Старухин, А. Н. Динамика магнитоиндуцированного оптического выстраивания триплетных связанных экситонов в селениде галлия в условиях резонансного возбуждения [Текст] / А. Н. Старухин, Д. К. Нельсон, Б. С. Разбирин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 3. - С. 158-164
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): триплетные связанные экситоны -- экситоны -- селенид галлия -- резонансное возбуждение -- магнитное поле -- поляризация излучения Аннотация: Методом спектроскопии с временным разрешением исследована динамика индуцированной поперечным магнитным полем линейной поляризации излучения триплетных связанных экситонов в одноосных кристаллах (на примере GaSe) в условиях резонансного возбуждения линейно поляризованным светом. Появление линейной поляризации излучения обусловлено различным поведением в магнитном поле пи и сигма-компонент излучения. Доп.точки доступа: Нельсон, Д. К.; Разбирин, Б. С. |
Применение термического анализа для характеризации состава и структуры нелинейных кристаллов GaSe [Текст] / Ю. М. Андреев [и др.] // Известия Томского политехнического университета. - 2012. - Т. 321, № 2 : Математика и механика : Физика. - С. 128-132 : ил. - Библиогр.: с. 132 (11 назв.) . - ISSN 1684-8519
Рубрики: Технология металлов Металловедение в целом Кл.слова (ненормированные): термический анализ -- нелинейные кристаллы -- слоистые кристаллы -- дифференциально-сканирующая калориметрия -- полупроводниковые кристаллы -- селенид галлия -- нелинейная оптика -- результаты исследований -- спектральные компоненты -- кристаллические структуры -- оптические свойства Аннотация: Метод дифференциальной сканирующей калориметрии применен для анализа состава и структуры чистых полупроводниковых кристаллов селенида галия, используемых в нелинейной оптике. По результатам исследования эффективности генерации второй гармоники СО[2]-лазеров и смешения спектральных компонент фемтосекундного Ti: Sapphire лазера установлено, что линейные оптические и эффективные нелинейные свойства кристаллов GaSe в существенной мере определяются относительным содержанием второй фазы - Ga[2]Se[3]. Доп.точки доступа: Андреев, Юрий Михайлович; Вайтулевич, Елена Анатольевна; Светличный, Валерий Анатольевич; Зуев, Владимир Владимирович; Морозов, Александр Николаевич; Кох, Константин Александрович; Ланский, Григорий Владимирович Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Спектры пропускания и генерация терагерцовых импульсов в структурах SiO_2-GaSe, TiO_2-GaSe и Ga_2O_3-GaSe и GaSe:S [Текст] / С. А. Березная [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 8. - С. 131-135 : рис. - Библиогр.: c. 134-135 (20 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): генерация терагерцового излучения -- оксид галлия -- селенид галлия -- спектры пропускания -- терагерцовое излучение -- тонкие пленки Аннотация: Проведено термическое и магнетронное напыление аморфных тонких пленок SiO_2, TiO_2 и Ga_2O_3 на поверхность кристаллов GaSe. Установлено, что при различных технологических условиях слои SiO_2 и TiO_2 на поверхности GaSe растрескиваются, в то время как Ga 2O_3 образует совершенные пленки. Проведено сравнение спектров пропускания и эффективности генерации терагерцовых импульсов в структурах SiO _2-GaSe, TiO_2-GaSe и Ga_2O_3-GaSe и кристаллах GaSe: S 0. 9 мас. % и GaSe: S 7 мас. %. Установлено, что с ростом концентрации серы в кристаллах GaSe: S эффективность генерации терагерцового излучения при оптическом выпрямлении фемтосекундных лазерных импульсов уменьшается. Среди исследованных пленок на поверхности GaSe наименьшее влияние на эффективность генерации оказывает пленка SiO_2. Доп.точки доступа: Березная, С. А.; Зарубин, А. Н.; Коротченко, З. В.; Прудаев, И. А.; Редькин, Р. А.; Саркисов, С. Ю.; Толбанов, О. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |