Влияние присоединения биомолекул на фотолюминесцентные и структурные характеристики квантовых точек CdSe-ZnS [Текст] / Л. В. Борковская [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 804-810 : ил. - Библиогр.: с. 809-810 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- фотолюминесцентные характеристики -- структурные характеристики -- биомолекулы -- биосопряжение -- экситоны -- рекомбинация экситонов -- рентгеновская дифракция -- дефекты -- спектры возбуждения -- СВ -- CdSe-ZnS Аннотация: Исследовались спектры фотолюминесценции и ее возбуждения, а также кривые рентгеновской дифракции силанизированных квантовых точек CdSe-ZnS и влияние на них соединения с биомолекулами. В спектрах люминесценции помимо полосы, обусловленной рекомбинацией экситонов в квантовых точках, присутствовало излучение, связанное с дефектами. Установлено, что спектр излучения дефектов содержит, как минимум, две компоненты. Показано, что дефекты расположены преимущественно на точках малого размера, причем дефекты, ответственные за длинноволновую компоненту, расположены преимущественно на точках большего размера, чем дефекты ответственные за коротковолновую компоненту. Обнаружено, что соединение с биомолекулами приводит не только к голубому смещению экситонной полосы, но и к трансформации спектра излучения дефектов, а также к увеличению его вклада в спектр люминесценции. Наблюдающиеся изменения в спектре излучения дефектов объясняются образованием соответствующих центров свечения. Показано, что при присоединении биомолекул в квантовых точках возрастают механические напряжения сжатия. Этим объясняется голубое смещение полосы квантовых точек. Доп.точки доступа: Борковская, Л. В.; Корсунская, Н. Е.; Крыштаб, Т. Г.; Гермаш, Л. П.; Печерская, Е. Ю.; Остапенко, С.; Чернокур, А. |
Особенности механизмов возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si [Текст] / А. Н. Яблонский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1519-1522. : ил. - Библиогр.: с. 1522 (11 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- эрбиевая фотолюминесценция -- межзонная фотолюминесценция -- эпитаксиальные структуры -- оптическое возбуждение -- спектры возбуждения -- длина волны -- экситоны -- свободные экситоны -- электронно-дырочная плазма -- ЭДП -- неравновесные носители заряда -- кремний -- Si -- Er/Si Аннотация: Проведено исследование спектров возбуждения и кинетики эрбиевой фотолюминесценции, а также межзонной фотолюминесценции кремния в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si в условиях интенсивного импульсного оптического возбуждения. Показано, что в спектрах межзонной фотолюминесценции в структурах Si : Er/Si в зависимости от мощности и длины волны возбуждающего излучения может наблюдаться как люминесценция свободных экситонов, так и сигнал, связанный с образованием электронно-дырочной плазмы. Обнаружено, что возникновение пика в спектрах возбуждения эрбиевой фотолюминесценции при большой мощности излучения накачки коррелирует с наблюдением перехода Мотта "экситонный газ-электронно-дырочная плазма". Продемонстрировано существенное влияние концентрации неравновесных носителей заряда в структурах Si : Er/Si на характерные времена нарастания эрбиевой фотолюминесценции. Доп.точки доступа: Яблонский, А. Н.; Андреев, Б. А.; Красильникова, Л. В.; Крыжков, Д. И.; Кузнецов, В. П.; Красильник, З. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si с релаксированным гетерослоем [Текст] / Л. В. Красильникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1527-1532. : ил. - Библиогр.: с. 1531 (12 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- люминесцентные свойства -- эпитаксиальные слои -- гетерослои -- длина волны -- спектры возбуждения -- кинетические характеристики -- эрбиевая люминесценция -- дефектно-примесные комплексы -- запрещенные зоны -- твердые растворы -- релаксация (физика) Аннотация: Проведено исследование люминесцентных свойств гетероэпитаксиальных структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si с релаксированным гетерослоем. По результатам совместных исследований спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции (ФЛ) выделены компоненты, вносящие преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si в диапазоне длин волн 1. 54 мкм. Показано, что релаксация упругих напряжений в гетерослое Si[1-x]Ge[x]: Er слабо влияет на кинетические характеристики эрбиевой люминесценции и проявляется лишь в незначительном вкладе в люминесцентный отклик структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si дефектов и дефектно-примесных комплексов. В спектрах возбуждения эрбиевой ФЛ выделены особенности, связанные с возможностью возбуждения редкоземельной примеси при энергиях, меньших ширины запрещенной зоны твердого раствора Si[1-x]Ge[x]. Показано, что в спектрах возбуждения эрбиевой ФЛ в структурах Si[1-x]Ge[x]: Er/Si в области длин волн 1040-1050 нм наблюдается пик, ширина которого зависит от ширины запрещенной зоны твердого раствора и степени его релаксации. Наблюдаемые особенности объясняются вовлеченностью в процесс возбуждения иона Er{3+} промежуточных уровней в запрещенной зоне твердого раствора Si[1-x]Ge[x]: Er. Доп.точки доступа: Красильникова, Л. В.; Яблонский, А. Н.; Степихова, М. В.; Дроздов, Ю. Н.; Шенгуров, В. Г.; Красильник, З. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Тагиев, Б. Г. Фотолюминесценция поликристаллов CaGa[2]S[4]:Pr [Текст] / Б. Г. Тагиев, С. А. Абушов, О. Г. Тагиев // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 120, № 3. - С. 422-426 : граф., схемы. - Библиогр.: с. 426 (20 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Люминесценция Химия Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): тиогаллат кальция -- празеодим -- люминесценция празеодима -- поликристаллы тиогаллата кальция -- синтез поликристаллов -- люминофоры -- спектры возбуждения -- редкоземельные ионы -- активация ионами -- фотолюминесценция Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции (ФЛ) и возбуждения ФЛ поликристаллов CaGa[2]S[4], активированных празеодимом в областях активаторного и фундаментального поглощений матрицы. Установлено, что спектр возбуждения ФЛ состоит из двух областей: широкополосной, обусловленной фундаментальным поглощением матрицы и охватывающей 200–380 нм, и узкополосной, обусловленной активаторным поглощением и охватывающей 430–515 нм. В зависимости от возбуждения из различных областей длин волн спектры люминесценции различны, что связано с замещением ионами Pr{3+} двухвалентных катионов, занимающих различные кристаллографические положения в кристаллической решетке матрицы. Доп.точки доступа: Абушов, С. А.; Тагиев, О. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние особенностей релаксации электронных возбуждений на люминесцентные свойства MgWO[4] [Текст] / Н. Р. Крутяк [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 121, № 1. - С. 50-57 : граф. - Библиогр.: с. 56-57 (26 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): электронные возбуждения -- релаксация электронных возбуждений -- люминесцентные свойства -- монокристаллы -- вольфрамат магния -- вольфраматы -- экситонная люминесценция -- спектры возбуждения -- правило Урбаха -- Урбаха правило -- экситоны -- валентные зоны Аннотация: Представлены результаты исследований люминесцентных свойств монокристаллов вольфрамата магния, выращенных двумя разными методами. В кристаллах наблюдалась собственная экситонная люминесценция. Температурная зависимость низкоэнергетического края в спектрах возбуждения люминесценции описывается правилом Урбаха. Рассмотрены процессы релаксации электронных возбуждений в зависимости от структуры валентной зоны MgWO[4] и других вольфраматов ZnWO[4] и CdWO[4]. Доп.точки доступа: Крутяк, Н. Р.; Спасский, Д. А.; Тупицына, И. А.; Дубовик, А. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Люминесцирующая керамика на основе MgF[2] [Текст] / В. М. Лисицын [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 10. - С. 144-148 : рис., табл. - Библиогр.: с. 148 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Люминесценция Изобразительное искусство и архитектура Художественные изделия Кл.слова (ненормированные): вольфрам -- катодолюминесценция -- керамика -- люминесценция керамики -- отжиг -- спектры возбуждения -- фотолюминесценции -- фторид магния Аннотация: Представлены результаты исследований при 300 К фото- и катодолюминесценции впервые синтезированной высокотемпературной оптической керамики на основе MgF[2], активированной окисью вольфрама. Доп.точки доступа: Лисицын, В. М.; Голковский, М. Г.; Лисицына, Л. А.; Даулетбекова, А. К.; Мусаханов, Д. А.; Ваганов, В. А.; Тулегенова, А. Т.; Карипбаев, Ж. Т. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |