Ждан, А. Г. Автокоррекция характеристик полевых транзисторов в режиме спонтанной объемно-зарядовой ионной поляризации подзатворного окисла [Текст] / А. Г. Ждан, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 705-707
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полевые транзисторы -- кремниевые транзисторы -- ионная поляризация -- спонтанная поляризация -- термополевая обработка -- подвижность электронов Аннотация: В кремниевом полевом транзисторе с инверсионным n-каналом осуществлена спонтанная объемно-зарядовая ионная поляризация подзатворного окисла в режиме джоулева разогрева прибора током стока I[d]. Характеристики транзистора, измеренные при комнатной температуре (T[r]) до и после термополевой обработки, показывают, что локализация положительных ионов (Na\{+\}) у границы раздела SiO[2]/Si сопровождается увеличением эффективной подвижности электронов (в ~2. 3 раза), крутизны, I[d] и небольшим уменьшением порогового напряжения (Дельта V[th]=0. 58 В). При T=T[r] модифицированные характеристики транзистора сохраняются в течение месяцев; их легко прогнозируемо варьировать изменением I[d] и продолжительностью нагрева. Доп.точки доступа: Нарышкина, В. Г.; Чучева, Г. В. |
Давыдов, С. Ю. Оценки значений спонтанной поляризации и диэлектрических проницаемостей кристаллов AlN, GaN, InN и SiC [Текст] / С. Ю. Давыдов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 6. - С. 1161-1164. - Библиогр.: с. 1164 (28 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спонтанная поляризация -- диэлектрическая проницаемость -- метод связывающих орбиталей Харрисона -- Харрисона метод связывающих орбиталей Аннотация: Методом связывающих орбиталей Харрисона рассчитаны значения спонтанной поляризации и диэлектрических проницаемостей нитридов алюминия, галлия и индия, а также карбида кремния, имеющих структуру вюрцита. Единственный подгоночный параметр gamma, характеризующий поправки на локальное поле, определялся из подгонки расчетного значения высокочастотной диэлектрической проницаемости varepsilonбесконечность для структуры сфалерита к данным эксперимента. Результаты расчета удовлетворительно согласуются с существующими экспериментальными данными и расчетами других авторов. |
Жандун, В. С. Расчет динамики решетки и спонтанной поляризации тонких сегнетоэлектрических пленок неупорядоченных твердых растворов PbB'[1/2]B''[1/2]O[3] (B'=Sc, Ga, In, Lu; B''=Nb, Ta) [Текст] / В. С. Жандун, В. И. Зиненко // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 9. - С. 1783-1789. - Библиогр.: с. 1789 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрические пленки -- сегнетоэлектрические твердые растворы -- свинецсодержащие твердые растворы -- фазовые переходы -- динамика кристаллических решеток -- поляризации тонких пленок -- спонтанная поляризация -- заряды Борна -- Борна заряды Аннотация: В рамках обобщенной модели Гордона-Кима рассчитаны динамика решетки и спонтанная поляризация для тонких пленок неупорядоченных твердых растворов PbB'[1/2]B''[1/2]O[3] (B'=Sc, Ga, In, Lu; B''=Nb, Ta). Получено, что во всех соединениях присутствует нестабильная полярная мода, причем частоты этой моды для всех соединений близки по величине и для разных типов поверхности (PbO и O[2], где --- средний ион в приближении виртуального кристалла) собственный вектор "мягкой" полярной моды имеет разный характер. Рассчитаны зависимости от толщины пленки частоты "мягкой" полярной моды, динамических зарядов Борна, высокочастотной диэлектрической проницаемости. Показано, что все перечисленные величины при увеличении толщины пленки стремятся к соответствующему значению для объемного соединения. В искаженной по собственному вектору "мягкой" моды моноклинной фазе рассчитаны зависимость спонтанной поляризации от толщины пленки и ее значение в отдельных слоях пленки с разным типом поверхности. Доп.точки доступа: Зиненко, В. И. |
Старков, А. С. Учет тепловых явлений в модели Ландау-Гинзбурга фазового перехода второго рода [Текст] / А. С. Старков, О. В. Пахомов, И. А. Старков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 10. - С. 556-560
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- фазовые переходы второго рода -- модель Ландау-Гинзбурга -- Ландау-Гинзбурга модель -- спонтанная поляризация -- интеграл вероятности -- сегнетоэлектрики -- точка Кюри -- Кюри точка Аннотация: Исследовано влияние электрокалорического и пироэлектрического эффектов на фазовый переход в сегнетоэлектрике. Указано на отличие параметров модели Ландау для изотермического и адиабатического процессов. Температурная зависимость спонтанной поляризации описывается специальной функцией (интегралом вероятности), что приводит к исчезновению фазового перехода второго рода. Доп.точки доступа: Пахомов, О. В.; Старков, И. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Павлов, С. В. (канд. физ. -мат. наук). Модель фазовых переходов в тонкой эпитаксиальной пленке сегнетоэлектрика на подложке [Текст] / С. В. Павлов // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 3. - С. 6-9. - Библиогр.: с. 9 (2 назв. ) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): феноменологическая модель -- тонкая пленка -- спонтанная поляризация -- теплоемкость -- титанат бария Аннотация: Рассмотрена феноменологическая модель фазовых переходов в тонких пленках сегнетоэлектриков с учетом пространственной неоднородности поляризации и неоднородности деформации, а также пьезоэлектрических и электрострикционных взаимодействий пленки с подложкой. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Коханчик, Л. С. Формирование регулярных доменных структур и особенности переключения спонтанной поляризации в кристаллах тантала лития при дискретном облучении электронами [Текст] / Л. С. Коханчик, Д. В. Иржак // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 2. - С. 285-289. - Библиогр.: с. 289 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): доменные структуры -- спонтанная поляризация -- тантал лития -- дискретное облучение электронами -- дискретные квазиточечные облучения электронным лучом Аннотация: Сообщается об исследовании процессов формирования доменных структур в кристаллах танталата лития толщиной около 300мюm при их облучении электронами в растровом электронном микрокопе. Были использованы последовательные дискретные квазиточечные облучения электронным лучом по поверхности -Z-срезов. Такой способ рисования электронным лучом позволил управлять величиной внедряемого заряда и исследовать влияние расстояний между условно точечными зарядами на формирумые при переключении доменные структуры. Исследовано влияние направления перемещения луча при внесении облучений на ширину доменных линий. Сформирована доменная решетка периодом в 12 мюm на -z-грани кристалла с переходом в глубине кристалла к структуре 2D-типа. Доп.точки доступа: Иржак, Д. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Изменение области существования несоразмерной фазы в сегнетоэлектрическом композите (NaNO[2])[1-x](BaTiO[3])[x] [Текст] / Е. В. Стукова [и др.] // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 2 (146). - С. 22-27 : ил. - Библиогр.: с. 26-27 (20 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрики -- диэлектрическая проницаемость -- композиты -- фазовые переходы -- спонтанная поляризация -- сегнетоэлектрические композиты -- нитрит натрия -- поляризация Максвелла-Вагнера -- Максвелла-Вагнера поляризация Аннотация: Исследованы температурно-частотные зависимости диэлектрических свойств сегнетоэлектрических композитов (NaNO[2]) [1-x] (BaTiO[3]) [x]. Показано, что в композитах, как и в твердых растворах, может происходить взаимовлияние компонент, приводящее к расширению области существования несоразмерной фазы в нитрите натрия.The temperature and frequency dependences of dielectric properties of (NaNO[2]) [1-x] (BaTiO[3]) [x] ferroelectric composites have been studied. It was shown that in the composites as well as in solid solutions, the mutual influence of the components may lead to the expansion of incommensurate phase existence in NaNO[2]. The greatest contribution to the low-frequency dielectric constant of the composite is due to the Maxwell-Wagner polarization. Доп.точки доступа: Стукова, Елена Владимировна; Королева, Екатерина Юрьевна; Трюхан, Татьяна Анатольевна; Барышников, Сергей Васильевич Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
539.2 Д 13 Давыдов, В. Н. Поляризационные свойства MQV-гетероструктур из InGaN/GaN при нагреве [Текст] / В. Н. Давыдов // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 12. - С. 31-38 : табл. - Библиогр.: c. 38 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): MQV-гетероструктуры -- внутреняя поляризация -- гетероструктура InGaN/GaN -- пироэлектрический эффект -- поляризация -- пьезоэлектрический эффект -- спонтанная поляризация Аннотация: Рассмотрены механизмы формирования поляризации в светодиодных гетероструктурах InGaN/GaN при нагреве. Установлено, что она создается в результате действия пироэффекта, совместного действия прямого и обратного пьезоэлектрических эффектов с учетом теплового расширения кристалла, упругих свойств, а также упругих деформаций за счет несовпадения постоянных решеток вещества барьера и квантовой ямы. С помощью математического аппарата кристаллофизики рассчитаны все составляющие поляризации, зависящие от температуры кристалла. Численные оценки показали, что наиболее значимыми механизмами поляризации являются пироэффект, а также пьезоэффект, вызванный тепловым расширением кристалла. Предложено компенсировать внутреннюю поляризацию приложением к боковым граням гетероструктуры внешней деформации, создающей пьезополяризацию внутри гетероструктуры равной величины и противоположного направления. |
Абгарян, К. К. Численное моделирование распределения носителей заряда в наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах с учетом поляризационных эффектов [Текст] / К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников // Журнал вычислительной математики и математической физики. - 2016. - Т. 56, № 1. - С. 155-166. - Библиогр.: c. 166 . - ISSN 0044-4669
Рубрики: Математика Вычислительная математика Кл.слова (ненормированные): Пуассона уравнения -- Шрёдингера уравнения -- моделирование полупроводниковых гетероструктур -- наноразмерные полупроводниковые гетероструктуры -- подвижность носителей заряда -- полупроводниковые гетероструктуры -- пьезоэлектрическая поляризация -- распределение носителей заряда -- расчет электронной плотности -- спонтанная поляризация -- уравнения Пуассона -- уравнения Шрёдингера -- численное моделирование -- электронная плотность Аннотация: Представлена трехуровневая схема моделирования наноразмерных полупроводниковых гетероструктур с учетом эффектов спонтанной и пьезоэлектрической поляризации. Схема объединяет квантово-механические расчеты на атомарном уровне для получения плотности зарядов на гетероинтерфейсах, расчет распределения носителей в гетероструктруре на основе решения системы уравнений Шрёдингера и Пуассона, а также расчет подвижности электронов в двумерном электронном газе с учетом различных механизмов рассеяния. С целью ускорения вычислительного процесса при расчете электронной плотности в гетероструктуре применен подход, основанный на аппроксимации нелинейной зависимости электронной плотности от потенциала в сочетании с линеаризацией уравнения Пуассона. Показана эффективность данного подхода в задачах рассматриваемого класса. Доп.точки доступа: Ревизников, Д. Л. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Соколов, А. А. Спонтанная поляризация композиционных материалов, насыщенных водородом [Текст] / А. А. Соколов, В. О. Сергеев, В. Ф. Харламов // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 9. - С. 119-124 : рис. - Библиогр.: c. 124 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Электростатика Технология металлов Металловедение цветных металлов и сплавов Кл.слова (ненормированные): водород -- композиционные материалы -- микрочастицы нитрата цезия -- микрочастицы перманганата калия -- наночастицы никеля -- поляризация -- самопроизвольное возникновение электрического поля -- смеси частиц -- спонтанная поляризация Аннотация: Исследован эффект самопроизвольного возникновения электрического поля в смесях микрочастиц нитрата цезия и (или) перманганата калия с наночастицами никеля, алюминия и оксида алюминия в атмосфере водорода. Установлено, что увеличение доли наночастиц Ni, Al или Al[2]O[3] в смеси с порошком KMnO[4] от 0 до 0. 25 (по весу) приводит к постепенному уменьшению напряженности электрического поля в порошке до нуля (Т = 22-250 °С). Обнаружено стимулирующее действие наночастиц никеля на инициированное водородом возникновение электрического поля в порошке CsNO[3]. Установлено: самопроизвольная поляризация порошков обусловлена диссоциативной хемосорбцией молекул водорода на поверхности частиц KMnO[4] и CsNO[3]. Доп.точки доступа: Сергеев, В. О.; Харламов, В. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |