Русских, Д. В. Релаксация оптически стимулированного электросопротивления тонких пленок SnO[2] [Текст] / Д. В. Русских, С. И. Рембеза // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 811-815 : ил. - Библиогр.: с. 815 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сопротивление -- электросопротивление -- релаксация (физика) -- тонкие пленки -- светодиоды -- фиолетовые светодиоды -- ультрафиолетовый свет -- УФ -- датчики -- датчики газа -- высокотемпературный отжиг -- результаты исследований -- SnO[2] Аннотация: Приведены результаты исследования влияния облучения фиолетовым светодиодом L5013VC с длиной волны 400 нм и мощностью 76 мВт на сопротивление чувствительного слоя тестовых структур датчиков газов на основе SnO[2] на воздухе до и после высокотемпературного стабилизирующего отжига. Установлены особенности процессов изменения сопротивления слоя SnO[2] от времени при включении и выключении светодиода. Доп.точки доступа: Рембеза, С. И. |
Цыпленков, В. В. Влияние одноосной деформации на релаксацию возбужденных состояний мелких доноров в кремнии при взаимодействии с междолинными фононами [Текст] / В. В. Цыпленков, К. А. Ковалевский, В. Н. Шастин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1450-1455 : ил. - Библиогр.: с. 1455 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фононы -- междолинные фононы -- рассеяние -- междолинное рассеяние -- доноры (физика) -- фосфор -- сурьма -- мышьяк -- деформация -- одноосная деформация -- релаксация (физика) -- электрон-фононное взаимодействие -- кремний -- анизотропия -- электроны -- возбуждение -- оптическое возбуждение -- состояния -- возбужденные состояния -- рабочие состояния -- время жизни состояний Аннотация: Проведены расчеты скорости междолинного рассеяния возбужденных состояний 2[p±], 2[p0] и 1[s] доноров V группы (фосфор, сурьма, мышьяк) в кремнии при электрон-фононном взаимодействии. При этом учитывалась анизотропия эффективной массы и вырождение состояний электронов, связанное с шестью долинами зоны проводимости. Определена степень влияния сдвига энергии основного состояния из-за потенциала центральной ячейки на процесс релаксации различных доноров. Особое внимание уделено зависимости темпа релаксации от деформации сжатия кремния в кристаллографическом направлении [100]. Установлено, что такая деформация может значительно увеличить времена жизни рабочих состояний в лазере на внутрицентровых переходах доноров в кремнии при их оптическом возбуждении, повышая квантовую эффективность и коэффициент усиления такой активной среды. Доп.точки доступа: Ковалевский, К. А.; Шастин, В. Н. |
Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл) - (слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 180-193 : ил. - Библиогр.: с. 192 (59 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гибридные структуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- ферромагнитный металл-слоистый полупроводник -- ФМ-ПП -- Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- импедансные спектры -- спиновая инжекция -- экстракция -- спиновая диффузия -- релаксация (физика) -- полупроводниковые подложки -- спин-селективные барьеры -- кулоновская блокада -- отрицательные дифференциальные емкости -- наноразмерные включения Аннотация: После выращивания слоев Ni на поверхности (0001) p-GaSe сформированы двухбарьерные структуры Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe с наноразмерными включениями сплавов Ni, которые образовались в результате протекания реакций на границе раздела "металл-слоистый полупроводник". В температурном диапазоне 220-350 K изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гибридных структур. Исследована зависимость импедансных спектров от напряжения смещения структур при различных температурах. Частотные зависимости импеданса при высоких частотах (f>10{6} Гц) обсуждаются с точки зрения явлений спиновой инжекции и экстракции в структурах с ультратонким спин-селективным барьером Ni/n-Ga[2]Se[3] и эффектов спиновой диффузии и релаксации в полупроводниковой подложке. При комнатной температуре обнаружены явления кулоновской блокады и отрицательной дифференциальной емкости. Эти явления объясняются на основе анализа транспортных процессов в узкой области вблизи границы раздела "ферромагнитный металл-полупроводник", где расположены наноразмерные включения. Доп.точки доступа: Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Литвин, О. С. |
Релаксация параметров кристаллической решетки и структурное упорядочение в эпитаксиальных твердых растворах In[x]Ga[1-x]As [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1140-1146. : ил. - Библиогр.: с. 1146 (14 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): релаксация (физика) -- кристаллические решетки -- эпитаксиальные пленки -- твердые растворы -- In[x]Ga[1-x]As -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- сканирующая электронная микроскопия -- метод сканирующей электронной микроскопии -- гетероструктуры -- МОС-гидридная эпитаксия -- металлические подрешетки Аннотация: Методами рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии исследованы эпитаксиальные гетероструктуры In[x]Ga[1-x]As/GaAs (100), выращенные МОС-гидридным методом, со значительно рассогласованными параметрами решетки. Рассчитан коэффициент релаксации кристаллической решетки эпитаксиального твердого раствора, и оценена энергия деформации. Показано, что при концентрациях атомов In в металлической подрешетке, близких к x=0. 5, сверхструктурная фаза, образовавшаяся на поверхности эпитаксиального твердого раствора In[x]Ga[1-x]As, представляет собой соединение InGaAs[2] со слоисто-тетрагональной (layered thetragonal) кристаллической решеткой и упорядоченным расположением атомов металлической подрешетки в плоскости роста эпитаксиальной пленки. Доп.точки доступа: Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Станкевич, А. Л.; Тарасов, И. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне [Текст] / А. В. Антонов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1511-1513. : ил. - Библиогр.: с. 1513 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- квантовые точки -- КТ -- нанокластеры -- гетероструктуры -- InAs/GaAs -- металл-органическая газофазная эпитаксия -- МОГФЭ -- метод металл-органической газофазной эпитаксии -- длина волны -- комнатная температура -- инфракрасный диапазон -- релаксация (физика) -- атмосферное давление -- реакторы Аннотация: Методом металл-органической газофазной эпитаксии в реакторе атмосферного давления изготовлены многослойные гетероструктуры InAs/GaAs, содержащие плотные массивы слабодефектных, частично релаксированных нанокластеров InAs, более крупных, чем бездефектные квантовые точки. Структуры имеют интенсивную фотопроводимость в диапазоне длин волн 1-2 мкм при комнатной температуре. Обнаружительная способность изготовленных макетов фотоприемников составляет D*=10{9} см x Гц{1/2} x Вт{-1}. Время релаксации фотопроводимости на длине волны 1. 5 мкм составляет менее 10 нс. Доп.точки доступа: Антонов, А. В.; Востоков, Н. В.; Дроздов, М. Н.; Молдавская, Л. Д.; Шашкин, В. И.; Хрыкин, О. И.; Яблонский, А. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si с релаксированным гетерослоем [Текст] / Л. В. Красильникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1527-1532. : ил. - Библиогр.: с. 1531 (12 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- люминесцентные свойства -- эпитаксиальные слои -- гетерослои -- длина волны -- спектры возбуждения -- кинетические характеристики -- эрбиевая люминесценция -- дефектно-примесные комплексы -- запрещенные зоны -- твердые растворы -- релаксация (физика) Аннотация: Проведено исследование люминесцентных свойств гетероэпитаксиальных структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si с релаксированным гетерослоем. По результатам совместных исследований спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции (ФЛ) выделены компоненты, вносящие преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si в диапазоне длин волн 1. 54 мкм. Показано, что релаксация упругих напряжений в гетерослое Si[1-x]Ge[x]: Er слабо влияет на кинетические характеристики эрбиевой люминесценции и проявляется лишь в незначительном вкладе в люминесцентный отклик структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si дефектов и дефектно-примесных комплексов. В спектрах возбуждения эрбиевой ФЛ выделены особенности, связанные с возможностью возбуждения редкоземельной примеси при энергиях, меньших ширины запрещенной зоны твердого раствора Si[1-x]Ge[x]. Показано, что в спектрах возбуждения эрбиевой ФЛ в структурах Si[1-x]Ge[x]: Er/Si в области длин волн 1040-1050 нм наблюдается пик, ширина которого зависит от ширины запрещенной зоны твердого раствора и степени его релаксации. Наблюдаемые особенности объясняются вовлеченностью в процесс возбуждения иона Er{3+} промежуточных уровней в запрещенной зоне твердого раствора Si[1-x]Ge[x]: Er. Доп.точки доступа: Красильникова, Л. В.; Яблонский, А. Н.; Степихова, М. В.; Дроздов, Ю. Н.; Шенгуров, В. Г.; Красильник, З. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Давыдов, Вадим Владимирович. О некоторых особенностях исследования ядерным магнитным резонансом потоков жидких сред [Текст] / В. В. Давыдов // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 121, № 1. - С. 20-27 : схема, граф., табл. - Библиогр.: с. 26-27 (30 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): жидкие среды -- суспензии -- биологические растворы -- магнитный резонанс -- ядерный магнитный резонанс -- спектрометры -- парамагнитные ионы -- релаксация (физика) -- опасные среды -- оптические приборы -- оптические расходомеры -- потоки жидких сред Аннотация: Рассмотрены особенности исследования потоков жидких сред ядерно-магнитным спектрометром. Учет этих особенностей в конструкции ядерно-магнитного спектрометра позволяет определить относительные концентрации парамагнитных ионов, а также измерять времена продольной T[1] и поперечной T[2] релаксации в потоках жидкости с погрешностью не выше 0. 5%. Это дает возможность полностью исключить ошибки при определении состояния текущей среды по измеренным константам, что особенно актуально при работе с медицинскими суспензиями и биологическими растворами. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Картошкин, В. А. Столкновения щелочных атомов Cs и Rb в основном состоянии. Сечения спинового обмена [Текст] / В. А. Картошкин // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 121, № 3. - С. 355-358 : граф., табл. - Библиогр.: с. 358 (10 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): щелочные атомы -- столкновения атомов -- спиновой обмен (физика) -- сечения спинового обмена -- поляризация -- перенос поляризации -- релаксация (физика) -- магнитный резонанс -- спин-обменные столкновения -- цезий -- рубидий Аннотация: Рассмотрены столкновения щелочных атомов {133}Cs и {85}Rb, находящихся в основном состоянии, в интервале энергий 10{-4}-10{-2}ат. ед. Получены комплексные сечения спинового обмена, позволяющие рассчитать процессы переноса поляризации и времена релаксации, а также сдвиги частот магнитного резонанса, обусловленные спин-обменными столкновениями Cs-Rb. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |