Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (lambda~3. 3 мкм) [Текст] / А. П. Астахова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 278-284 : ил. - Библиогр.: с. 284 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- двойные гетероструктуры -- InAs/InAsSbP -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- подложки -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- электролюминесцетные характеристики -- светоизлучающие кристаллы -- чипы -- эпитаксиальные слои -- спектральные характеристики -- инжекция -- квантовая характеристика -- квантовая эффективность -- излучательная рекомбинация -- квантовый выход -- длина волны -- мощные светодиоды -- светоизлучающие структуры -- оптическая мощность -- квазинепрерывный режим Аннотация: Исследованы два типа конструкций светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках p- и n-InAs. Изучены вольт-амперные и электролюминесцетные характеристики созданных светодиодов. Показано, что конструкция светодиода со светоизлучающим кристаллом (чипом), смонтированным эпитаксиальным слоем к корпусу прибора и выводом излучения через подложку n-InAs, обеспечивает лучший отвод тепла и, как следствие, устойчивость спектральных характеристик при увеличении тока инжекции и более высокую квантовую эффективность излучательной рекомбинации. Внутренний квантовый выход светоизлучающих структур с длиной волны lambda=3. 3-3. 4 мкм достигал величины 22. 3%. Оптическая мощность излучения светодиодов в квазинепрерывном режиме составляла 140 мкВт при токе 1 А, а в импульсном режиме достигала значения 5. 5 мВт при токе 9 А. Доп.точки доступа: Астахова, А. П.; Головин, А. С.; Ильинская, Н. Д.; Калинина, К. В.; Кижаев, С. С.; Серебренникова, О. Ю.; Стоянов, Н. Д.; Horvath, Zs. J; Яковлев, Ю. П. |
Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа [Текст] / В. Б. Шмагин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1533-1538. : ил. - Библиогр.: с. 1538 (17 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- электролюминесценция -- ЭЛ -- редкоземельные ионы -- РЗ ионы -- электрические свойства -- люминесцентные свойства -- светоизлучающие структуры -- диодные структуры -- кремниевые структуры -- возбуждение ионов эрбия -- ионы эрбия -- туннельно-пролетные светодиоды -- светодиоды -- квантовая эффективность -- мощность излучения -- p-n переходы -- экспериментальные исследования Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических и люминесцентных свойств кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа, излучающих при обратном смещении в режиме пробоя p{+}/n{+}-перехода. Определены мощность, излучаемая в диапазоне lambda~1. 5 мкм (~5 мкВт), внешняя квантовая эффективность (~10{-5}) и эффективность возбуждения ионов эрбия (~2 x 10{-20} см{2}с) при комнатной температуре. Показано, что при одной и той же эффективности возбуждения туннельно-пролетные светодиоды превосходят диодные структуры типа p{+}/n-Si: Er по мощности излучения. Проведено сопоставление экспериментальных результатов с модельными представлениями о работе туннельно-пролетного светодиода. Обсуждаются факторы, ограничивающие интенсивность электролюминесценции и эффективность ударного возбуждения ионов эрбия в структурах данного типа. Доп.точки доступа: Шмагин, В. Б.; Кузнецов, В. П.; Кудрявцев, К. Е.; Оболенский, С. В.; Козлов, В. А.; Красильник, З. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Моделирование методом Монте-Карло вывода излучения из светодиодной структуры с текстурированными интерфейсами [Текст] / В. И. Зубков [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 8. - С. 123-130 : рис. - Библиогр.: c. 130 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): Монте-Карло метод -- вывод излучения света -- квантовый выход -- метод Монте-Карло -- нитрид галлия -- светодиодные структуры -- светодиоды -- светоизлучающие структуры Аннотация: Разработана математическая модель вывода излучения из светодиода на базе корпускулярного метода Монте-Карло. В результате моделирования светодиодных структур получены закономерности по влиянию границ раздела сред и вводимых на интерфейсах шероховатостей на относительную долю выводимого из структуры излучения. На основе проведенного анализа сделаны конкретные рекомендации по оптимизации светоизлучающих флип-чип-структур на основе твердых растворов нитрида галлия. Доп.точки доступа: Зубков, В. И.; Евсеенков, А. С.; Орлова, Т. А.; Зубкова, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |