Морозова, Наталья Константиновна. Влияние Te на самоактивированное свечение ZnSe [Текст] / Н. К. Морозова, Д. А. Мидерос> // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 3. - С. 12-17. - Библиогр.: с. 17 (10 назв. )
Рубрики: Физика Оптика Электричество и магнетизм Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): селениды -- катодолюминесценция -- фотолюминесценция -- проводимость -- самоактивированное свечение -- коротковолновое свечение -- селенид цинка Аннотация: Предложена интерпретация оптических свойств ZnSe на основе теории непересекающихся зон, определяющей инициированное кислородом расщепление зоны проводимости. Доп.точки доступа: Мидерос, Даниэль Алехандро |
Оптическое поглощение и диффузия железа в монокристаллах ZnSe [Текст] / Ю. Ф. Ваксман [и др. ]> // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 463-466 : ил. - Библиогр.: с. 466 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- ZnSe -- селенид цинка -- поглощение -- оптическое поглощение -- диффузионное легирование -- метод диффузионного легирования -- диффузия железа -- оптические переходы -- оптическая плотность кристаллов -- оптические свойства -- температура -- температурная зависимость Аннотация: Исследованы монокристаллы ZnSe : Fe, полученные методом диффузионного легирования. Исследованы спектры оптической плотности в области энергий 0. 4-3 эВ. По величине смещения края поглощения определена концентрация железа в исследуемых кристаллах. Идентифицирована природа оптических переходов, определяющих оптические свойства монокристаллов ZnSe : Fe в видимой и ИК-области спектра. Диффузионный профиль примеси железа определен путем измерения относительной оптической плотности кристаллов в видимой области спектра. Рассчитаны коэффициенты диффузии железа в кристаллах ZnSe при температурах 1120-1320 K. При 1270 K коэффициент диффузии железа составляет 3x10{-10} см{2}/с. Доп.точки доступа: Ваксман, Ю. Ф.; Ницук, Ю. А.; Яцун, В. В.; Насибов, А. С.; Шапкин, П. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Дегода, В. Я. Особенности люминесценции и электропроводимости селенида цинка при фото- и рентгеновском возбуждении [Текст] / В. Я. Дегода, А. А. Софиенко> // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 594-599 : ил. - Библиогр.: с. 599 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): селенид цинка -- ZnSe -- фотопроводимость -- ФП -- фотолюминесценция -- ФЛ -- рентгенолюминесценция -- РЛ -- рентгенопроводимость -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- релаксация тока -- фосфоресценция -- кинетика фосфоресценции -- спектры люминесценции -- возбуждение -- рекомбинация -- широкозонные полупроводники Аннотация: Проведено сравнение комплексных экспериментальных результатов исследования рентгенолюминесценции и рентгенопроводимости ZnSe с данными по фотолюминесценции и фотопроводимости. Экспериментально установлено различие вольт-амперных характеристик, кинетики фосфоресценции и релаксации тока в зависимости от типа возбуждения. Показано, что внешнее электрическое поле влияет на интенсивность и форму полос в спектрах люминесценции. Установлено, что характер возбуждения является определяющим для кинетики рекомбинации, захвата носителей заряда и проводимости в широкозонных полупроводниках. Доп.точки доступа: Софиенко, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Беленчук, А. В. Вторично-ионная масс-спектроскопия кристаллов селенида цинка со спектральной памятью фотопроводимости [Текст] / А. В. Беленчук, Н. И. Ильиных, Л. Е. Ковалёв> // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 10. - С. 174-175 : рис. - Библиогр.: c. 175 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Спектроскопия Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): масс-спектроскопия -- монокристаллы -- селенид цинка -- спектральная память -- фотопроводимость Аннотация: Исследована вторично-ионная масс-спектроскопия кристаллов селенида цинка со спектральной памятью фотопроводимости. Доп.точки доступа: Ильиных, Н. И.; Ковалёв, Л. Е. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование электрофизических параметров образцов селенида цинка [Текст] / Бутырин П. А. [и др.]> // Электричество. - 2017. - № 12. - С. 47-50 : 6 рис. - Библиогр.: с. 49 (3 назв. ). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на английском языке в конце статьи . - ISSN 0013-5380
Рубрики: Энергетика Электрические и магнитные измерения в целом Кл.слова (ненормированные): ZnSe -- диэлектрические резонаторы -- оптические приборы -- селенид цинка -- тепловизоры -- электрофизические параметры Аннотация: Приведены результаты исследования в сверхвысокочастотном (дециметровом), видимом и инфракрасном диапазонах электромагнитных волн параметров образцов селенида цинка, используемых, в частности, в многоканальных приборах технического зрения для систем обеспечения безопасности железнодорожного транспорта. Обнаружена значительная дисперсия диэлектрической проницаемости селенида цинка. В дециметровом диапазоне тангенс угла диэлектрических потерь больше, чем у материалов, используемых в этом диапазоне для изготовления диэлектрических резонаторов, однако селенид цинка имеет малые потери в оптическом (видимом и инфракрасном) диапазоне. Сочетание у селенида цинка свойств диэлектрика и полупроводника, а также нелинейность его характеристик представляют возможность взаимного управления процессами в оптической и сверхвысокочастотной областях частот. Доп.точки доступа: Бутырин, П. А. (доктор технических наук; заведующий кафедрой); Абдулкеримов, С. А. (кандидат технических наук; директор филиала); Алексейчик, Л. В. (доктор технических наук; профессор); Смирнова, Е. И. (генеральный директор); Товмасян, В. М. (ведущий конструктор); Шакирзянов, Ф. Н. (кандидат технических наук; профессор) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |