Влияние плотности каскадов смещений на топографию и сдвиг поверхности нитрида галлия, облучаемого атомарными и молекулярными ионами [Текст] / К. В. Карабешкин [и др.] // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 2 (146). - С. 55-61 : ил. - Библиогр.: с. 60-61 (14 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): нитрид галлия -- ионная имплантация -- молекулярные ионы -- свеллинг -- распыление -- топография поверхности -- молекулярный эффект -- каскады столкновений -- атомарные ионы Аннотация: В статье рассмотрено влияние плотности каскадов столкновений на изменение свойств поверхности GaN при его бомбардировке ускоренными атомарными и молекулярными ионами. Показано, что при малых плотностях свеллинг преобладает над распылением, а при больших - наоборот, доминирует распыление. Шероховатость поверхности увеличивается при увеличении массы иона/размера кластера. Установлен пороговый характер развития этих процессов и определены пороговые дозы начала развития особенностей топографии поверхности и изменения толщины модифицируемых слоев.Effect of collision cascade density on GaN surface properties under molecular and atomic ion bombardment have been studied. At low level of cascade density swelling prevails sputtering. In the case of molecular ion irradiation, when cascade is high, sputtering is more effective than swelling. Threshold behavior of these phenomena is established and corresponding values are found. Physical reasons are suggested. Доп.точки доступа: Карабешкин, Константин Валерьевич; Карасев, Платон Александрович; Беляков, Владимир Сергеевич; Архипов, Александр Викторович; Титов, Андрей Иванович (1939-) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |