Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл) - (слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 180-193 : ил. - Библиогр.: с. 192 (59 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гибридные структуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- ферромагнитный металл-слоистый полупроводник -- ФМ-ПП -- Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- импедансные спектры -- спиновая инжекция -- экстракция -- спиновая диффузия -- релаксация (физика) -- полупроводниковые подложки -- спин-селективные барьеры -- кулоновская блокада -- отрицательные дифференциальные емкости -- наноразмерные включения Аннотация: После выращивания слоев Ni на поверхности (0001) p-GaSe сформированы двухбарьерные структуры Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe с наноразмерными включениями сплавов Ni, которые образовались в результате протекания реакций на границе раздела "металл-слоистый полупроводник". В температурном диапазоне 220-350 K изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гибридных структур. Исследована зависимость импедансных спектров от напряжения смещения структур при различных температурах. Частотные зависимости импеданса при высоких частотах (f>10{6} Гц) обсуждаются с точки зрения явлений спиновой инжекции и экстракции в структурах с ультратонким спин-селективным барьером Ni/n-Ga[2]Se[3] и эффектов спиновой диффузии и релаксации в полупроводниковой подложке. При комнатной температуре обнаружены явления кулоновской блокады и отрицательной дифференциальной емкости. Эти явления объясняются на основе анализа транспортных процессов в узкой области вблизи границы раздела "ферромагнитный металл-полупроводник", где расположены наноразмерные включения. Доп.точки доступа: Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Литвин, О. С. |
Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb [Текст] / Я. В. Терентьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 205-209 : ил. - Библиогр.: с. 208-209 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Люминесценция Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- GaAs/GaSb -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- квантовые точки -- КТ -- гетероструктуры -- дифракция быстрых отраженных электронов -- ДБОЭ -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- циркулярно-поляризованная фотолюминесценция -- магнитные поля -- векторы магнитных полей -- поляризация -- инжекция спина -- спиновая инжекция -- спиновая ориентация -- зеемановское расщепление -- радиационное время жизни носителей -- эффект Зеемана -- Зеемана эффект Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены гетероструктуры с квантовыми точками типа II GaAs/GaSb. Исследована циркулярно-поляризованная фотолюминесценция образцов в магнитном поле до 4. 7 Тл, приложенном в геометрии Фарадея. Обнаружено, что в магнитном поле излучение квантовых точек имеет sigma-поляризацию, соответствующую проекции спина электрона на вектор магнитного поля +1/2. При увеличении интенсивности возбуждения степень поляризации излучения растет. Обнаруженный эффект объясняется инжекцией спина из матрицы GaSb, в которой спиновая ориентация возникает благодаря зеемановскому расщеплению зоны проводимости. Рост степени поляризации связан с уменьшением радиационного времени жизни носителей в квантовых точках типа II при увеличении уровня возбуждения. Доп.точки доступа: Терентьев, Я. В.; Торопов, А. А.; Мельцер, Б. Я.; Семенов, А. Н.; Соловьев, В. А.; Седова, И. В.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В. |