Прямое доказательство нецентральности примеси Mn в SrTiO[3] [Текст] / А. И. Лебедев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 9. - С. 545-549
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): XAFS-спектроскопия -- стехиометрия -- перовскит -- узлы решетки -- нецентральность примеси -- марганец Аннотация: Методом XAFS-спектроскопии исследованы образцы SrTiO[3], легированные 3% Mn, с различным отклонением от стехиометрии. Показано, что в зависимости от условий приготовления атомы марганца входят в узлы \emph{A} и \emph{B} решетки перовскита и находятся в них в разных зарядовых состояниях. Примесные ионы Mn\{4+\}, замещающие Ti, занимают узловое положение в решетке, а ионы Mn\{2+\}, замещающие Sr, оказываются нецентральными и смещены из узлов решетки на расстояние 0. 32 ангстрем. Доп.точки доступа: Лебедев, А. И.; Случинская, И. А.; Ерко, Е.; Козловский, В. Ф. |
Фоточувствительные структуры на монокристаллах ZnP[2] моноклинной и тетрагональной модификаций: получение и свойства [Текст] / В. Ю. Рудь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 890-896 : ил. - Библиогр.: с. 895-896 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): метод пересублимации -- фоточувствительные структуры -- стехиометрия -- кристаллическая решетка -- барьеры Шоттки -- монокристаллы -- фотовольтаические эффекты -- Шоттки барьеры -- выпрямление -- структуры -- сварные точечные структуры -- фотоплеохроизм -- дифосфид цинка -- фотопреобразователи -- оптические излучения Аннотация: Методом пересублимации в замкнутом объеме выращены монокристаллы моноклинной и тетрагональной модификаций, атомный состав которых одинаков и соответствует стехиометрии ZnP[2]. Определены параметры кристаллической решетки и идентифицирована естественная огранка кристаллов обеих модификаций. На полученных монокристаллах созданы первые барьеры Шоттки и сварные точечные структуры, на которых обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании первых исследований спектров фоточувствительности полученных структур в естественном и линейно-поляризованном излучении сделаны выводы о характере межзонных переходов, определены значения ширины запрещенной зоны и обнаружено влияние позиционного упорядочения атомов на свойства структур. Обнаружено и изучено явление естественного фотоплеохроизма в структурах на основе ориентированных монокристаллов ZnP[2]. Сделан вывод о возможностях применения дифосфида цинка в фотопреобразователях интенсивности и поляризации оптических излучений. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Вайполин, А. А.; Бондарь, И. В.; Осипова, М. А.; Ушакова, Т. Н. |
Влияние отклонений от стехиометрии 1: 12 на спиновую переориентацию в интерметаллидах RFe11Ti [Текст] / И. А. Каплунов [и др. ] // Вестник Тверского государственного университета. - 2009. - N 24 (Физика). - С. 4-7. - Библиогр.: с. 7-8 (11 назв. )
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- магнитные доменные структуры -- интерметаллиды -- стехиометрия -- спиновая переориентация Аннотация: Исследование температурного поведения магнитной доменной структуры в редкоземельных интерметаллидах. Доп.точки доступа: Каплунов, И. А.; Корольков, Е. А.; Маклыгина, О. В.; Пастушенкова, М. А.; Петренко, А. В.; Семенова, Е. М.; Скоков, К. П. |
Бондарь, И. В. Фоточувствительные структуры на монокристаллах MnIn[2]S[4]: создание и свойства [Текст] / И. В. Бондарь, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1549-1552 : ил. - Библиогр.: с. 1552 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- MnIn[2]S[4] -- свойства монокристаллов -- создание монокристаллов -- фоточувствительные структуры -- метод направленной кристаллизации -- стехиометрия -- спектры фоточувствительности -- межзонные оптические переходы -- прямые переходы -- непрямые переходы -- фотообразователи -- широкополосные фотообразователи -- оптические излучения Аннотация: Методом направленной кристаллизации близкого к стехиометрии расплава выращены однородные монокристаллы тройного соединения MnIn[2]S[4]. Решена проблема создания фоточувствительных структур и выполнены первые исследования спектров фоточувствительности, которые позволили сделать вывод о характере межзонных оптических переходов в этом полупроводнике и оценить значения ширины запрещенной зоны для прямых и непрямых переходов. Отмечены возможности применений разработанных новых структур в широкополосных фотопреобразователях оптических излучений. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В. |
Выращивание монокристаллов FeIn[2]S[4] и создание фоточувствительных структур на их основе [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1553-1556 : ил. - Библиогр.: с. 1556 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- FeIn[2]S[4] -- направленная кристаллизация -- метод направленной кристаллизации -- стехиометрия -- фоточувствительные структуры -- In (Al) /FeIn[2]S[4] -- фоточувствительность -- спектры фоточувствительности -- поглощение -- краевое поглощение -- межзонные переходы -- прямые межзонные переходы -- непрямые межзонные переходы -- фотопреобразователи -- широкополосные фотопреобразователи Аннотация: Методом направленной кристаллизации близкого к стехиометрии расплава соединения впервые выращены объемные монокристаллы FeIn[2]S[4]. Созданы первые фоточувствительные структуры In (Al) /FeIn[2]S[4]. На указанных кристаллах получены первые спектры фоточувстительности новых структур при T=300 K. На основании анализа спектров фоточувствительности установлено, что краевое поглощение FeIn[2]S[4] формируется непрямыми и прямыми межзонными переходами, а также оценены соответствующие им значения ширины запрещенной зоны. Сделан вывод о возможностях применения полученных структур в широкополосных фотопреобразователях. Доп.точки доступа: Бондарь, И. В.; Павлюковец, С. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В. |
Структура и оптические свойства сформированных с применением низкочастотного плазмохимического осаждения пленок SiH[x] : H, содержащих нанокластеры кремния [Текст] / Т. Т. Корчагина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1557-1563 : ил. - Библиогр.: с. 1563 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- SiN[x] : H -- стехиометрия -- плазмохимические осаждения -- низкочастотные плазмохимические осаждения -- кластеры -- нанокластеры -- кремний -- оптические свойства -- структура -- эллипсометрия -- аммиак -- моносилан -- спектроскопия -- комбинационное рассеяние света -- инфракрасные поглощения -- ИК-поглощения -- фотолюминесценция -- ФЛ -- подложки -- температура Аннотация: Пленки SiN[x] : H разной стехиометрии были получены с применением низкочастотного плазмохимического осаждения при температурах 100 и 380oC. Варьирование стехиометрии достигалось изменением соотношения потоков аммиака и моносилана от 0. 5 до 5. Пленки были исследованы с применением эллипсометрии, спектроскопии комбинационного рассеяния света, ИК-поглощения и фотолюминесценции. В пленках SiN[x]: H (x<4/3) были обнаружены кластеры аморфного кремния. Согласно оценкам, лишь небольшая часть избыточного кремния собирается в кластеры, а повышение температуры подложки стимулирует образование кластеров. При увеличении доли избыточного кремния в пленках наблюдается сдвиг максимума фотолюминесценции в длинноволновую область. Доп.точки доступа: Корчагина, Т. Т.; Марин, Д. В.; Володин, В. А.; Попов, А. А.; Vergnat, M. |
Влияние метода синтеза на свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях [Текст] / А. П. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 978-980. : ил. - Библиогр.: с. 980 (6 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки теллурида кадмия -- теллурид кадмия -- сравнительные исследования -- электрические свойства -- гальваномагнитные свойства -- температурные зависимости проводимости -- метод теплового экрана -- метод квазизамкнутого объема -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- холловская подвижность -- стехиометрия -- концентрация дефектов -- неравновесные условия Аннотация: Сообщается о результатах сравнительных исследований электрических и гальваномагнитных свойств пленок теллурида кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях методом теплового экрана и методом квазизамкнутого объема. Приводятся температурные зависимости проводимости, коэффициента Холла и эффективной холловской подвижности. В результате анализа экспериментальных результатов делается вывод, что метод теплового экрана положительно влияет на стехиометрию состава и тем способствует получению пленок с меньшей концентрацией дефектов. Доп.точки доступа: Беляев, А. П.; Рубец, В. П.; Антипов, В. В.; Еремина, Е. О. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электронная структура неупорядоченного монооксида титана TiO[y] в зависимости от стехиометрии [Текст] / М. Г. Костенко [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 12. - С. 728-732
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): монооксид титана -- электронная структура -- стехиометрия -- неупорядоченная фаза -- упорядоченная фаза -- метод сверхячейки -- плотность электронных состояний -- уровень Ферми -- Ферми уровень Аннотация: Исследована электронная структура неупорядоченного нестехиометрического монооксида титана TiO[y] в зависимости от содержания кислорода методом сверхячейки в рамках приближения DFT-GGA с использованием псевдопотенциалов. Увеличение концентрации кислорода в TiO[y] приводит к уменьшению плотности электронных состояний вблизи уровня Ферми. Расчет энтальпии образования упорядоченной и неупорядоченной фаз показал, что неупорядоченная фаза TiO[y] энергетически более выгодна, чем фаза без структурных вакансий TiO, но менее выгодна, чем упорядоченная фаза Ti[5]O[5]. Стабильность неупорядоченной фазы увеличивается с повышением содержания кислорода. Доп.точки доступа: Костенко, М. Г.; Лукоянов, А. В.; Жуков, В. П.; Ремпель, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Хитозан как модифицирующий агент в спектрофотометрии железа [Текст] / Ю. В. Ермоленко [и др.] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2013. - Т. 79, № 7. - С. 16-21. - Библиогр.: с. 21 (13 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): хитозан -- модифицирующие агенты -- спектрофотометрия железа -- спектрофотометрический анализ -- тайрон -- стехиометрия -- определение железа -- природные воды -- воды хозяйственно-бытового назначения -- комплексообразование Аннотация: Описана новая методика спектрофотометрического определения железа с использованием модификации хитозаном органического реагента тайрон. Установлена стехиометрия образующегося в тройной системе комплекса и объяснен механизм модифицирующего влияния хитозана. Доп.точки доступа: Ермоленко, Ю. В.; Гридина, Н. Н.; Соколовская, А. П.; Новикова, Н. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Получение с помощью характеристик магнетронного разряда слоев нитрида кремния стехиометрического состава и с пересыщением по кремнию [Текст] / Д. В. Журавский [и др.] // Вестник Тюменского государственного университета. - 2013. - № 7. - С. 98-103 : граф. - Библиогр.: с. 102-103 (10 назв.). - полный текст статьи см. на сайте Научной электронной библиотеки http://elibrary.ru
Рубрики: Техника Техническая физика Химия Магнетохимия Кл.слова (ненормированные): кремний -- нитрид кремния -- слой нитрида кремния -- магнетронные разряды -- магнетронные напыления -- источники света -- стехиометрия -- пересыщение по кремнию Аннотация: Разработаны режимы магнетронного осаждения на кремниевые подложки слоев стехиометрического состава и с требуемым пересыщением по кремнию. Доп.точки доступа: Журавский, Дмитрий Валерьевич; Ласкин, Геннадий Павлович; Мисиюк, Кирилл Валерьевич; Удовиченко, Сергей Юрьевич Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Аномальная серия полос в спектрах краевого свечения CdS(O) [Текст] / Н. К. Морозова [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 10. - С. 122-126 : рис. - Библиогр.: c. 126 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): головная линия -- интенсивность возбуждения -- краевое свечение -- оксид кадмия -- спектры краевого свечения -- стехиометрия -- фотолюминесценция -- экситон Аннотация: Изучена область краевого спектра излучения монокристаллов CdS (O) c избытком кадмия. Выявлена аномальная серия эквидистантных полос с головной линией 514 нм и фононными повторами, которые растут по интенсивности с увеличением плотности возбуждения до 10 Доп.точки доступа: Морозова, Н. К.; Канахин, А. А.; Галстян, В. Г.; Шнитников, А. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Родин, В. Е. Методология определения безопасного расстояния по действию ядовитых газов при взрывных работах в населенных пунктах [Текст] / В. Е. Родин, Е. В. Болкисева, Ю. В. Болкисева // Известия вузов. Горный журнал. - 2015. - № 8. - С. 70-74. - Библиогр.: с. 74 (6 назв.) . - ISSN 0536-1028
Рубрики: Горное дело Техника безопасности в горном деле Кл.слова (ненормированные): безопасность взрывных работ -- взрывные сейсмические волны -- волны сжатия-растяжения -- сейсмические волны -- стехиометрия -- термодинамика -- ядовитые газы Аннотация: В статье предложена методология выявления зоны, опасной по ядовитым взрывным газам, высвобождающимся из разрушенной породы. Расчетные формулы основаны на определении границы проникновения ядовитых газов по трещинам, которые образуются от взрывных сейсмических волн сжатия-растяжения. Доп.точки доступа: Болкисева, Е. В.; Болкисева, Ю. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Шкода, О. А. Тепловой взрыв в механически активированной системе Ti-Ni [Текст] : экспериментальные результаты / О. А. Шкода, О. В. Лапшин // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 8. - С. 96-99 : рис. - Библиогр.: c. 99 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика высоких и низких температур Кл.слова (ненормированные): механическая активация -- механоактивированные системы Ti-Ni -- механокомпозиты -- никель -- синтез -- система титан-никель -- стехиометрия состава Ti-Ni -- тепловой взрыв -- тепловые эффекты реакции -- термограмма -- титан Аннотация: Проведены экспериментальные исследования синтеза при тепловом взрыве в предварительно механоактивированной системе Ti-Ni. Установлено, что механическая активация (МА) интенсифицирует химическое превращение при последующем тепловом взрыве. Доп.точки доступа: Лапшин, О. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Абдуев, Аслан Хаджимуратович. Роль поверхностных нестехиометричных фаз на синтез слоев на основе ZnO [Текст] = The role of surface non-stochemometric phases for synthesis of zno-based layers / А. Х. Абдуев, А. К. Ахмедов, А. Ш. Асваров // Инженерная физика. - 2017. - № 8. - С. 94-100 : граф., ил. - Библиогр.: с. 100 (15 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): оксид цинка -- магнетронное распыление -- стехиометрия -- нестеохиометрические фазы -- цинк -- кислород Аннотация: Исследованы процессы магнетронного формирования слоев ZnO: Ga при различных парциальных давлениях кислорода и паров цинка в составе потока реагентов к поверхности роста. Показано, что при температурах синтеза выше 200 °C происходит рост кристалличности слоев в результате увеличения подвижности осаждаемых атомов на поверхности роста, обусловленного термодесорбцией кислорода. Показано, что при температурах 350…450 °C, близких к температуре десорбции цинка, рост слоев протекает с участием поверхностной нестехиометричной легкоплавкой фазы, обеспечивающей рост слоев в квазиравновесных условиях.The growth processes of Ga doped ZnO layers by magnetron sputtering at various partial pressures of oxygen and zinc vapor near the growth surface has been studied. It is shown that an improvement in the crystallinity of the ZnO-based layers is observed at synthesis temperatures above 200 °C due to an increase in the mobility of the deposited atoms on the growth surface, which in turn is due to thermal desorption of oxygen. At synthesis temperatures of 350…450 °C, close to the Zn desorption temperature, the growth of the ZnO layers proceeds with the participation of a surface non-stoichiometric low-melting phase, which ensures the growth of layers under quasi-equilibrium conditions. Доп.точки доступа: Ахмедов, Ахмед Кадиевич; Асваров, Абил Шамсудинович Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кластеры в монокристалле ниобата лития [Текст] / В. М. Воскресенский [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 3. - С. 369-371. - Библиогр.: c. 371 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Химия Общая и неорганическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): легирование кристалла -- монокристаллы -- ниобат лития -- рентгеноструктурный анализ -- сплит-модели -- стехиометрия кристалла Аннотация: Впервые обоснован подход к расчету кластеров в структуре кристалла ниобата лития, где за структурную единицу берется не элементарная ячейка, а кислородный октаэдр. Показано, что существует энергетически выгодный размер кластера, внутри которого организуется структура, стремящаяся к структуре конгруэнтного кристалла. Доп.точки доступа: Воскресенский, В. М.; Стародуб, О. Р.; Сидоров, Н. В.; Палатников, М. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |