Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1481-1495 : ил. - Библиогр.: с. 1494 (53 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- бор -- сопротивления -- удельные сопротивления -- термоэдс -- теплоемкость -- статическая магнитная восприимчивость -- циклотронный резонанс -- ЦР -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- корреляционная энергия -- отрицательная корреляционная энергия -- акцепторы бора -- дырочные биполяроны -- высокотемпературная сверхпроводимость -- наноструктурированные delta-барьеры -- локальная туннельная спектроскопия -- ЛТС -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- оптические свойства -- электрические свойства -- сверхпроводящие свойства -- температурная зависимость -- полевая зависимость -- осцилляция -- квантование -- критическая температура -- вторичная ионная масс-спектроскопия -- ВИМС -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- сверхтоки Аннотация: Сверхпроводящие свойства кремниевых сандвич-наноструктур на поверхности Si (100) n-типа, которые представляют собой сверхузкие кремниевые квантовые ямы p-типа, ограниченные delta-барьерами, сильно легированными бором, проявляются в измерениях температурных и полевых зависимостей удельного сопротивления, термоэдс, теплоемкости и статической магнитной восприимчивости. Данные исследований циклотронного резонанса, сканирующей туннельной микроскопии и ЭПР идентифицируют наличие в наноструктурированных delta-барьерах одиночных тригональных дипольных центров бора, B{+}-B{-}, с отрицательной корреляционной энергией, которые сформированы вследствие реконструкции мелких акцепторов бора, 2B{0}- B{+}+B{-}. Полученные результаты свидетельствуют о том, что эти центры с отрицательной корреляционной энергией ответственны за перенос дырочных биполяронов малого радиуса, который, по-видимому, лежит в основе механизма высокотемпературной сверхпроводимости TC=145 K. Причем значение величины сверхпроводящей щели, 0. 044 эВ, определенное с помощью измерений критической температуры при использовании вышеуказанных методик, практически идентично данным локальной туннельной спектроскопии и прямой регистрации туннельных ВАХ. Квантование характеристик сверхпроводимости кремниевых сандвич-наноструктур проявляется в температурных и полевых зависимостях теплоемкости и статической магнитной восприимчивости, которые демонстрируют осцилляции второго критического поля и критической температуры, возникающие вследствие квантования сверхтока. Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Романов, В. В. |
О структуре параметра порядка в высокотемпературных сверхпроводниках на основе железа [Текст] / Т. Е. Кузьмичева [и др.] // Успехи физических наук. - 2017. - Т. 187, № 4. - С. 450-462 : 9 рис. - Библиогр.: 461-462 (82 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): высокотемпературные сверхпроводники -- многощелевые сверхпроводники -- пниктиды железа -- пниктиды бария -- монокристаллы -- сверхпроводящие свойства -- двухзонные модели -- параметры порядка -- магнитные свойства -- теплоемкость -- первое критическое поле -- оптическая спектроскопия -- андреевская спектроскопия -- электрон-бозонное взаимодействие -- лондоновская глубина проникновения -- экспериментальные исследования Аннотация: Описаны синтез, характеризация и комплексное исследование монокристаллов бариевых семейств с различным замещением и различными температурами сверхпроводящего перехода. Отражены данные, полученные с использованием пяти взаимодополняющих экспериментальных методик изучения сверхпроводящих свойств монокристаллов бариевых семейств. Сделан вывод о сосуществовании двух сверхпроводящих конденсатов с различным по силе электрон-бозонным взаимодействием. Доп.точки доступа: Кузьмичева, Т. Е.; Муратов, А. В.; Кузьмичев, С. А.; Садаков, А. В.; Алещенко, Ю. А.; Власенко, В. А.; Мартовицкий, В. П.; Перваков, К. С.; Ельцев, Ю. Ф.; Пудалов, В. М.; Гинзбург, В. Л. (физик-теоретик ; 1916-2009) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |