Исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ]> // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 785-788 : ил. - Библиогр.: с. 787-788 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- кубический карбид кремния -- слои -- эпитаксиальные слои -- кубические эпитаксиальные слои -- сублимационная эпитаксия -- рентгеновская топография -- рамановская спектроскопия -- вольт-фарадные измерения -- спектроскопия -- 3C-SiC -- подложки -- 15R-SiC Аннотация: Проведено исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Методами рентгеновской топографии и рамановской спектроскопии показано достаточно высокое структурное качество полученных эпитаксиальных слоев. По данным рамановской спектроскопии и вольт-фарадным измерениям установлено, что концентрация электронов в слое 3C-SiC составляет (4-6) х10{18} см{-3}. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Богданова, Е. В.; Зубрилов, А. С.; Лебедев, С. П.; Нельсон, Д. К.; Середова, Н. В.; Смирнов, А. Н.; Трегубова, А. С. |
Суворов, Э. В. О природе прямого изображения дефектов в дифракционных методах рентгеновской топографии [Текст] / Э. В. Суворов, И. А. Смирнова> // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып. 12. - С. 2325-2329. . - Библиогр.: с. 2329 (22 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): прямое изображение -- дефекты -- рентгеновская топография -- дифракционные методы Аннотация: Проанализированы закономерности рассеяния рентгеновского излучения в наиболее искаженной области кристалла, где локальные разориентации решетки, связанные с деформационным полем дефекта, максимальны. Высказано предположение о том, что одним из возможных механизмов образования прямого изображения является рассеяние волнового поля на псевдогранице в области локальных разориентаций, где кристалл выходит из отражающего положения вблизи оси дефекта, например ядра дислокации. На примерах численного моделирования секционных топограмм модельных дефектов продемонстрировано образование прямого изображения. В качестве модельного образца использовался совершенный монокристалл, внутри которого в определенном кристаллографическом направлении располагается тонкая трубка, заполненная тем же монокристаллическим материалом с ориентацией, отличной от основного кристалла. Следовательно, если модельный кристалл установлен в отражающее положение, то для области внутри трубки условия Брэгга не выполняются. Численные топограммы показывают, что прямое изображение образуется на границе трубки модельного кристалла. Доп.точки доступа: Смирнова, И. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование эволюции структурных дефектов в монокристаллах ZnGeP[2], выращенных методом Бриджмена [Текст] / Г. А. Верхозубова [и др.]> // Известия Томского политехнического университета. - 2012. - Т. 321, № 2 : Математика и механика : Физика. - С. 121-128 : ил. - Библиогр.: с. 127-128 (22 назв.) . - ISSN 1684-8519
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структурные дефекты -- монокристаллы -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- результаты исследований -- рентгеновская топография -- эффект Бормана -- Бормана эффект -- продольные срезы -- поперечные срезы -- численные оценки -- кристаллизация -- кристаллы -- выращивание кристаллов -- топографические исследования Аннотация: Представлены результаты исследований структурных дефектов в монокристалле ZnGeP[2], выращенном методом Бриджмена в вертикальном варианте. Методом рентгеновской просвечивающей топографии на основе эффекта Бормана исследованы продольный срез и три поперечных среза монокристалла. Обнаружено различие структур дефектов в начальной, срединной и концевой частях кристалла. Приведены численные оценки поведения фронта кристаллизации в процессе выращивания кристалла. Получено хорошее соответствие численных оценок и результатов топографических исследований. Доп.точки доступа: Верхозубова, Галина Александровна; Филиппов, Максим Михайлович; Грибенюков, Александр Иванович; Трофимов, Андрей Юрьевич; Окунев, Алексей Олегович; Стащенко, Владимир Александрович Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Суворов, Э. В. Дифракционное изображение дефектов в рентгеновской топографии (рентгеновской микроскопии) [Текст] / Э. В. Суворов, И. А. Смирнова> // Успехи физических наук. - 2015. - Т. 185, № 9. - С. 897-915 : 28 рис. - Библиогр.: с. 914-915 (103 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Спектроскопия Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): рентгеновская топография -- рентгеновская микроскопия -- рентгеновская оптика -- кристаллы -- кристаллические структуры -- дефекты кристаллов -- дифракционный контраст дефектов -- дифракционное изображение -- секционные топограммы -- численное моделирование Аннотация: Рассмотрены вопросы образования и структуры рентгеновского дифракционного изображения дефектов кристаллической решетки в методах рентгеновской топографии. Проанализированы подходы описания (лучевая и волновая оптика) и области применения геометрической и дифракционной оптики реального кристалла. На примерах конкретных экспериментальных изображений дислокаций и других дефектов продемонстрирована роль различных дифракционных эффектов (отражение волн от искажений кристаллической решетки, дифракционная фокусировка, каналирование), влияющих на характер формируемого изображения. Обсуждены возможности получения количественной информации о параметрах дефектов. Доп.точки доступа: Смирнова, И. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |