах отжига 100 и 300 °С в приповерхностной области, соответствующей запробежной области, обнаружено образование мартенситной фазы NiTi со структурой B 19', ответственной за эффект памяти формы. При этом наблюдается формирование наноразмерных частиц R -фазы Ni-Ti. С ростом флюенса имплантации вероятность их образования уменьшается. Показано, что отжиг имплантированных структур может приводить к увеличению прочности сплава Ni-Ti. Степень упрочнения определяется величиной температуры отжига, а увеличение прочности обусловлено преимущественно упорядочением радиационно-введенных дефектных структур (фаз). Установлена корреляционная связь между температурой начала прямого мартенситного перехода и структурно-фазовым состоянием сплава Ni-Ti после термического отжига. Доп.точки доступа: Кислицин, С. Б.; Гынгазов, С. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование кинетики процессов диффузии и фазообразования в слоистой системе железо - бериллий [Текст] / К. А. Кутербеков [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 10. - С. 67-71 : рис. - Библиогр.: c. 71 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): барьерные слои -- диффузия -- защитные покрытия -- интерметаллидные соединения -- ионная имплантация -- кинетика процессов диффузии -- мессбауэровская спектроскопия -- слоистые системы -- термический отжиг -- фазовые превращения -- фазообразование Аннотация: Методами мессбауэровской спектроскопии с привлечением рентгенофазового анализа и резерфордовского обратного рассеяния протонов были проведены исследования кинетики процессов диффузии и фазовых превращений в слоистой системе железо - бериллий. Впервые предложен и реализован метод замедления процессов диффузии и фазообразования в слоистой системе железо - бериллий с помощью барьерного слоя; установлено, что барьерный слой ограничивает зону растворения бериллия в области имплантированного слоя; определено влияние барьерного слоя на кинетику термически индуцированных процессов диффузии и фазовых превращений в слоистой системе Fe-Be на примере Fe (10 мкм) : O{+} - Be (0. 7 мкм) - {57}Fe (0. 1 мкм) ; предложен и реализован метод восстановления функции распределения концентрации атомов примеси в твердом растворе матрица - примесь по данным рентгеновской дифракции; определена кинетика процессов взаимной диффузии атомов Fe и Be в растворе a-Fe (Ве) для обеих сторон слоистых систем с барьерным слоем и без него с помощью предложенного метода восстановления функции распределения концентрации атомов Be; установлено, что для системы, не имеющей барьерного слоя, со стороны покрытия доля атомов железа заканчивается при t{отж}~ 5 ч, а со стороны железа - при t{отж} ~ 7. 5 ч, а для случая с барьерным слоем - со стороны покрытия при t{отж} ~ 20 ч, а со стороны железа - при t{отж} ~ 40 ч. Доп.точки доступа: Кутербеков, К. А.; Нуркенов, С. А.; Кислицин, С. Б.; Кукетаев, Т. А.; Нурахметов, Т. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности послеростовой термической и электротермической обработки номинально чистых и сильно легированных кристаллов ниобата лития [Текст] / М. Н. Палатников [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 3. - С. 360-363 : рис. - Библиогр.: c. 363 (4 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Химия Общая и неорганическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): легированные кристаллы -- монодоменизация -- ниобат лития -- термический отжиг -- электротермический отжиг Аннотация: Установлено, что процессы послеростового термического и электротермического отжига сильно легированных кристаллов LiNbO[3]: ZnО и LiNbO[3]: MgО существенно отличаются от таковых для номинально чистых кристаллов LiNbO[3] конгруэнтного состава. Показаны пути оптимизации технологических режимов монодоменизации для сильно легированных кристаллов ниобата лития. Доп.точки доступа: Палатников, М. Н.; Сидоров, Н. В.; Макарова, О. В.; Бирюкова, И. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |