Калыгина, В. М. Твердотельные преобразователи изображения на основе структур GaAs/ZnS [Текст] / В. М. Калыгина, А. В. Тяжев, Т. М. Яскевич // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 975-979 : ил. - Библиогр.: с. 979 (3 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): преобразователи -- твердотельные преобразователи изображения -- ТПИ -- конденсаторы -- электролюминесцентные конденсаторы -- ЭЛК -- структуры -- структуры GaAs/ZnS -- люминофоры -- рентгеновское излучение -- математическое моделирование -- ионизирующее излучение -- детекторы ионизирующих излучений -- GaAs/ZnS структуры Аннотация: Исследованы вольт-яркостные характеристики и частотные зависимости яркости свечения электролюминесцентных конденсаторов на основе люминофора ZnS : Cu, Al. Изучено влияние рентгеновского излучения (17 кэВ) на высокоомные слои GaAs, полученные тремя способами. С помощью математического моделирования показана возможность создания детекторов ионизирующего излучения с оптическим считыванием информации при использовании структур GaAs/ZnS. Отмечено, что наиболее перспективным материалом для разработки твердотельных преобразователей изображения оказывается GaAs : Cr, полученный диффузией хрома из напыленного слоя. Доп.точки доступа: Тяжев, А. В.; Яскевич, Т. М. |