Саченко, А. В. Моделирование солнечных элементов с квантовыми ямами и сравнение с обычными солнечными элементами [Текст] / А. В. Саченко, И. О. Соколовский // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 2. - С. 274-277
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- квантовые ямы -- эффективность фотопреобразования Аннотация: С помощью программы SimWindows выполнено моделирование эффективности фотопреобразования солнечных элементов на основе GaAs с квантовыми ямами из InGaAs в условиях АМ 1. 5 при различных уровнях легирования базы. Проведено сравнение полученных результатов с эффективностью фотопреобразования обычных солнечных элементов. Показано, что солнечные элементы с квантовыми ямами могут иметь достаточно большую эффективность фотопреобразования по сравнению с эффективностью фотопреобразования обычных солнечных элементов при указанных в статье условиях. Доп.точки доступа: Соколовский, И. О. |
Новости [Текст] // Нанотехника. - 2009. - N 1 (17). - С. 107-117 : 16 табл. . - ISSN 1816-4498
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): катализ наночастиц -- солнечные элементы -- магнитный ключ -- проводимость нанотрубок -- прозрачная электроника -- старение стекла -- искусственные щупальцы -- наноманипуляторы -- вирус табачной мозаики -- квантовые компьютеры -- нанотранзисторы -- носители информации Аннотация: Представлен обзор новостей из зарубежных журналов и прилагается электронный адрес источника, откуда взято сообщение. |
Исследование особенностей роста нанокристаллов оксида цинка из водных растворов для создания тонкопленочных солнечных элементов [Текст] / С. А. Гаврилов [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 2 (76). - С. 35-38 : рис. . - ISSN 1561-5405
Рубрики: Машиностроение Обработка металлов резанием Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нанотехнологии -- тонкопленочные элементы -- солнечные элементы -- водные растворы Аннотация: Исследованы особенности химического осаждения нанокристаллов оксида цинка из водных растворов. Доп.точки доступа: Гаврилов, Сергей Александрович; Назаркин, Михаил Юрьевич; Сагунова, Ирина Владимировна; Артемова, Елена Владимировна |
Токопрохождение и потенциальная эффективность (КПД) солнечных элементов на основе p-n-переходов из GaAs и GaSb [Текст] / В. М. Андреев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 671-678
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- механизмы токопрохождения -- темновая характеристика -- безрезистивная характеристика -- фототоки Аннотация: Изучена зависимость эффективности многопереходных и однопереходных солнечных элементов от механизмов токопрохождения в фотоактивных p-n-переходах, а именно от вида темновой характеристики ток-напряжение J-V. Безрезистивная (не учитывающая последовательное сопротивление) J-V[j]-характеристика многопереходного солнечного элемента имеет такой же вид, как и у однопереходного: набор экспоненциальных участков. Это позволило развить единый аналитический метод расчета эффективности одно- и многопереходных солнечных элементов. Выведено уравнение, связывающее эффективность и фотогенерируемый ток на каждом из участков J-V[j]-характеристики. Для p-n-переходов из GaAs и GaSb измерены характеристики: темновая J-V, интенсивность освещения-напряжение холостого хода P-V[OC], интенсивность люминесценция-прямой ток L-J. Построены расчетные зависимости потенциальной (при идеализированном условии равенства единице внешнего квантового выхода) эффективности от фотогенерируемого тока для однопереходных GaAs и GaSb солнечных элементов и тандема GaAs/GaSb. Вид этих зависимостей соответствует виду J-V[j]-характеристики: имеются диффузионный и рекомбинационный участки, а в некоторых случаях и туннельно-ловушечный. Доп.точки доступа: Андреев, В. М.; Евстропов, В. В.; Калиновский, В. С.; Лантратов, В. М.; Хвостиков, В. П. |
Солнечные элементы на основе антимонида галлия [Текст] / В. М. Андреев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 695-699
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): жидкофазная эпитаксия -- фотоэлементы -- солнечные элементы -- каскадные преобразователи -- узкозонный фотоэлемент Аннотация: Методами жидкофазной эпитаксии и диффузии из газовой фазы созданы различные варианты структур фотоэлементов на основе GaSb, предназначенных для использования в каскадных преобразователях солнечного излучения. Исследован узкозонный фотоэлемент (GaSb) в составе тандема на основе комбинации полупроводников GaAs-GaSb (два p-n-перехода) и GaInP/GaAs-GaSb (три p-n-перехода). Значения максимальной эффективности фотоэлектрического преобразования в GaSb за широкозонными элементами составляют эта=6. 5% (при кратности концентрирования солнечного излучения 275, для спектра AM1. 5D, Low AOD). Доп.точки доступа: Андреев, В. М.; Сорокина, С. В.; Тимошина, Н. Х.; Хвостиков, В. П.; Шварц, М. З. |
Курилюк, В. В. Влияние пьезоэлектрических полей ультразвуковых колебаний на комбинационное рассеяние света в гетероструктурах GaAs/AlGaAs [Текст] / В. В. Курилюк, О. А. Коротченков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 449-455
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые гетероструктуры -- квантовые ямы -- инфракрасное излучение -- солнечные элементы -- фотодетекторы -- электрические поля Аннотация: Представлен теоретический анализ резонансных электроупругих колебаний гибридной структуры GaAs/AlGaAs-LiNbO[3] с границей раздела скользящего типа, а также эффекта перераспределения концентрации двумерного электронного газа в гетероструктуре генерируемыми пьезоэлектрическими полями. Расчеты проведены методом конечных элементов. Экспериментально зарегистрированные спектры комбинационного рассеяния света с временным разрешением обнаруживают особенности поведения LO-фонон-плазмонной моды, соответствующие теоретически рассчитанному перераспределению концентрации. Доп.точки доступа: Коротченков, О. А. |
Фотоэлектрические преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs [Текст] / С. А. Блохин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 537-541
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- однопереходные преобразователи -- квантовые точки -- фотоэлектрические преобразователи -- солнечные элементы -- полупроводниковые гетероструктуры Аннотация: Исследованы особенности создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии однопереходных фотоэлектрических преобразователей AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs. Впервые показана принципиальная возможность бездислокационного внедрения вертикально-связанных квантовых точек в структуры фотоэлектрических преобразователей без видимого ухудшения структурного качества p-n-перехода. Благодаря дополнительному поглощению в среде квантовых точек длинноволновой области солнечного спектра и последующему эффективному разделению фотогенерированных носителей заряда впервые в мире продемонстрировано увеличение (~1%) плотности тока короткого замыкания J[sc] в фотоэлектрических преобразователях с квантовыми точками. Максимальное значение кпд реализованных фотоэлектрических преобразователей составило 18. 3% при преобразовании прямого наземного солнечного спектра AM1. 5G. Доп.точки доступа: Блохин, С. А.; Сахаров, А. В.; Надточий, А. М.; Паюсов, А. С.; Максимов, М. В.; Леденцов, Н. Н.; Ковш, А. Р.; Михрин, С. С.; Лантратов, В. М.; Минтаиров, С. А.; Калюжный, Н. А.; Шварц, М. З. |
Наноструктуированные прозрачные электропроводящие полимерные материалы в токособирающей системе кремниевых солнечных элементов [Текст] / Г. Г. Унтила [и др. ] // Нанотехнологии. - 2009. - N 3. - С. 65-71
Рубрики: Энергетика Общие вопросы энергетики Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- полимерные материалы -- электропроводящие материалы -- наноструктурированные материалы -- кремний Аннотация: Рассматриваются современные конструкции и технологии создания полупроводниковых солнечных элементов. Доп.точки доступа: Унтила, Г. Г.; Кост, Т. Н.; Чеботарева, А. Б.; Корнилов, В. М.; Салазкин, С. Н. |
Олимов, Л. О. Адсорбция щелочных металлов и их влияние на электронные свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния [Текст] / Л. О. Олимов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 628-630 : ил. - Библиогр.: с. 630 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): щелочные металлы -- ЩМ -- межзеренные границы -- МЗГ -- солнечные элементы -- СЭ -- поликристаллический кремний -- ионная имплантация -- ИИ -- имплантация -- адсорбция -- диффузия -- потенциальные барьеры -- электронные свойства Аннотация: Экспериментально изучена адсорбция щелочных металлов и их влияние на электронные свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния. Полученные результаты показывают, что в процессе диффузии и адсорбции атомов щелочных металлов вдоль межзеренных границ происходит рост потенциального барьера. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности световой вольт-амперной характеристики двусторонне чувствительных солнечных элементов на основе тонких базовых слоев CdTe [Текст] / А. В. Мериуц [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 829-832. : ил. - Библиогр.: с. 832 (10 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- СЭ -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- фотовольтаический эффект -- диоды -- фронтальные диоды -- тыльные диоды -- тонкие слои -- CdTe Аннотация: Показано, что особенности световых вольт-амперных характеристик двусторонне чувствительных солнечных элементов glass/SnO[2] : F/CdS/CdTe/Cu/ITO с тонким базовым слоем связаны с возникновением фотовольтаического эффекта на тыльном контакте. Предложена эквивалентная схема исследуемой приборной структуры, которая учитывает наличие двух освещенных диодов-фронтального диода (основного сепарирующего барьера) и диода на тыльном контакте. Доп.точки доступа: Мериуц, А. В.; Хрипунов, Г. С.; Шелест, Т. Н.; Дейнеко, Н. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование диффузионных длин неосновных носителей заряда в фотоактивных слоях многопереходных солнечных элементов [Текст] / С. А. Минтаиров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1118-1123. : ил. - Библиогр.: с. 1123 (13 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- СЭ -- многопереходные солнечные элементы -- МП СЭ -- гетероструктуры -- диффузионные длины носителей заряда -- неосновные носители заряда -- ННЗ -- тыльные потенциальные барьеры -- ТПБ -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- фотоактивные слои -- легирование -- твердотельная диффузия -- атомы фосфора -- подложки -- нуклеационные слои Аннотация: Представлена методика определения диффузионных длин неосновных носителей заряда в фотоактивных слоях A{III}B{V} солнечных элементов посредством аппроксимации их спектральных характеристик. Исследованы однопереходные GaAs, Ge и многопереходные GaAs/Ge, GaInP/GaAs и GaInP/GaInAs/Ge солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии. Установлены зависимости диффузионных длин неосновных носителей заряда от уровня легирования для p-Ge и n-GaAs. Показано, что параметры твердотельной диффузии атомов фосфора в подложку p-Ge из нуклеационного n-GaInP слоя не зависят от его толщины в пределах 35-300 нм. Обнаружено уменьшение диффузионных длин в слоях Ga (In) As субэлементов многопереходных структур по сравнению с однопереходными. Доп.точки доступа: Минтаиров, С. А.; Андреев, В. М.; Емельянов, В. М.; Калюжный, Н. А.; Тимошина, Н. К.; Шварц, М. З.; Лантратов, В. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge [Текст] / Н. А. Калюжный [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1568-1576. : ил. - Библиогр.: с. 1575-1576 (26 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- германий -- GaInP/GaInAs/Ge -- гетероструктуры -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- p-n переходы -- солнечные элементы -- СЭ -- спектральные характеристики -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- многопереходные солнечные элементы -- МП СЭ -- германиевые субэлементы Аннотация: Исследованы фотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур n-GaInP/n-p-Ge, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии при различных условиях формирования p-n-перехода. Гетероструктуры предназначены для использования в качестве узкозонных субэлементов трехпереходных солнечных фотопреобразователей GaInP/GaInAs/Ge. Показано, что в германиевых p-n-переходах наряду с диффузионным существует туннельный механизм протекания тока, поэтому использована двухдиодная электрическая эквивалентная схема германиевого p-n-перехода. Определены значения диодных параметров для обоих механизмов из анализа как темновых, так и световых зависимостей ток-напряжение. Показано, что устранение компоненты туннельного тока позволяет повысить кпд Ge-субэлемента на ~1% при преобразовании неконцентрированного излучения. За счет использования концентрированного излучения влияние туннельного тока на кпд приборов на основе германия можно практически свести к нулю при значениях плотности фотогенерированного тока ~1. 5 А/см{2}. Доп.точки доступа: Калюжный, Н. А.; Гудовских, А. С.; Евстропов, В. В.; Лантратов, В. М.; Минтаиров, С. А.; Тимошина, Н. Х.; Шварц, М. З.; Андреев, В. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Многопереходные солнечные элементы с брэгговскими отражателями на основе структур GaInP/GaInAs/Ge [Текст] / В. М. Емельянов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1649-1654. : ил. - Библиогр.: с. 1654 (22 назв. )
