Разработка и исследование процессов твердофазного синтеза нелегированных и легированных неупорядоченных полупроводников [Текст] / А. Я. Клочков [и др.] // Материаловедение. - 2015. - № 6. - С. 15-18 . - ISSN 1684-579Х
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): GST -- GST-225 -- Мартинса псевдопотенциалы -- Пердью приближение -- легирование -- моделирование -- молекулярная динамика -- неупорядоченные полупроводники -- обменно-корреляционная энергия -- плоская волновая энергия -- приближение Пердью -- псевдопотенциалы Мартинса -- скалярный базис -- твердофазный синтез -- термовакуумное испарение -- фазовая память -- фазовые переходы -- функционалы плотности -- халькогенидные стеклообразные полупроводники Аннотация: Рассмотрена методика получения халькогенидных стеклообразных полупроводников состава GST-225 методом термовакуумного испарения, приведены итоги расчета функционала плотности моделирования молекулярной динамики халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) состава GST-225, при этом использовали приближение Пердью для вычисления обменно-корреляционной энергии и скалярного базиса - релятивистский расчет, основанный на вычислении псевдопотенциалов Мартинса с плоской волновой энергией среза 20 Ry. Доп.точки доступа: Клочков, А. Я.; Батуркин, C. А.; Батуркина, Е. Ю.; Коршунов, А. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |