Тюльпинова, Н. В. Имитационное моделирование процесса формирования тепловых импульсов в контактной зоне заготовки и шлифовального круга [Текст] / Н. В. Тюльпинова // Вестник Брянского государственного технического университета. - 2008. - N 1. - С. 24-28. - Библиогр.: с. 28 (5 назв. )
Рубрики: Машиностроение Обработка металлов резанием Кл.слова (ненормированные): имитационное моделирование -- тепловые импульсы -- шлифовальные круги -- абразивная обработка -- износ инструмента Аннотация: Представлена имитационная модель процесса формирования тепловых импульсов в контактной зоне заготовки и шлифовального круга, учитывающая все основные факторы абразивной обработки и износ рабочей поверхности инструмента. |
Кузнецов, Гений Владимирович. Методические погрешности определения теплофизических характеристик конструкционных материалов импульсным методом при пространственной неоднородности лазерного луча [Текст] / Г. В. Кузнецов, М. Д. Кац // Известия Томского политехнического университета. - 2010. - Т. 317, N 4 : Энергетика. - С. 9-13. : ил. - Библиогр.: с. 12-13 (12 назв. )
Рубрики: Физика Физика высоких и низких температур Кл.слова (ненормированные): теплофизические характеристики -- конструкционные материалы -- импульсные методы -- пространственная неоднородность -- лазерные лучи -- методические погрешности -- тепловые импульсы -- теплоперенос -- температуропроводность -- удельная теплоемкость -- теплопроводность Аннотация: Численно решена задача о пространственном нестационарном температурном поле образца материала при локальном неоднородном воздействии на его поверхность теплового импульса малой временной протяженности. Проведена оценка масштабов погрешностей определения теплофизических характеристик материала импульсным методом, связанная с предположением об одномерности процесса теплопереноса в образце и пространственной однородности лазерного импульса. Доп.точки доступа: Кац, Марк Давыдович Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кузнецов, Гений Владимирович. Об условиях применения импульсных методов определения теплофизических характеристик конструкционных материалов [Текст] / Г. В. Кузнецов, М. Д. Кац // Известия Томского политехнического университета. - 2008. - Т. 312, № 4 : Энергетика. - С. 10-13 : ил. - Библиогр.: с. 13 (5 назв.) . - ISSN 1684-8519
Рубрики: Радиоэлектроника Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): импульсные методы -- теплофизические характеристики -- конструкционные материалы -- результаты экспериментов -- нестационарные температурные поля -- тепловые импульсы -- импульсные тепловые потоки -- продолжительность импульсов -- толщина образцов -- экспериментальные образцы -- достоверность результатов Аннотация: Проведен анализ условий экспериментов по определению теплофизических характеристик материалов с применением импульсных методов. Численно решена задача о нестационарном температурном поле образца при воздействии на его поверхность теплового импульса малой временной протяженности. Установлены границы диапазонов возможного изменения величины импульсного теплового потока к поверхности материала, продолжительности импульса и толщины экспериментальных образцов (в зависимости от типа материала), обеспечивающих достоверность полученных результатов. Доп.точки доступа: Кац, Мирон Давыдович Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кузнецов, Гений Владимирович. Анализ погрешностей определения импульсными методами теплофизических характеристик конструкционных материалов [Текст] / Г. В. Кузнецов, М. Д. Кац // Известия Томского политехнического университета. - 2008. - Т. 313, № 4 : Энергетика. - С. 5-8 : ил. - Библиогр.: с. 8 (17 назв.) . - ISSN 1684-8519
Рубрики: Радиоэлектроника Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): импульсные методы -- теплофизические характеристики -- конструкционные материалы -- анализ погрешностей -- математическое моделирование -- результаты экспериментов -- нестационарные температурные поля -- тепловые импульсы -- конвективный теплообмен -- лучистый теплообмен -- теплофизические свойства Аннотация: Проведен теоретический анализ погрешностей экспериментов по определению теплофизических характеристик материалов импульсными методами. Численно решена задача о нестационарном температурном поле образца материала при воздействии теплового импульса малой временной протяженности с учетом охлаждения нагреваемой и "холодной" поверхностей. Показано влияние конвективного и лучистого теплообмена на результаты определения теплофизических характеристик импульсными методами. Доп.точки доступа: Кац, Мирон Давыдович Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Рахманов, А. Л. (доктор технических наук; заведующий лабораторией). Влияние стабилизатора на переход в нормальное состояние высокотемпературной сверхпроводящей токонесущей ленты [Текст] / Рахманов А. Л., Иванов С. С. // Электричество. - 2015. - № 10. - С. 38-47 : 4 рис. - Библиогр.: с. 45-46 (20 назв. ). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на английском языке в конце статьи . - ISSN 0013-5380
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- высокотемпературные сверхпроводники -- критические тепловые импульсы -- сверхпроводящие ленты -- стабилизаторы -- стабилизирующие матрицы -- тепловые импульсы -- токонесущие ленты Аннотация: Исследовано влияние стабилизирующей нормальной матрицы на переход высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) в нормальное состояние. Показано, что максимально допустимый ток в таком проводнике зависит от универсального параметра, в который входит коэффициент теплоотвода, удельное сопротивление стабилизирующего покрытия, параметры вольт-амперной характеристики ВТСП и геометрические характеристики проводника. Найдены аналитические выражения для тока перехода в нормальное состояние, максимально допустимого превышения температуры и значения критического теплового импульса, которые применимы в широком диапазоне параметров. Показано, что стабилизирующее покрытие может приводить к некоторому увеличению тока перехода в нормальное состояние ВТСП, а также к весьма существенному повышению устойчивости по отношению к тепловым импульсам. Однако стабилизирующее покрытие не может устранить локальный характер перехода сверхпроводника в нормальное состояние, если только проводник не является полностью криостатически стабилизированным. Установлено, что для существующих ВТСП влияние стабилизирующего покрытия на критические параметры и динамику процесса перехода в нормальное состояние на начальной стадии весьма ограничено. Кардинального изменения устойчивости сверхпроводящего состояния с помощью стабилизатора можно достичь в режиме полной криостатической стабилизации. Доп.точки доступа: Иванов, С. С. (кандидат технических наук; заведующий лабораторией) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |