Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1481-1495 : ил. - Библиогр.: с. 1494 (53 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- бор -- сопротивления -- удельные сопротивления -- термоэдс -- теплоемкость -- статическая магнитная восприимчивость -- циклотронный резонанс -- ЦР -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- корреляционная энергия -- отрицательная корреляционная энергия -- акцепторы бора -- дырочные биполяроны -- высокотемпературная сверхпроводимость -- наноструктурированные delta-барьеры -- локальная туннельная спектроскопия -- ЛТС -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- оптические свойства -- электрические свойства -- сверхпроводящие свойства -- температурная зависимость -- полевая зависимость -- осцилляция -- квантование -- критическая температура -- вторичная ионная масс-спектроскопия -- ВИМС -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- сверхтоки Аннотация: Сверхпроводящие свойства кремниевых сандвич-наноструктур на поверхности Si (100) n-типа, которые представляют собой сверхузкие кремниевые квантовые ямы p-типа, ограниченные delta-барьерами, сильно легированными бором, проявляются в измерениях температурных и полевых зависимостей удельного сопротивления, термоэдс, теплоемкости и статической магнитной восприимчивости. Данные исследований циклотронного резонанса, сканирующей туннельной микроскопии и ЭПР идентифицируют наличие в наноструктурированных delta-барьерах одиночных тригональных дипольных центров бора, B{+}-B{-}, с отрицательной корреляционной энергией, которые сформированы вследствие реконструкции мелких акцепторов бора, 2B{0}- B{+}+B{-}. Полученные результаты свидетельствуют о том, что эти центры с отрицательной корреляционной энергией ответственны за перенос дырочных биполяронов малого радиуса, который, по-видимому, лежит в основе механизма высокотемпературной сверхпроводимости TC=145 K. Причем значение величины сверхпроводящей щели, 0. 044 эВ, определенное с помощью измерений критической температуры при использовании вышеуказанных методик, практически идентично данным локальной туннельной спектроскопии и прямой регистрации туннельных ВАХ. Квантование характеристик сверхпроводимости кремниевых сандвич-наноструктур проявляется в температурных и полевых зависимостях теплоемкости и статической магнитной восприимчивости, которые демонстрируют осцилляции второго критического поля и критической температуры, возникающие вследствие квантования сверхтока. Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Романов, В. В. |
Квантование сверхтока и андреевское отражение в кремниевых наноструктурах [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1496-1506 : ил. - Библиогр.: с. 1505-1506 (38 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- туннельная спектроскопия -- корреляция -- туннелирование -- эффект Джозефсона -- Джозефсона эффект -- андреевское отражение -- сверхпроводящие delta-барьеры -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- когерентное туннелирование -- осцилляция -- квантование -- сверхтоки -- сверхпроводящий эффект близости -- сверхпроводник-СККЯ-сверхпроводник Аннотация: Туннельная спектроскопия используется для изучения транспорта дырок в сандвич-наноструктуре типа сверхпроводник-сверхузкая самоупорядоченная кремниевая квантовая яма (СККЯ) p-типа - сверхпроводник на поверхности Si (100) n-типа, в которой ширина квантовой ямы меньше длины когерентности и фермиевской длины волны. Туннельные ВАХ высокого разрешения демонстрируют квантование сверхтока, характеристики которого определяются позициями уровней размерного квантования дырок в СККЯ. Причем корреляция в туннелировании одиночных дырок и куперовских пар проявляется в идентичности осцилляций ВАХ сверхтока при T Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Оганесян, Г. А.; Полоскин, Д. С. |
Баранов, М. И. Защита высоковольтных конденсаторов мощных емкостных накопителей энергии от аварийных сверхтоков [Текст] / М. И. Баранов // Электротехника. - 2016. - № 12. - С. 69-73 . - ISSN 0013-5860
Рубрики: Энергетика Конденсаторы Сопротивления Кл.слова (ненормированные): термомеханическая защита -- аварийные сверхтоки -- зарядно-разрядные цепи -- высоковольтные конденсаторы -- емкостные накопители энергии -- резисторы -- керамические объемные резисторы Аннотация: Предложен способ термомеханической защиты высоковольтных конденсаторов мощного емкостного накопителя энергии (ЕНЭ) от аварийных сверхтоков, возникающих в зарядно-разрядных цепях ЕНЭ при электрическом пробое его конденсаторов на стадии их заряда или разряда. Способ предусматривает применение высоковольтных защитных резисторов, жестко устанавливаемых на выводах конденсаторов ЕНЭ. Установлено, что для ограничения аварийного сверхтока в качестве защитных резисторов в зарядно-разрядных цепях мощных ЕНЭ могут использоваться высоковольтные керамические объемные резисторы ТВО-60 номиналом от 24 до 100 Ом. Предложен метод рационального выбора числа резисторов. На натурных образцах мощных ЕНЭ выполнена экспериментальная проверка предложенного способа защиты высоковольтных конденсаторов от аварийных сверхтоков и приведенных расчетных соотношений по выбору числа резисторов. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Баранов, М. И. Усовершенствование резистивной защиты высоковольтных конденсаторов мощных емкостных накопителей энергии от аварийных сверхтоков [Текст] / М. И. Баранов // Электротехника. - 2017. - № 1. - С. 48-51 . - ISSN 0013-5860
Рубрики: Энергетика Конденсаторы Сопротивления Кл.слова (ненормированные): импульсные конденсаторы -- высоковольтные импульсные конденсаторы -- резистивные схемы защиты -- аварийные сверхтоки -- резисторы -- емкостные накопители энергии -- электрические нагрузки -- электротехнические параметры -- импульсная техника Аннотация: Предложена резистивная схема защиты высоковольтных импульсных конденсаторов мощного емкостного накопителя энергии (ЕНЭ) многомодульного исполнения от аварийных сверхтоков, возникающих в отдельных модулях ЕНЭ при внутреннем или внешнем электрическом пробое изоляции их конденсаторов. Главной отличительной особенностью схемы является раздельная работа модулей ЕНЭ на стадии заряда параллельно включенных конденсаторов и их совместная работа на стадии разряда конденсаторов модулей на общую электрическую нагрузку. Такой режим предотвращает взрывообразное разрушение их защитных графито-керамических постоянных резисторов ТВО-60 в аварийной ситуации, возникающей при пробое одного из конденсаторов ЕНЭ на стадии заряда. Представлены результаты расчета основных электротехнических параметров предложенной резистивной схемы защиты. Количественная оценка подобных параметров защитной схемы ЕНЭ указывает на ее практическую реализуемость в области высоковольтной импульсной техники. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |