Особенности морфологии и структура нанокристаллических пленок кубического карбида кремния, выращиваемых на поверхности Si [Текст] / Л. К. Орлов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 5. - С. 1018-1023. - Библиогр.: с. 1023 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокристаллические пленки -- пленки кубического карбида кремния -- карбид кремния -- рекристаллизация пленки -- метод химической конверсии Аннотация: С помощью разнообразных методов анализа (электронная, зондовая и интерференционная оптическая микроскопия, электронография, рентгеновская дифракция) исследуются состав, морфология поверхности и кристаллическая структура нанокристаллических пленок кубического нидрида кремния, выращиваемых на кремнии методом химической конверсии из паров гексана. Проведено сопоставление характеристик пленок 3C-SiC, получаемых на подложках Si (100) и Si (111). Для гетероструктур 3C-SiC/Si (111) различными методами проанализированы особенности формы, размеров и кристаллической структуры островков, формируемых на поверхности роста. Показано, что формируемые на поверхности фигуры роста образуют нанокристаллическую плотноупакованную текстуру с размерами зерен менее 50 nm. Электроннограммы фигур роста на поверхности пленок демонстрируют наличие дополнительного сверхпериода, связанного с винтовыми осями в пространственной группе элементов симметрии кристалла. Доп.точки доступа: Орлов, Л. К.; Дроздов, Ю. Н.; Вдовин, В. И.; Тарасова, Ю. И.; Смыслова, Т. Н. |