Полевая инжекция электронов низких энергий в гетероструктуру ZnSe/CdSe/ZnSe с использованием сверхвысоковакуумного туннельного микроскопа [Текст] / С. А. Масалов [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 6. - С. 1057-1061. - Библиогр.: с. 1061 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полевая инжекция -- электроны низких энергий -- гетероструктуры -- сверхвысоковакуумные туннельные микроскопы -- микроскопы Аннотация: Рассматривается процесс полевой эмиссионной инжекции низкоэнергетических электронов (E[e] ~ 10 eV) в гетероструктуру ZnSe/CdSe/ZnSe. Зонд сверхвысоковакуумного туннельного микроскопа используется как полевой эмиттер. Показано, что энергии инжектированных электронов достаточно для ударной ионизации в ZnSe. Ударная ионизация создает высокую концентрацию неравновесных носителей в приповерхностном слое ZnSe. Проведено моделирование транспорта неравновесных носителей в исследуемой гетероструктуре. Учитываются электрическое поле приповерхностного объемного заряда и поверхностная рекомбинация. Расчет показал высокую эффективность заполнения неравновесными носителями активной области CdSe. Доп.точки доступа: Масалов, С. А.; Калинина, К. В.; Евтихиев, В. П.; Иванов, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |