Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO[2] при облучении быстрыми тяжелыми ионам [Текст] / Г. А. Качурин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 544-549 : ил. - Библиогр.: с. 548 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие наноструктуры -- наноструктуры -- ионы -- тяжелые ионы -- облучение ионами -- ионное облучение -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- электронная микроскопия -- нанокристаллы -- кремниевые нанокристаллы -- пассивация -- кремний -- ионизационные потери -- треки -- дефектообразование -- ксенон -- Xe Аннотация: Слои SiO[2] с избыточным имплантированным Si облучали ионами Xe, 130 МэВ дозами 3x10{12}-10{14} см{-2}. После 3x10{12} см{-2} электронная микроскопия выявила ~10{12} см{-2} выделений размерами 3-4 нм. С ростом дозы их размеры и число возрастали. В спектрах фотолюминесценции обнаружена полоса 660-680 нм, интенсивность которой зависела от дозы. После пассивации водородом при 500 гр. C полоса исчезала, но появлялась новая вблизи 780 нм, характерная для нанокристаллов Si. На основании совокупности всех данных сделан вывод, что полоса 660-680 нм обусловлена несовершенными кремниевыми нанокристаллами, растущими в треках ионов Xe благодаря высоким ионизационным потерям. Немонотонная зависимость интенсивности фотолюминесценции от дозы объясняется различием между диаметрами треков и каскадов смещений, ответственных за дефектообразование. Доп.точки доступа: Качурин, Г. А.; Черкова, С. Г.; Скуратов, С. А.; Марин, Д. В.; Черков, А. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние состава слоев SiO[x] на формирование в них светоизлучающих наноструктур Si под действием быстрых тяжелых ионов [Текст] / Г. А. Качурин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 419-424. : ил. - Библиогр.: с. 424 (25 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): слои -- облучение ионами -- светоизлучающие наноструктуры -- наноструктуры -- быстрые ионы -- кремниевые наноструктуры -- фотолюминесценция -- ФЛ -- люминесценция -- кремний -- Si -- длина волны -- источники излучения -- кремниевые подложки -- ксенон -- Xe -- экспериментальные исследования Аннотация: Слои SiO[x] переменного состава с 0 < X < 2 облучали ионами Xe с энергией 167 МэВ, дозой 10{14} см{-2} для стимулирования формирования светоизлучающих кремниевых наноструктур. Облучение вызвало появление полосы фотолюминесценции, зависящей от x. С увеличением содержания Si фотолюминесценция вначале росла с максимумом вблизи длины волны lambda~600 нм, а затем максимум смещался к lambda~800 нм. Сделан вывод, что источниками излучения являются квантово-размерные нановыделения, образующиеся в результате диспропорционирования SiO[x] в треках ионов благодаря высоким ионизационным потерям. Изменения фотолюминесценции с ростом x объясняются увеличением вначале вероятности формирования нановыделений, а затем и их размеров, что приводит к длинноволновому сдвигу. Последующее гашение люминесценции обусловлено снятием квантово-размерных ограничений и коагуляцией. Доп.точки доступа: Качурин, Г. А.; Черкова, С. Г.; Марин, Д. В.; Кеслер, В. Г.; Скуратов, В. А.; Челков, А. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |