Аккумуляционный нанослой - 2D-электронный канал ультратонких интерфейсов Cs/n-InGaN [Текст] / Г. В. Бенеманская [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 372-376. - Библиогр.: с. 375-376 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): аккумуляционный нанослой -- фотоэмиссия -- размерное квантование -- спектры фотоэмиссии -- интерференция Фарби-Перо -- Фарби-Перо интерференция -- плотность электронных состояний Аннотация: Обнаружено формирование 2D-электронного канала - зарядового аккумуляционного слоя на поверхности InGaN (0001) n-типа при адсорбции субмонослойных покрытий Cs. Найдено, что фотоэмиссия из аккумуляционного слоя возбуждается светом из области прозрачности InGaN. Установлено, что глубиной потенциальной ямы и плотностью электронных состояний аккумуляционного слоя можно целенаправленно управлять за счет изменений Cs-покрытий. Показано, что в аккумуляционном слое наблюдаются эффекты размерного квантования. Проведены расчеты матричного элемента фотоэмиссии, получены энергетические параметры аккумуляционного слоя. В спектрах фотоэмиссии из аккумуляционного слоя обнаружена осцилляционная структура, природа которой связана с интерференцией Фарби-Перо. Доп.точки доступа: Бенеманская, Г. В.; Жмерик, В. Н.; Лапушкин, М. Н.; Тимошнев, С. Н. |
Электронная структура границы раздела Ва/n-AlGaN (0001) и формирование вырожденного 2D электронного газа [Текст] / Г. В. Бенеманская [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 12. - С. 739-743
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): субмонослойные покрытия -- электронная структура -- ультратонкие интерфейсы -- спектры фотоэмиссии -- спектры остовных уровней -- синхротронное возбуждение -- запрещенная зона -- фотоэмиссионные пики -- вырожденный электронный газ -- валентные зоны Аннотация: Проведены исследования электронной структуры ультратонких интерфейсов Ba/n-AlGaN (0001) в сверхвысоком вакууме in situ/ с помощью метода ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии. Изучены спектры фотоэмиссии из валентной зоны n-AlGaN и спектры остовных уровней Ga 3d, Al 2p, Ba 4d при синхротронном возбуждении с энергиями фотонов 60-400 эВ. Обнаружена модификация всех спектров в процессе формирования границы раздела Ва/n-AlGaN в режиме субмонослойных Ва покрытий. Найдено, что спад интенсивности отдельных участков спектра валентной зоны связан с взаимодействием поверхностных состояний подложки AlGaN с адатомами Ва. Обнаружено, что формирование интерфейса приводит к появлению в запрещенной зоне AlGaN на уровне Ферми нового фотоэмиссионного пика квазиметаллического характера. Доп.точки доступа: Бенеманская, Г. В.; Жмерик, В. Н.; Лапушкин, М. Н.; Тимошнев, С. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |