Самхарадзе, Т. Г. Определение оптимального строения гетероструктуры InGaN [Текст] / Т. Г. Самхарадзе, О. И. Рабинович, В. П. Сушков // Инженерная физика. - 2008. - N 5. - С. 20-21
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): многокомпонентные гетероструктуры -- гетероструктуры -- InGaN -- светоизлучающие диоды Аннотация: Проведено моделирование многокомпонентных гетероструктур (МКГ) InGaN для использования в светоизлучающих диодах (СИД). Результаты представлены в виде графиков рабочих характеристик СИД, основанных на исследованных МКГ, например, вольт-амперные характеристики, зависимость внутреннего квантового выхода от количества квантово-размерных ям и спектральная характеристика. Доп.точки доступа: Рабинович, О. И.; Сушков, В. П. |
Аппаратно-программный комплекс для исследования шумовых процессов в светоизлучающих диодах [Текст] / В. Н. Рогов [и др. ] // Вестник Ульяновского государственного технического университета. - 2009. - N 1. - С. 43-46 : 3 рис. - Библиогр.: с. 46 (4 назв. ) . - ISSN 1674-7016
Рубрики: Радиоэлектроника Кибернетика Кл.слова (ненормированные): аппаратно-программные комплексы -- диоды светоизлучающие -- комплексы аппаратно-программные -- корреляционные функции -- оптические шумы -- светодиоды -- светоизлучающие диоды -- функции корреляционные -- шумы оптические -- шумы электрические -- электрические шумы Аннотация: Описана структурная схема, рассмотрен алгоритм работы и приведены основные характеристики аппаратно-программного измерительного комплекса, позволяющего исследовать связь электрических и оптических шумов светоизлучающих диодов. Доп.точки доступа: Рогов, В. Н.; Сергеев, В. А.; Щербатюк, Ю. А.; Фролов, И. В. |
Рабинович, О. И. Исследование особенностей рабочих характеристик многокомпонентных гетероструктур и светоизлучающих диодов на основе AlInGaN [Текст] / О. И. Рабинович, В. П. Сушков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 548-551
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие диоды -- многокомпонентные гетероструктуры -- квантоворазмерные ямы -- компьютерное моделирование -- параметры слоев кристаллов -- спектры излучения Аннотация: Проведено моделирование многокомпонентных гетероструктур на основе AlInGaN для использования их в светоизлучающих диодах. Определено влияние неоднородного распределения атомов индия в светоизлучающих " нанодиодах" на рабочие характеристики приборов в целом. Разработана модель, описывающая строение многокомпонентных AlInGaN-гетероструктур для излучающих диодов. Доп.точки доступа: Сушков, В. П. |
Самхарадзе, Т. Г. Изучение аспектов поведения рабочих характеристик AlGaInN излучающих диодов [Текст] / Т. Г. Самхарадзе, О. И. Рабинович // Инженерная физика. - 2009. - N 4. - С. 24-26
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие диоды -- многокомпонентные гетероструктуры -- компьютерное моделирование -- твердые растворы -- оптоэлектронные полупроводниковые приборы Аннотация: Проведено изучение поведения основных характеристик излучающих диодов. Результаты представлены в виде графиков рабочих характеристик СИД, основанных на результатах компьютерного моделирования AlGaInN многокомпонентных гетероструктур, например, ВАХ и зависимость напряженности поля от содержания атомов In и количества кванто-размерных ям. Доп.точки доступа: Рабинович, О. И. |
Рабинович, О. И. Влияние примеси в AlGaInN многокомпонентных гетероструктурах на рабочие характеристики светоизлучающих диодов [Текст] / О. И. Рабинович // Инженерная физика. - 2009. - N 6. - С. 12-14
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие диоды -- диоды -- рабочие характеристики -- многокомпонентные гетероструктуры -- гетероструктуры -- компьютерное моделирование Аннотация: Проведено изучение поведения основных характеристик светоизлучающих диодов (СИД). Результаты представлены в виде графиков рабочих характеристик СИД, основанных на результатах компьютерного моделирования AlGaInN многокомпонентных гетероструктур, например, ВАХ и зависимость внутреннего квантового выхода СИД от легирования барьеров в квантово-размерной активной области. |
Сергеев, В. А. Расчет и анализ распределений плотности тока и температуры по площади структуры InGaN/GaN мощных светодиодов [Текст] / В. А. Сергеев, А. М. Ходаков // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 230-234 : ил. - Библиогр.: с. 234 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие диоды -- СИД -- мощные светодиоды -- InGaN/GaN -- плотность тока -- плотность мощности -- активная область гетероструктуры -- температура -- итерационный метод -- стационарные уравнения теплопроводности -- уравнения термогенерации -- теплоотводы Аннотация: Рассмотрена тепловая модель мощного светодиода InGaN/GaN, учитывающая экспоненциальную зависимость плотности тока и плотности мощности, рассеиваемой активной областью гетероструктуры, от температуры. Итерационным методом решена система уравнений, включающая стационарное уравнение теплопроводности с адиабатными условиями второго рода на боковых границах гетероструктуры и уравнения термогенерации, при условии постоянства средней плотности тока по активной области структуры. Найдены зависимости максимального и среднего перегрева по активной области структуры от величины рабочего тока и температуры окружающей среды для двух моделей теплоотвода: полубесконечного и ограниченного. Доп.точки доступа: Ходаков, А. М. |
Никифоров, С. Г. Фотометрический метод исследования полупроводниковых гетероструктур [Текст] / С. Г. Никифоров // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - С. 28-33. - Библиогр.: с. 33 (12 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Экспериментальные методы и аппаратура оптики Кл.слова (ненормированные): фотометрический метод -- полупроводниковые гетероструктуры -- гетероструктуры -- светоизлучающие диоды -- деградация структур -- излучающие гетероструктуры -- деградация гетероструктур -- пространственное распределение силы света -- гониофотометрический метод -- термоультразвуковая приварка -- контактные полупроводники -- светодиоды -- сила света -- измерение светового потока Аннотация: Рассмотрены проблемы диагностики параметров светоизлучающих диодов. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения [Текст] / А. В. Градобоев [и др. ] // Известия Томского политехнического университета. - 2010. - Т. 316. N 2. - С. 125-129 : ил. - Библиогр.: с. 129 (6 назв. ). . - ISSN 1684-8519
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие диоды -- диоды -- импульсное лазерное излучение -- лазерное излучение -- результаты исследований -- эпитаксиальные слои -- GaAs -- контакт металл-полупроводник -- металл-полупроводник -- плоскость кристалл-кристаллодержатель -- кристалл-кристаллодержатель Аннотация: Представлены результаты исследования стойкости серийных светоизлучающих диодов ИК-диапазона на основе эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Si, к воздействию одиночных импульсов лазерного излучения с длиной волны 1, 06 мкм и длительностью 100 нс, 10 мкс и 1 мс. Показано, что деградация мощности излучения диодов обусловлена проплавлением контакта металл-полупроводник, при этом их стойкость сильно зависит от направления воздействия лазерного излучения. Установлено несколько пороговых значений плотности мощности лазерного излучения: плотность мощности, ниже которой отсутствует деградация диодов, а выше которой наблюдается деградация диодов; плотность мощности, при которой наблюдается полное проплавление контакта металл-полупроводник и плотность мощности, при которой происходит механическое разрушение диодов по плоскости кристалл-кристаллодержатель. Показано, что диаграмма направленности излучения диодов позволяет определить пороговые значения плотности мощности лазерного излучения, падающего под углом к оптической оси диода. Установлено, что режим питания диода не влияет на установленные пороговые плотности мощности лазерного излучения. Доп.точки доступа: Градобоев, А. В.; Скаков, М. К.; Полицинский, Е. В.; Аубакирова, Д. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Вероятностные характеристики электрических шумов гетеропереходных светодиодов [Текст] / В. А. Сергеев [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2010. - N 5. - С. 15-21. : рис. - Библиогр.: с. 20-21 (10 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоэлектроника в целом Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): спектр -- функция распределения -- автокорреляционная функция -- светоизлучающие диоды -- шумовое напряжение Аннотация: Описан аппаратно-программный комплекс для измерения характеристик электрических и оптических шумов светоизлучающих диодов. Доп.точки доступа: Сергеев, В. А.; Фролов, И. В.; Широков, А. А.; Щербатюк, Ю. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние давления в реакторе на оптические свойства структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС [Текст] / Е. А. Чернышева [и др.] // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 2 (146). - С. 32-36 : ил. - Библиогр.: с. 36 (6 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): нитриды -- нитриды III группы -- диоды -- светоизлучающие диоды -- оптические свойства -- давление -- эпитаксия -- металлорганические соединения -- индий -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ МОС Аннотация: Исследовано влияние давления в реакторе на оптические свойства InGaN при их выращивании методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Показано, что изменение указанного давления приводит как к модификации вхождения индия, так и к существенному изменению оптических свойств структур.Influence of reactor pressure during MOVPE growth on optical properties of InGaN heterostructures has been studied. It was found that reactor pressure influences not only indium incorporation, but also strongly modifies optical properties of structures. Доп.точки доступа: Чернышева, Екатерина Андреевна; Сахаров, Алексей Валентинович; Черкашин, Николай Анатольевич; Лундин, Всеволод Владимирович; Цацульников, Андрей Федорович Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Рабинович, Олег Игоревич (кандидат физико-математических наук). Основные этапы развития светоизлучающих диодов [Текст] / О. И. Рабинович // История науки и техники. - 2012. - № 11. - С. 23-34 : рис. - Библиогр.: с. 32-34 (42 назв. ) . - ISSN 1813-100X
Рубрики: Энергетика Преобразователи, выпрямители, инверторы, 20 в.; 21 в. Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие диоды -- диоды -- оптоэлектроника -- наногетероструктуры -- нитридные материалы -- ученые -- радиоинженеры -- электролюминесценция -- высокоэффективные приборы Аннотация: Рассматриваются основные хронологические этапы развития светоизлучающих диодов (СИД) как явления оптоэлектроники, начиная от начала изучения эффектов электролюминесценции до современных высокоэффективных приборов. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электролюминесценция квантовых точек CdSe/CdS и перенос энергии экситонного возбуждения в органическом светоизлучающем диоде [Текст] / А. А. Ващенко [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 2. - С. 118-122
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие диоды -- многослойные наноструктуры -- наноструктуры -- квантовые точки -- электролюминесценция -- энергия экситонного возбуждения Аннотация: Разработан светоизлучающий диод на основе многослойных наноструктур, в котором роль эмиттеров выполняют полупроводниковые коллоидные квантовые точки CdSe/CdS. Получены их спектры поглощения, фото- и электролюминесценции. Продемонстрировано сильное влияние размерного эффекта и плотности расположения частиц в слое на спектральные и электрофизические характеристики диода. Результаты работы демонстрируют возможность эффективного управления спектральными характеристиками и скоростями электронных процессов в светоизлучающих устройствах, созданных на основе внедренных в органическую матрицу квантовых точек. Доп.точки доступа: Ващенко, А. А.; Лебедев, В. С.; Витухновский, А. Г.; Васильев, Р. Б.; Саматов, И. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Мыслицкая, Н. А. Диполь-дипольный перенос энергии электронного возбуждения в системе квантовая точка CdSe/ZnS - эозин в матрице поливинилбутираля [Текст] / Н. А. Мыслицкая, И. Г. Самусев, В. В. Брюханов // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 7. - С. 52-59 : рис., табл. - Библиогр.: c. 58-59 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): Штерна - Фольмера константа -- агрегация -- диполь-дипольный перенос энергии -- квантовые точки -- константа Штерна - Фольмера -- перенос энергии -- поливинилбутираль -- светоизлучающие диоды -- эозин -- эффективность переноса энергии Аннотация: Исследован перенос энергии электронного возбуждения с квантовых точек CdSe/ZnS на молекулы эозина в полимерной матрице поливинилбутираля. Определены основные характеристики переноса. Методами люминесцентной микроскопии и корреляционной спектроскопии было установлено, что квантовые точки в полимере находятся в агрегированном состоянии. Доп.точки доступа: Самусев, И. Г.; Брюханов, В. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Витухновский, А. Г. Гибридные органо-неорганические светоизлучающие диоды [Текст] / А. Г. Витухновский, А. А. Ващенко, Р. Б. Васильев // Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Т. 80, № 7. - С. 880-884. - Библиогр.: c. 884 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- коллоидные нанокристаллы -- нанопластины CdSe -- просвечивающая электронная микроскопия -- светоизлучающие диоды Аннотация: Проанализированы особенности функционирования нанокристаллов плоской геометрии - нанопластин CdSe в составе органо-неорганического светоизлучающего диода. Доп.точки доступа: Ващенко, А. А.; Васильев, Р. Б. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Казаринов, Лев Сергеевич (доктор технических наук; профессор). Исследование процессов в многоканальных стабилизаторах тока светоизлучающих диодов на основе моделирования [Текст] / Л. С. Казаринов, Е. В. Вставская, Саид Джехад Абдо Али // Известия вузов. Проблемы энергетики. - 2017. - Т. 19, № 3/4. - С. 168-175. - Библиогр. в конце ст. (10 назв.). - полный текст статьи см. на сайте Научной электронной библиотеки https://elibrary.ru . - ISSN 1998-9903
Рубрики: Энергетика Электрическое освещение. Светотехника Кл.слова (ненормированные): VisSim -- микроконтроллер -- моделирование -- осветительные приборы -- светоизлучающие диоды -- стабилизаторы тока -- трехканальный стабилизатор тока -- энергосберегающие осветительные приборы Аннотация: Статья посвящена решению задачи уменьшения пульсации выходного тока многоканального стабилизатора на основе моделирования. Доп.точки доступа: Вставская, Елена Владимировна (кандидат технических наук; доцент); Саид Джехад Абдо Али (аспирант) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Принтерная печать органических светодиодов на основе спирторастворимых полифлуоренов [Текст] / А. В. Одод [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 12. - С. 167-171 : рис., табл. - Библиогр.: c. 171 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Химическая технология Основной органический синтез Химия Органические соединения Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): вязкость чернил -- органическая электроника -- органические полупроводниковые материалы -- органические светоизлучающие диоды -- поверхностное натяжение -- полифлуорен PFPO -- полифлуорены -- принтерная печать -- принтерные чернила -- светоизлучающие диоды -- спирторастворимые полифлуорены -- струйная принтерная печать -- электролюминесценция Аннотация: На основе поли (9, 9-диоктилфлуорена) и его спирторастворимого аналога созданы композиции чернил для струйной принтерной печати. Выполнено сравнение вольт-амперных, вольт-яркостных и спектральных характеристик на основе однослойных и двухслойных полимерных структур органических светоизлучающих диодов. Показано, что эффективность спирторастворимого полифлуоренового аналога выше по сравнению с поли (9, 9-диоктилфлуореном), а возможности оптимизации вязкости спиртовых чернил больше по сравнению с ароматическими хлорсодержащими растворителями. Доп.точки доступа: Одод, А. В.; Гадиров, Р. М.; Солодова, Т. А.; Курцевич, А. Е.; Ильгач, Д. М.; Якиманский, А. В.; Буртман, В.; Копылова, Т. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Многослойные светоизлучающие диоды на основе органических полупроводниковых полимеров [Текст] / Р. М. Гадиров [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 8. - С. 157-161 : рис., табл. - Библиогр.: с. 161 (16 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Люминесценция Кл.слова (ненормированные): многослойные светоизлучающие диоды -- органические полупроводниковых полимеров -- органические светодиоды -- полифлуорен -- полупроводниковые полимеры -- светоизлучающие диоды -- сополимер -- электролюминесценция Аннотация: Приведены результаты исследований оптических и электрических характеристик одно- и двухслойных полимерных OLED-структур с разной толщиной излучающих слоев. Показано, что эффективность OLED-структур с толстыми слоями достигает 6. 9 кд/А, в то время как аналогичные тонкослойные структуры имеют эффективность в 10 раз ниже. Увеличение толщины излучающего слоя полимера, а также введение дополнительного электрон-транспортного слоя приводит к уменьшению токов утечки и повышению эффективности, однако изменяет спектр электролюминесценции устройства. Доп.точки доступа: Гадиров, Р. М.; Одод, А. В.; Курцевич, А. Е.; Ильгач, Д. М.; Якиманский, А. В.; Копылова, Т. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |