Квантование сверхтока и андреевское отражение в кремниевых наноструктурах [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1496-1506 : ил. - Библиогр.: с. 1505-1506 (38 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- туннельная спектроскопия -- корреляция -- туннелирование -- эффект Джозефсона -- Джозефсона эффект -- андреевское отражение -- сверхпроводящие delta-барьеры -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- когерентное туннелирование -- осцилляция -- квантование -- сверхтоки -- сверхпроводящий эффект близости -- сверхпроводник-СККЯ-сверхпроводник
Аннотация: Туннельная спектроскопия используется для изучения транспорта дырок в сандвич-наноструктуре типа сверхпроводник-сверхузкая самоупорядоченная кремниевая квантовая яма (СККЯ) p-типа - сверхпроводник на поверхности Si (100) n-типа, в которой ширина квантовой ямы меньше длины когерентности и фермиевской длины волны. Туннельные ВАХ высокого разрешения демонстрируют квантование сверхтока, характеристики которого определяются позициями уровней размерного квантования дырок в СККЯ. Причем корреляция в туннелировании одиночных дырок и куперовских пар проявляется в идентичности осцилляций ВАХ сверхтока при TT[c]. Кроме эффекта Джозефсона, прямая и обратная ВАХ впервые идентифицируют процессы многократного андреевского отражения двумерных дырок в СККЯ, которые отвечают за микроскопический механизм, ответственный за сверхпроводящий эффект близости. Исследование проводимости двумерных дырок в плоскости СККЯ свидетельствует о наличии когерентного туннелирования в условиях спинозависимого многократного андреевского отражения между ограничивающими ее сверхпроводящими delta-барьерами.


Доп.точки доступа:
Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Оганесян, Г. А.; Полоскин, Д. С.