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): многопереходные элементы -- солнечные элементы -- брэгговские отражатели -- GaInP/GaInAs/Ge -- субэлементы -- облучение электронами -- GaInAs -- Ge -- фотопреобразователи -- дозы электронов -- геосинхронные орбиты -- оптимизация структур -- гетероструктуры -- радиационное облучение -- неоптимизированные элементы -- фототоки Аннотация: Теоретически исследовано влияние параметров субэлементов на величину кпд в каскадных солнечных элементах на основе GaInP/Ga (In) As/Ge при облучении электронами с энергией 1 МэВ с дозами до 3·10{15} см{-2}. Определены оптимальные толщины субэлементов GaInP и GaInAs, обеспечивающие наилучшее согласование фототоков при различных дозах облучения как в солнечных элементах со встроенными брэгговскими отражателями, так и без них. Рассчитаны зависимости кпд фотопреобразователей от дозы электронов с энергией 1 МэВ и времени нахождения на геосинхронной орбите при оптимизации структур элементов на начало и конец срока эксплуатации. Показано, что оптимизация гетероструктур субэлементов под расчетную дозу радиационного облучения и встраивание в структуру брэгговских отражателей позволяют обеспечить суммарное увеличение кпд при эксплуатации солнечных элементов на орбите на 5% по сравнению с неоптимизированными элементами без брэгговского отражателя. Доп.точки доступа: Емельянов, В. М.; Калюжный, Н. А.; Минтаиров, С. А.; Шварц, М. З.; Лантратов, В. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Создан прототип солнечного элемента, размещаемого на оконном стекле [Текст] // Альтернативная энергетика и экология. - 2010. - N 8 (88). - С. 154. : фот.
Рубрики: Энергетика Гелиоэнергетика Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- тонкопленочные фотоэлементы -- металлические наночастицы -- оконные стекла Аннотация: Разработка тонкопленочных фотоэлементов на основе наночастиц. Доп.точки доступа: "EnSol AS", компания; Компания "EnSol AS"; Лестерский университет Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Солнечные элементы конструкции LGCell из мультикристаллического кремния. Применение обработки атомарным водородом [Текст] / Г. Г. Унтила [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 379-386. : ил. - Библиогр.: с. 385-386 (23 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- СЭ -- LGCell -- Laminated Grid Cell -- мультикристаллический кремний -- атомарный водород -- гидрогенизация -- холостой ход -- длина волны -- эмиттеры -- обработка водородом -- СВЧ-плазма -- энергодисперсионные спектры -- EDS Аннотация: Впервые получены солнечные элементы конструкции Laminated Grid Cell (LGCell) из мультикристаллического нетекстурированного кремния (mc-Si), эффективность которых составила 15. 9%. Исследовано влияние обработки (n{+}pp{+}) -mc-Si структур атомарным водородом, генерированным горячей нитью и СВЧ плазмой. Гидрогенизация увеличивает параметры кривых, характеризующие зависимость напряжения холостого хода от интенсивности излучения, и длинноволновую (длина волны lambda=1000 нм) чувствительность солнечного элемента на 10-20%, что свидетельствует о пассивации дефектов mc-Si. Гидрогенизация со стороны эмиттера вызывает увеличение последовательного сопротивления солнечного элемента, уменьшение коротковолновой (длина волны lambda=400 нм) чувствительности на 30-35%, а также появление пика кислорода в энергодисперсионных спектрах (EDS). Эти эффекты устраняются тонким подтравливанием эмиттера. Доп.точки доступа: Унтила, Г. Г.; Кост, Т. Н.; Чеботарева, А. Б.; Белоусов, М. Э.; Самородов, В. А.; Поройков, А. Ю.; Тимофеев, М. А.; Закс, М. Б.; Ситников, А. М.; Солодуха, О. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Оксидные защитные пленки для кремниевых солнечных батарей [Текст] = Protective oxide films for silicon solar batteries / Т. Н. Патрушева [и др. ] // Альтернативная энергетика и экология. - 2011. - N 3 (95). - С. 35-40. : граф., диагр. - Библиогр.: с. 40 (9 назв. )
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Энергетика Гелиоэнергетика Кл.слова (ненормированные): кремниевые солнечные батареи -- солнечные элементы -- защитные пленки солнечных элементов -- оксид титана-цинка -- пористый кремень Аннотация: Рассмотрены материалы для защиты кремниевых солнечных батарей от воздействия ультрафиолетового излучения. Доп.точки доступа: Патрушева, Т. Н.; Шелованова, Г. Н.; Снежко, Н. Ю.; Полюшкевич, А. В.; Холькин, А. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Фотовольтаический эффект в пленках органических соединений фталоцианина и перилена [Текст] / Алиджанов Э. К. [и др.] // Вестник Оренбургского государственного университета. - 2011. - № 12 (1), декабрь. - С. 318-322. - Библиогр.: с. 321. - Номер имеет 5 частей . - ISSN 1814-6457
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): фотовольтаический эффект -- органические полупроводники -- экситоны -- фотофизические свойства -- солнечные элементы -- вольтамперные характеристики -- люкс-амперные характеристики -- мультислойная система Аннотация: Представлена многослойная система из органических полупроводников донорного и акцепторного типа (CuPc и PTCDA), обладающая фотовольтаическими свойствами. Доп.точки доступа: Алиджанов, Э. К.; Лантух, Ю. Д.; Летута, С. Н.; Пашкевич, С. Н.; Логинов, Б. А.; Раздобреев, Д. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Фотовольтаический эффект в пленках органических соединений фталоцианина и перилена [Текст] / Алиджанов Э. К. [и др.] // Вестник Оренбургского государственного университета. - 2011. - № 12, ч. 1, декабрь. - С. 318-322. - Библиогр.: с. 321. - Номер имеет 5 частей . - ISSN 1814-6457
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): фотовольтаический эффект -- органические полупроводники -- экситоны -- фотофизические свойства -- солнечные элементы -- вольтамперные характеристики -- люкс-амперные характеристики -- мультислойная система Аннотация: Представлена многослойная система из органических полупроводников донорного и акцепторного типа (CuPc и PTCDA), обладающая фотовольтаическими свойствами. Доп.точки доступа: Алиджанов, Э. К.; Лантух, Ю. Д.; Летута, С. Н.; Пашкевич, С. Н.; Логинов, Б. А.; Раздобреев, Д. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Пашаев, И. Г. Влияние различных обработок на свойства диодов Шоттки, изготовленных на основе аморфного сплава Ni-Ti [Текст] / И. Г. Пашаев // Инженерная физика. - 2012. - № 4. - С. 34-38 : граф., ил., табл. - Библиогр.: с. 38 (12 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- диоды -- аморфные сплавы -- избыточные токи -- ультразвуковая обработка -- фоточувствительность -- солнечные элементы -- кремниевые солнечные элементы -- металлические сплавы -- температура кристаллизации сплавов Аннотация: Рассмотрена причина появления избыточного тока альфаNiTi-nSi в диодах Шоттки вблизи температуры кристаллизации аморфного металлического сплава и объяснено влияние ультразвуковой обработки на свойства солнечных элементов. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Пашаев, И. Г. Восстановление характеристик кремниевых солнечных элементов, нарушенных облучением гамма-квантами, изготовленных на основе аморфного металлического сплава, ультразвуковой обработкой [Текст] / И. Г. Пашаев // Инженерная физика. - 2012. - № 3. - С. 15-17 : граф., табл. - Библиогр.: с. 17 (8 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Машиностроение Обработка металлов Кл.слова (ненормированные): ультразвуковые волны -- фотоэлектрические свойства -- солнечные элементы -- кремниевые солнечные элементы -- гамма-облучение -- ультразвуковая обработка -- гамма-кванты -- металлические сплавы -- аморфные металлические сплавы Аннотация: Рассмотрены экспериментальные результаты доказывающие возможность влияния и управления параметрами кремниевых солнечных элементов TiAu/Si-n{+}-p-p{+}, изготовленных из аморфного металлического сплава (альфаTiAu) с помощью ультразвуковой обработки. Показана возможность частичного восстановления фотоэлектрических свойств солнечных элементов, нарушенных гамма-облучением, с помощью ультразвуковой обработки. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |