Сульфидная пассивация подложек InAs (100) в растворах Na[2]S [Текст] / Т. В. Львова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 6. - С. 1055-1061. - Библиогр.: с. 1061 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сульфидная пассивация подложек -- пассивация подложек -- арсенид индия -- раствор сульфида натрия Аннотация: Установлено, что в результате обработки водным 1M-раствором сульфида натрия (Na[2]S) с поверхности InAs (100) удаляется слой естественного окисла, вместо которого формируется сплошной хемосорбционный пассивирующий слой из атомов серы, когерентно связанных с атомами индия поверхности кристалла. Травления поверхности InAs в сульфидном растворе не происходит. Пассивированные образцы InAs демонстрируют многократное увеличение интенсивности фотолюминесценции. Сульфидный слой десорбируется с поверхности InAs при температурах около 400 градусов Цельсия, в результате чего открывается чистая In-стабилизированная поверхность (100) с реконструкцией (4x2). С использованием сульфидной пассивации разработан простой способ подготовки атомно-гладких ростовых поверхностей (2x4) подложек InAs (100), пригодных для молекулярно-пучковой эпитаксии высокосовершенных слоев соединений на основе CdSe. Доп.точки доступа: Львова, Т. В.; Седова, И. В.; Дунаевский, М. С.; Карпенко, А. Н.; Улин, В. П.; Иванов, С. В.; Берковец, В. Л. |