Кузнецов, Гений Владимирович. Оценка надежности типичного транзистора в условиях окисления металла [Текст] / Г. В. Кузнецов, Г. Я. Мамонтов, А. В. Титов // Известия Томского политехнического университета. - 2008. - Т. 312, № 4 : Энергетика. - С. 135-140 : ил. - Библиогр.: с. 140 (8 назв.) . - ISSN 1684-8519
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоаппаратура Машиностроение Соединения деталей машин Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые приборы -- оценка надежности -- термическое окисление -- токоведущие элементы -- численное моделирование -- температурные поля -- токоведущие устройства -- силовые транзисторы -- окисление кислородом -- окисление металлов -- показатели надежности Аннотация: Проведено численное моделирование нестационарного двумерного температурного поля токоведущей дорожки полупроводникового прибора для двух случаев работы типичного силового транзистора: в условиях окисления проводника кислородом воздуха, и без протекания процесса окисления металла. Сопоставлены интенсивности отказов транзистора для этих двух случаев. Показано, что изменение интенсивности отказов в условиях окисления составляет не менее 50 %. Установлено, что при оценке показателей надежности приборов необходимо проводить анализ с учетом процесса окисления металла. Доп.точки доступа: Мамонтов, Г. Я.; Титов, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Белов, Г. А. Преобразователь постоянного напряжения с последовательным резонансным инвертором и несимметричным управлением силовыми транзисторами [Текст] / Г. А. Белов, А. В. Серебрянников, Н. А. Галанина // Электротехника. - 2017. - № 7. - С. 44-50 . - ISSN 0013-5860
Рубрики: Энергетика Преобразователи, выпрямители, инверторы Кл.слова (ненормированные): преобразователи постоянного напряжения -- резонансные инверторы -- последовательные резонансные инверторы -- виртуальное моделирование -- переходные процессы -- транзисторы -- силовые транзисторы Аннотация: Интерес к преобразователям постоянного напряжения (ППН) с последовательным резонансным инвертором (резонансным преобразователем) обусловлен тем, что в них легко реализуются переключения полупроводниковых приборов при нулевом токе и нулевом напряжении на приборе. Это позволяет существенно уменьшить потери мощности на переключения полупроводниковых приборов, реализовать работу ППН на более высоких частотах при высоком КПД. В литературе рассмотрен различные схемы резонансных преобразователей, приведены результаты экспериментальных исследований. Однако теория подобных преобразователей развита недостаточно, теоретические исследования проводятся приближёнными методами, например методом основной гармоники. В статье описан принцип работы силовой части преобразователя постоянного напряжения с последовательным резонансным инвертором и несимметричным управлением в режиме прерывистого тока, когда частота переключений меньше резонансной частоты LC-контура. Описаны особенности симметричного и несимметричного управления силовыми транзисторами инвертора, когда формируются двухполярные импульсы тока на половине периода переключений. Предложен алгоритм несимметричного управления транзисторами, представлена схема реализации этого алгоритма на дискретных компонентах в виде виртуальной модели в среде Matlab-Simulink. Приведены результаты моделирования переходного процесса и установившегося режима, другие зависимости. Выполнено сравнение полученных характеристик с теоретическими, построенными по аналитическим соотношениям. Доп.точки доступа: Серебрянников, А. В.; Галанина, Н. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Стариков, А. В. Анализ гармонического состава трапецеидального фазного напряжения, формируемого частотным преобразователем [Текст] / А. В. Стариков, В. В. Кузнецов, Д. Ю. Рокало // Вестник Самарского государственного технического университета. Сер.: Технические науки. - 2017. - № 3 (55). - С. 75-79. - полный текст статьи см. на сайте Научной электронной библиотеки https://elibrary.ru . - ISSN 1991-8542
Рубрики: Энергетика Преобразователи, выпрямители, инверторы Кл.слова (ненормированные): частотные преобразователи -- трапецеидальная модуляция -- гармонические ряды -- модуляторы -- ряды Фурье -- Фурье ряды -- широтно-импульсная модуляция -- коммутационные потери -- силовые транзисторы -- выходные напряжения Аннотация: Рассмотрены основные недостатки синусоидальных и векторных модуляторов, применяемых в современных частотных преобразователях. С целью упрощения технической реализации предложено использовать модуляторы, осуществляющие трапецеидальную широтно-импульсную модуляцию. Произведено разложение трапецеидального фазного напряжения частотного преобразователя в гармонический ряд. Найдены аналитические выражения коэффициентов ряда Фурье. Проанализирован гармонический состав фазного напряжения трапецеидальной формы. Показано, что качество выходного напряжения частотного преобразователя, осуществляющего трапецеидальную модуляцию, соответствует требованиям ГОСТ. Отмечены дополнительные достоинства частотных преобразователей с трапецеидальными модуляторами, заключающиеся в снижении коммутационных потерь в силовых транзисторах и отсутствии так называемого "мертвого" времени. Доп.точки доступа: Кузнецов, В. В.; Рокало, Д. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Определение собственных тепловых сопротивлений силовых транзисторов и диодов IGBT модуля на основе его трёхмерной модели [Текст] / М. В. Ильин [и др.] // Электротехника. - 2019. - № 7. - С. 19-23 . - ISSN 0013-5860
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): IGBT-модули -- тепловые модели -- электротепловые аналогии -- метод конечных элементов -- тепловые сопротивления -- собственные тепловые сопротивления -- диоды -- транзисторы -- трёхмерные модели -- силовые транзисторы -- эксплуатация -- прогнозирование температуры кристаллов Аннотация: Рассмотрен подход к определению собственных тепловых сопротивлений для формирования тепловой модели силового IGBT модуля на основе метода электротепловой аналогии. В отличие от традиционного предложенный метод учитывает изменение тепловых сопротивлений в зависимости от места расположения силового полупроводникового прибора (СПП) в IGBT модуле. Тепловые параметры для создания модели силового модуля на основе электротепловой аналогии оценивались на трёхмерной модели IGBT модуля в среде ANSYS с использованием метода конечных элементов. Предложенный подход предназначен повысить качество прогнозирования температуры кристаллов силового модуля в условиях, приближенных к эксплуатационным. Доп.точки доступа: Ильин, М. В.; Вилков, Е. А.; Гуляев, И. В.; Бриз дель Бланко, Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |