Особенности процесса твердофазной рекристаллизации аморфизованных ионами кислорода структур кремний-на-сапфире [Текст] / П. А. Александров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 627-629
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремниевые пленки -- кристаллическое качество -- твердофазная рекристаллизация -- имплантация ионами кислорода -- паразитная емкость -- сапфировая подложка Аннотация: Малодефектные кремниевые пленки на сапфировой подложке были получены с использованием процесса твердофазной рекристаллизации. Для оценки кристаллического качества структур кремний-на-сапфире применялась рентгеновская кривая качания. Значения ширины на половине высоты максимума интенсивности (FWHM) показывают, что после имплантации ионов кислорода (энергия 130 кэВ, доза 10\{15\} см\{-2\}) и последующего отжига (550 градусов C/0. 5 ч + 1000 градусов C/1 ч) образуется кремниевый слой толщиной d=1000-2500 ангстрем высокого кристаллического качества. Доп.точки доступа: Александров, П. А.; Демаков, К. Д.; Шемардов, С. Г.; Кузнецов, Ю. Ю. |
Пилипенко, В. А. Влияние быстрой термической обработки на электрофизические свойства двуокиси кремния [Текст] / В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, В. А. Горушко // Инженерно-физический журнал. - 2018. - Т. 91, № 5. - С. 1408-1412 : 2 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 1412 (9 назв. ) . - ISSN 0021-0285
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Импульсные устройства Кл.слова (ненормированные): быстрая термическая обработка -- электрофизические свойства -- двуокись кремния -- нарушенный слой -- кремниевые пластины -- твердофазная рекристаллизация -- коэффициент преломления -- коэффициент поглощения Аннотация: Исследована возможность улучшения электрофизических параметров подзатворного диэлектрика, полученного в результате пирогенного окисления кремния, путем его быстрой термической обработки. Показано, что такая обработка подзатворного диэлектрика позволяет уменьшить напряжение плоских зон, заряд на границе раздела кремний-двуокись кремния и поверхностный потенциал, увеличить пробивное напряжение диэлектрика и уменьшить ток утечки в нем. Доп.точки доступа: Солодуха, В. А.; Горушко, В. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |